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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE |
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![]() | VS-20MT120UFAPBF | - | ![]() | 8023 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módulo de 16 mtp | 20MT120 | 240 w | Padrão | Mtp | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS20MT120UFAPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | Inversor de Ponte Conclua | NPT | 1200 v | 20 a | 4.66V @ 15V, 40A | 250 µA | Não | 3,79 NF @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB300LH120N | - | ![]() | 5475 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Duplo int-a-Pak (3 + 4) | GB300 | 1645 w | Padrão | Duplo int-a-pak | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSGB300LH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Solteiro | - | 1200 v | 500 a | 2V @ 15V, 300A (Typ) | 5 MA | Não | 21.2 NF @ 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-50MT060PHTAPBF | 72.2800 | ![]() | 7222 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Módulo de 12 mtp | 50MT060 | 305 w | Padrão | 12-mtp | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 112-VS-50MT060PHTAPBF | 1 | Meia Ponte | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 121 a | 1.64V @ 15V, 50A | 100 µA | Sim | 6000 pf @ 25 V | ||||||||||||||||
![]() | VS-GT300YH120N | 208.0242 | ![]() | 1757 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Duplo int-a-Pak (3 + 8) | GT300 | 1042 w | Padrão | Duplo int-a-pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSGT300YH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Meia Ponte | Trincheira | 1200 v | 341 a | 2.17V @ 15V, 300A (Typ) | 300 µA | Não | 36 NF @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-NK025C65S | 71.2300 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | * | CAIXA | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VS-NK025C65S | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-FC420SA10 | 23.7600 | ![]() | 6400 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | FC420 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-227 | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-canal | 100 v | 435a (TC) | 10V | 2.15mohm @ 200a, 10V | 3,8V a 750µA | 375 nc @ 10 V | ± 20V | 17300 pf @ 25 V | - | 652W (TC) | |||||||||||||
![]() | Vs-enz025c60n | 64.7100 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | * | CAIXA | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VS-NZ025C60N | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT100TS065N | 74.1100 | ![]() | 5534 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | CAIXA | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | 259 w | Padrão | Int-A-Pak IGBT | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 112-VS-GT100TS065N | 15 | Inversor de meia ponte | Parada de Campo da Trinceira | 650 v | 96 a | 2.3V @ 15V, 100A | 50 µA | Não | ||||||||||||||||||
![]() | VS-20MT050XC | - | ![]() | 5741 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Ativo | - | - | - | 20MT050 | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs20mt050xc | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | - | - | - | Não | ||||||||||||||||||
![]() | VS-GB100TH120U | - | ![]() | 4082 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Duplo int-a-Pak (3 + 4) | GB100 | 1136 w | Padrão | Duplo int-a-pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSGB100TH120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Meia Ponte | NPT | 1200 v | 200 a | 3.6V @ 15V, 100A | 5 MA | Não | 8.45 NF @ 20 V | |||||||||||||
![]() | Vs-40mt060wfht | - | ![]() | 2539 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Bandeja | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módulo de 12 mtp | 40MT060 | 284 w | Padrão | 12-mtp | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 112-VS-40MT060WFHT | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | PONTE CONCLUTA | - | 600 v | 67 a | - | 250 µA | Sim | |||||||||||||||
![]() | Vs-gt75np120n | - | ![]() | 8383 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Int-a-pak (3 + 4) | GT75 | 446 w | Padrão | Int-a-pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vsgt75np120n | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Solteiro | - | 1200 v | 150 a | 2.08V @ 15V, 75A (Typ) | 1 MA | Não | 9,45 NF @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GA400TD60S | - | ![]() | 6642 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Dual Int-A-Pak (3 + 8) | GA400 | 1563 w | Padrão | Dual Int-A-Pak | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSGA400TD60S | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Meia Ponte | - | 600 v | 750 a | 1.52V @ 15V, 400A | 1 MA | Não | ||||||||||||||
![]() | GA400TD25S | - | ![]() | 6917 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Dual Int-A-Pak (3 + 8) | GA400 | 1350 w | Padrão | Dual Int-A-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Meia Ponte | - | 250 v | 400 a | 1.6V @ 15V, 400A | 500 µA | Não | 36 NF @ 30 V | ||||||||||||||
![]() | VS-GT80DA120U | 38.9900 | ![]() | 3455 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | GT80 | 658 w | Padrão | SOT-227 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Solteiro | Trincheira | 1200 v | 139 a | 2.55V @ 15V, 80A | 100 µA | Não | 4.4 NF @ 25 V |
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