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Transistores (100539)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | Condição de teste | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Tensão - Teste | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR3704ZTRPBF | - |  | 9353 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 20 v | 60a (TC) | 4.5V, 10V | 8.4mohm @ 15a, 10V | 2,55V a 250µA | 14 NC a 4,5 V | ± 20V | 1190 pf @ 10 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDFS2P106A | - | | 6031 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDFS2P106 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canal P. | 60 v | 3a (ta) | 4.5V, 10V | 110mohm @ 3a, 10V | 3V A 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 714 pf @ 30 V | Diodo Schottky (Isolado) | 900MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXBX25N250 | 44.2800 | | 9462 | 0,00000000 | Ixys | BIMOSFET ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-247-3 Variante | IXBX25 | Padrão | 300 w | Plus247 ™ -3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 621487 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 1,6 µs | - | 2500 v | 55 a | 180 a | 3.3V @ 15V, 25A | - | 103 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9933BDY-T1-E3 | - | | 3154 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI9933 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 3.6a | 60mohm @ 4.7a, 4.5V | 1.4V A 250µA | 9NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AUIRFU1010Z | - | | 5339 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | - | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | - | To-262 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001516086 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | - | 42a (TC) | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SUM110N04-05H-E3 | - | | 6719 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SUM110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 v | 110A (TC) | 10V | 5.3mohm @ 30a, 10V | 5V A 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 6700 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S9125MBR1 | - | | 7183 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 v | TO-272-4 | MRF6 | 880MHz | LDMOS | TO-272 WB-4 | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950 MA | 27W | 20.2dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4032PX, 115 | - | | 2920 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PBSS4 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FAM65HR51DS2 | - | | 8785 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | FAM65 | 135 w | Padrão | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Inversor de meia ponte | - | 650 v | 33 a | - | Não | 4,86 NF @ 400 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STH240N10F7-6 | 4.5400 | | 3421 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ F7 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | STH240 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | H2PAK-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-15312-2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 100 v | 180A (TC) | 10V | 2.5mohm @ 60a, 10V | 4.5V a 250µA | 160 nc @ 10 V | ± 20V | 11550 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tk14a45d (sta4, q, m) | 3.0300 | | 4530 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tubo | Ativo | - | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TK14A45 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220SIS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 450 v | 14a | 340mohm @ 7a, 10v | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT13005TF-E1 | - | | 9105 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | APT13005 | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 31-APT13005TF-E1TB | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CMPT2907AE TR PBFREE | 0,4000 | | 6 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPT2907 | 350 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 600 mA | 10na (ICBO) | Pnp | 700mv @ 50Ma, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AO9926C | 0,2344 | | 1744 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AO9926 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 7.6a | 23mohm @ 7.6a, 10V | 1.1V @ 250µA | 12.5NC @ 10V | 630pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK03M4DPA-WS#J5A | - | | 8508 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Bandeja | Obsoleto | - | 559-RJK03M4DPA-WS#J5A | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLSL4030PBF | 4.5600 | | 7490 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IRLSL4030 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-262 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 110a, 10V | 2,5V a 250µA | 130 NC a 4,5 V | ± 16V | 11360 pf @ 50 V | - | 370W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SQJA20EP-T1_BE3 | 1.4700 | | 3641 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | 742-SQJA20EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 v | 22.5a (TC) | 7.5V, 10V | 50mohm @ 10a, 10V | 3,5V a 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM6N62TU, LXHF | 0,4600 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C. | Montagem na Superfície | 6-SMD, FiOS Planos | SSM6N62 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW (TA) | Uf6 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 800mA (TA) | 85mohm @ 800mA, 4,5V | 1V @ 1MA | 2NC @ 4.5V | 177pf @ 10V | Portão de Nível Lógico, Unidade de 1.2V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RF1K4915796 | 0,8200 | | 25 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 6.3a (ta) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 6.3a, 10V | 3V A 250µA | 88 nc @ 20 V | ± 20V | 1575 pf @ 25 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PN100A | - | | 7864 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | PN100 | 625 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2832-PN100A | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 v | 500 MA | 50na | Npn | 400mv @ 20Ma, 200Ma | 300 @ 10MA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AUIRF3805S | - | | 9188 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001518016 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 55 v | 160A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 290 nc @ 10 V | ± 20V | 7960 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SFT1443-TL-W | - | | 3598 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SFT1443 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK/TP-FA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 700 | N-canal | 100 v | 9a (ta) | 4V, 10V | 225mohm @ 3a, 10V | 2.6V @ 1Ma | 9,8 nc @ 10 V | ± 20V | 490 PF @ 20 V | - | 1W (TA), 19W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD3055L104G | - | | 5307 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | NTD30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 v | 12a (ta) | 5V | 104mohm @ 6a, 5V | 2V A 250µA | 20 NC @ 5 V | ± 15V | 440 pf @ 25 V | - | 1.5W (TA), 48W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4130QAZ | 0,0700 | | 243 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-XDFN PAD EXPOSTO | 325 MW | DFN1010D-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PBSS4130QAZ-954 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 30 v | 1 a | 100na (ICBO) | Npn | 245mv @ 50ma, 1a | 180 @ 1A, 2V | 190MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Nvmfs6b05nt1g | - | | 5900 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | Nvmfs6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 100 v | 114a (TC) | 10V | 8mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 16V | 3100 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 165W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | DMC2450UV-13 | 0,0863 | | 2777 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | DMC2450 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 450mw | SOT-563 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | DMC2450UV-13DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N E P-Canal | 20V | 1.03A, 700mA | 480mohm @ 200Ma, 5V | 900MV A 250µA | 0,5NC @ 4.5V | 37.1pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CM150DU-24H | - | | 1320 | 0,00000000 | Powerex Inc. | Igbtmod ™ | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | 890 w | Padrão | Módlo | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Meia Ponte | - | 1200 v | 150 a | 3.7V @ 15V, 150a | 1 MA | Não | 22 NF @ 10 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6775MTRPBF | 1.2100 | | 597 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFET ™ isométrico MZ | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFET ™ MZ | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 249 | N-canal | 150 v | 4.9a (ta), 28a (tc) | 10V | 56mohm @ 5.6a, 10V | 5V @ 100µA | 36 nc @ 10 V | ± 20V | 1411 pf @ 25 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFL024NPBF | - | | 7709 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 55 v | 2.8a (ta) | 10V | 75mohm @ 2.8a, 10V | 4V A 250µA | 18,3 nc @ 10 V | ± 20V | 400 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIDR668DP-T1-RE3 | 2.9700 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8DC | download | 1 (ilimito) | 742-SIDR668DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 23.2a (ta), 95a (tc) | 7.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10V | 3,4V a 250µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 50 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) |
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