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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S2M0040120D | 24.5300 | ![]() | 247 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | - | Através do furo | PARA-247-3 | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247-3 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Canal N | 1200 V | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||
![]() | SSTX404S | 0,2600 | ![]() | 67 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SSTX404 | 350 mW | SOT-23-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 1V a 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10mV | - | |||||||||||||
![]() | S2M0040120K | 24.9100 | ![]() | 128 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | - | Através do furo | PARA-247-4 | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247-4 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Canal N | 1200 V | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||
![]() | S2M0080120D | 14.9200 | ![]() | 276 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal N | 1200 V | 41A (Tc) | 20V | 100mOhm a 20A, 20V | 4V @ 10mA | 54 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1324 pF a 1000 V | - | 231W (Tc) | ||||||||||
![]() | S2M0025120D | 44.4500 | ![]() | 5528 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SiCFET (carboneto de silício) | TO-247AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal N | 1200 V | 63A (Tj) | 20V | 34mOhm a 50A, 20V | 4 V a 15 mA | 130 nC @ 20 V | +25V, -10V | 4402 pF a 1000 V | - | 446W (Tc) | ||||||||||
![]() | S2M0080120K | 15.3500 | ![]() | 260 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247-4 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 1200 V | 41A (Tc) | 20V | 100mOhm a 20A, 20V | 4V @ 10mA | 54 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1324 pF a 1000 V | - | 231W (Tc) | ||||||||||
![]() | SSTX304S | 0,2600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SSTX304 | 350 mW | SOT-23-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 60 V | 600 mA | 10nA (ICBO) | PNP + Diodo (Isolado) | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10mV | - | |||||||||||||
![]() | S2M0025120K | 44.8100 | ![]() | 5161 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247-4 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 1200 V | 63A (Tc) | 20V | 34mOhm a 50A, 20V | 4 V a 15 mA | 130 nC @ 20 V | +25V, -10V | 4402 pF a 1000 V | - | 446W (Tc) |

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