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Transistores (100539)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
FF300R07ME4BOSA1 Infineon Technologies FF300R07ME4BOSA1 169.5600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon Econodual ™ 3 Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FF300R07 20 mw Padrão Ag-Econod-3 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 2 Independente Parada de Campo da Trinceira 650 v 300 a 1.95V @ 15V, 300A 1 MA Sim 18.5 NF @ 25 V
2SC4983-6-TB-E onsemi 2SC4983-6-TB-E 0,0600
RFQ
 ECAD 138 0,00000000 Onsemi * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0075 3.000
BSC0702LSATMA1 Infineon Technologies BSC0702LSATMA1 1.7400
RFQ
 ECAD 1330 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn BSC0702 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 60 v 100a (TC) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 50a, 10V 2.3V @ 49µA 30 NC a 4,5 V ± 20V 4400 pf @ 30 V Padrão 83W (TC)
SSM3J144TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU, LF 0,4100
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 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosvi Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 3-SMD, Chumbo Plano SSM3J144 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ufm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 3.2a (ta) 1.5V, 4.5V 93mohm @ 1.5a, 4.5V 1V @ 1MA 4,7 nc @ 4,5 V +6V, -8V 290 pf @ 10 V - 500mW (TA)
PUMD17,115 NXP USA Inc. Pumd17,115 0,0300
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 ECAD 298 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pumd17 300mw SOT-363 download 0000.00.0000 11.225 50V 100mA 1µA 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 150mv @ 500µA, 10MA 60 @ 5MA, 5V - 47kohms 22kohms
PMGD280UN,115 Nexperia USA Inc. PMGD280UN, 115 0,4400
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 ECAD 131 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMGD280 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 400mW 6-TSSOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 20V 870mA 340mohm @ 200Ma, 4.5V 1V a 250µA 0,89nc @ 4.5V 45pf @ 20V Portão de Nível Lógico
STGP14N60D STMicroelectronics STGP14N60D -
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 ECAD 2202 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto - Através do buraco To-220-3 STGP14 Padrão 95 w To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-8898-5 Ear99 8541.29.0095 50 390V, 7A, 10OHM, 15V 37 ns - 600 v 25 a 50 a 2.1V @ 15V, 7a - -
FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies FF200R12KT4HOSA1 151.9500
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 ECAD 12 0,00000000 Tecnologias Infineon C Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FF200R12 1100 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Meia Ponte Parada de Campo da Trinceira 1200 v 320 a 2.15V @ 15V, 200a 5 MA Não 14 NF @ 25 V
FQD5N50CTM Fairchild Semiconductor FQD5N50CTM 0,5100
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 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 v 4a (TC) 10V 1.4OHM @ 2A, 10V 4V A 250µA 24 nc @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
2SA1586-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-y, lxhf 0,3300
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 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo - Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 200 MW USM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 150 MA 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 10ma, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
SI1467DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1467DH-T1-BE3 0,6700
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 ECAD 9484 0,00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1467 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SC-70-6 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 742-SI1467DH-T1-BE3TR Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 3a (ta), 2.7a (tc) 90mohm @ 2a, 4.5V 1V a 250µA 13,5 nc @ 4,5 V ± 8V 561 pf @ 10 V - 1.5W (TA), 2,78W (TC)
APTGF15A120T1G Microsemi Corporation APTGF15A120T1G -
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 ECAD 8942 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto - Montagem do chassi SP1 140 w Padrão SP1 download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 1 Meia Ponte NPT 1200 v 25 a 3.7V @ 15V, 15A 250 µA Sim 1 NF @ 25 V
IXYH40N120B3D1 IXYS IXYH40N120B3D1 11.2500
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 ECAD 7721 0,00000000 Ixys Genx3 ™, xpt ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Ixyh40 Padrão 480 w TO-247 (IXYH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 600V, 40A, 10OHM, 15V 100 ns - 1200 v 86 a 180 a 2.9V @ 15V, 40A 2,7MJ (ON), 1,6MJ (Desligado) 87 NC 22NS/177NS
2N5931 Microchip Technology 2N5931 72.1350
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 ECAD 6015 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo - Através do buraco TO-204AA, TO-3 175 w TO-204AD (TO-3) - Alcançar Não Afetado 150-2N5931 Ear99 8541.29.0095 1 160 v 30 a - Pnp - - -
BSM20GD60DLC Infineon Technologies BSM20GD60DLC 32.5000
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 ECAD 75 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo 125 w Padrão - download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 PONTE CONCLUTA - 600 v 32 a 2.45V @ 15V, 20A 500 µA Não 1.1 NF @ 25 V
RJH60D6DPK-00#T0 Renesas Electronics America Inc RJH60D6DPK-00#T0 -
RFQ
 ECAD 9768 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 RJH60D6 Padrão 260 w TO-3P download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 300V, 40A, 5OHM, 15V 100 ns Trincheira 600 v 80 a 2.2V @ 15V, 40A 850µJ (ON), 600µJ (Off) 104 NC 50ns/160ns
JANTX2N7335 Microsemi Corporation Jantx2N7335 -
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 ECAD 9646 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/599 Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 14-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 2N733 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.4W MO-036AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 4 canal P. 100V 750mA 1.4OHM @ 500MA, 10V 4V A 250µA - - -
MHT1008NT1515 Freescale Semiconductor MHT1008NT1515 -
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 ECAD 4157 0,00000000 Semicondutor de Freescale - Volume Ativo 65 v Montagem na Superfície PLD-1.5W 2,45 GHz LDMOS PLD-1.5W download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1.000 10µA 110 MA 12.5W 20.9dB - 28 v
BCP53QTA Diodes Incorporated BCP53QTA 0.1198
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 ECAD 5698 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA BCP53 2 w SOT-223-3 download Alcançar Não Afetado 31-BCP53QTatr Ear99 8541.29.0075 1.000 80 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 50Ma, 500mA 40 @ 150mA, 2V 150MHz
KTA1270-O-AP Micro Commercial Co KTA1270-O-AP -
RFQ
 ECAD 4774 0,00000000 Micro Commercial Co. - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads KTA1270 500 MW Parágrafo 92 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 353-KTA1270-O-APTB Ear99 8541.21.0075 2.000 30 v 500 MA 100na (ICBO) Pnp 250mv @ 10ma, 100mA 70 @ 100MA, 1V 200MHz
IRFP462 Harris Corporation IRFP462 3.9300
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 ECAD 152 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 500 v 17a (TC) 10V 350mohm @ 11a, 10V 4V A 250µA 190 nc @ 10 V ± 20V 4100 pf @ 25 V - 250W (TC)
2SK315F-SPA-AC onsemi 2SK315F-SPA-AC 0,2500
RFQ
 ECAD 362 0,00000000 Onsemi * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 1
FQU10N20TU_AM002 onsemi FQ10N20TU_AM002 -
RFQ
 ECAD 5322 0,00000000 Onsemi QFET® Tubo Obsoleto - Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA Fqu1 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 70 N-canal 200 v 7.6a (TC) 10V 360mohm @ 3.8a, 10V 5V A 250µA 18 NC @ 10 V ± 30V 670 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 51W (TC)
SIHA155N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHA155N60EF-GE3 3.6600
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 ECAD 8042 0,00000000 Vishay Siliconix Ef Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 SIHA155 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pacote completo parágrafo 220 download 1 (ilimito) 742-SIHA155N60EF-GE3 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 600 v 9a (TC) 10V 89mohm @ 3.7a, 10V 5V A 250µA 38 nc @ 10 V ± 20V 1465 pf @ 100 V - 33W (TC)
FQI7N80TU Fairchild Semiconductor Fqi7n80tu -
RFQ
 ECAD 1520 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 800 v 6.6a (TC) 10V 1.5OHM @ 3.3a, 10V 5V A 250µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1850 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 167W (TC)
MCTL300N10Y-TP Micro Commercial Co MCTL300N10Y-TP 6.7700
RFQ
 ECAD 44 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERSFN MCTL300 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Toll-8L download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 100 v 300A (TC) 1.45mohm @ 30a, 10V 4V A 250µA 240 nc @ 10 V ± 20V 13258 pf @ 50 V - 500W
FQP3N60 Fairchild Semiconductor Fqp3n60 0,5900
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 600 v 3a (TC) 10V 3.6ohm @ 1.5a, 10V 5V A 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 450 pf @ 25 V - 75W (TC)
ISC015N06NM5LFATMA1 Infineon Technologies ISC015N06NM5LFATMA1 3.5100
RFQ
 ECAD 2722 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8 fl - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 60 v 32a (ta), 275a (tc) 10V 1.55mohm @ 50a, 10V 3.45V A 120µA 113 NC @ 10 V ± 20V 9000 pf @ 30 V - 3W (TA), 217W (TC)
JANTXV2N2222AP Microchip Technology Jantxv2N2222AP 15.7738
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 ECAD 9255 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN 500 MW TO-18 (TO-206AA) - Alcançar Não Afetado 150-JANTXV2N2222AP 1 50 v 800 mA 50na Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
MRFE6S9160HSR3 Freescale Semiconductor MRFE6S9160HSR3 136.8300
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 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor de Freescale - Volume Ativo 66 v NI-780S Mrfe6 880MHz LDMOS NI-780S download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 250 - 1.2 a 35W 21dB - 28 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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    2800+

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