- Solicitação de cotação
- BOM
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- amárico
- Armênio
- Azerbaijano
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- filipino
- finlandês
- Frísio
- Galego
- Georgiano
- Guzerate
- haitiano
- Hauçá
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Ibo
- Javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Quirguistão
- Latim
- letão
- lituano
- Luxemburgo..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- Malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- nepalês
- norueguês
- pashto
- persa
- punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Cingalês
- Eslovaco
- esloveno
- somali
- samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindi
- Sudanês
- suaíli
- tadjique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Usbeque
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- iídiche
- Iorubá
- zulu
- Kinyarwanda
- tártaro
- Oriá
- turcomano
- Uigur
Transistores(22)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tensão - Nominal | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Frequência | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Classificação atual (amperes) | Atual - Teste | Potência - Saída | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Figura de ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GPI65060DFN | 30.0000 |  | 19 | 0,00000000 | GaNPower | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Morrer | GaNFET (nitreto de glio) | Morrer | download | Não aplicável | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 4025-GPI65060DFNTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 650 V | 60A | 6V | 1,2 V a 3,5 mA | 16 nC @ 6 V | +7,5V, -12V | 420 pF a 400 V | - | - | |||||||||||
 | GPI4TIC15DFV | 9.3600 | | 211 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tubo | Ativo | 900 V | Almofada exposta 8-WDFN | - | MOSFET | 8-DFN (8x8) | download | 4025-GPI4TIC15DFV | 1 | Canal N | - | 2,5A | - | - | - | 6,5 V | |||||||||||||||||||
 | GPIXV30DFN | - | | 1692 | 0,00000000 | GaNPower | - | Bolsa | Ativo | - | Montagem em superfície | Almofada exposta 8-WDFN | GaNFET (nitreto de glio) | 8-DFN (8x8) | - | 4025-GPIXV30DFN | 1 | Canal N | 1200 V | 30A | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||
 | GPIHV30SB5L | 22.0000 | | 8552 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Morrer | GaNFET (nitreto de glio) | Morrer | download | Não aplicável | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 4025-GPIHV30SB5L | 1 | Canal N | 1200 V | 30A | 6V | 1,4 V a 3,5 mA | 8,25 nC a 6 V | +7,5V, -12V | 236 pF a 400 V | - | - | |||||||||||||
 | GPI65010DF56 | 5.0000 | | 340 | 0,00000000 | GaNPower | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Morrer | GaNFET (nitreto de glio) | Morrer | download | Não aplicável | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 4025-GPI65010DF56TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 650 V | 10A | 6V | 1,4 V a 3,5 mA | 2,6 nC @ 6 V | +7,5V, -12V | 90 pF a 400 V | - | - | |||||||||||
 | GPI65030TO5L | 15.0000 | | 90 | 0,00000000 | GaNPower | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | GaNFET (nitreto de glio) | download | Compatível com RoHS | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 4025-GPI65030TO5LTR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | Canal N | 650 V | 30A | 6V | 1,4 V a 3,5 mA | 5,8 nC @ 6 V | +7,5V, -12V | 241 pF a 400 V | |||||||||||||||
 | GPI65007DF88 | 3.9600 | | 30 | 0,00000000 | GaNPower | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | GaNFET (nitreto de glio) | download | Compatível com RoHS | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 4025-GPI65007DF88TR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | Canal N | 650 V | 7A | 6V | 1,5 V a 3,5 mA | 2,1 nC @ 6 V | +7,5V, -12V | 60 pF a 500 V | |||||||||||||||
| GPI65008DF56 | 4.0000 | | 53 | 0,00000000 | GaNPower | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Morrer | GaNFET (nitreto de glio) | Morrer | download | Não aplicável | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 4025-GPI65008DF56TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 650 V | 8A | 6V | 1,4 V a 3,5 mA | 2,1 nC @ 6 V | +7,5V, -12V | 63 pF a 400 V | - | - | |||||||||||
 | GPI65008DF68 | 4.0000 | | 990 | 0,00000000 | GaNPower | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | GaNFET (nitreto de glio) | download | Compatível com RoHS | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 4025-GPI65008DF68TR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | Canal N | 650 V | 8A | 6V | 1,7 V a 3,5 mA | 2,1 nC @ 6 V | +7,5V, -12V | 63 pF a 400 V | |||||||||||||||
 | GPI6TIC15DFV | 9.3600 | | 226 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tubo | Ativo | 900 V | Almofada exposta 8-WDFN | - | MOSFET | 8-DFN (8x8) | download | 4025-GPI6TIC15DFV | 1 | Canal N | - | 2,5A | - | - | - | 6,5 V | |||||||||||||||||||
| GPI65015DFN | 7.5000 | | 121 | 0,00000000 | GaNPower | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Morrer | GaNFET (nitreto de glio) | Morrer | download | Não aplicável | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 4025-GPI65015DFNTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 650 V | 15A | 6V | 1,2 V a 3,5 mA | 3,3 nC a 6 V | +7,5V, -12V | 116 pF a 400 V | - | - | |||||||||||
| GPI65005DF | 2.5000 | | 200 | 0,00000000 | GaNPower | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Morrer | GaNFET (nitreto de glio) | Morrer | download | Não aplicável | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 4025-GPI65005DFTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 650 V | 5A | 6V | 1,4 V a 1,75 mA | 2,6 nC @ 6 V | +7,5V, -12V | 45 pF a 400 V | - | - | |||||||||||
 | GPI65007DF56 | 3.9600 | | 40 | 0,00000000 | GaNPower | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | GaNFET (nitreto de glio) | download | Compatível com RoHS | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 4025-GPI65007DF56TR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | Canal N | 650 V | 7A | 6V | 1,5 V a 3,5 mA | 2,1 nC @ 6 V | +7,5V, -12V | 76,1 pF a 400 V | |||||||||||||||
 | GPIHV7DK | 5.3000 | | 490 | 0,00000000 | GaNPower | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | GaNFET (nitreto de glio) | download | Compatível com RoHS | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 4025-GPIHV7DKTR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | Canal N | 1200 V | 7A | 6V | 1,7 V a 3,5 mA | 3,1 nC @ 6 V | +7,5V, -12V | 90 pF a 700 V | |||||||||||||||
| GPIHV30DFN | 22.0000 | | 128 | 0,00000000 | GaNPower | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Morrer | GaNFET (nitreto de glio) | Morrer | download | Não aplicável | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 4025-GPIHV30DFNTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Canal N | 1200 V | 30A | 6V | 1,4 V a 3,5 mA | 8,25 nC a 6 V | +7,5V, -12V | 236 pF a 400 V | - | - | |||||||||||
| GPIHV5DK | 3.8000 | | 25 | 0,00000000 | GaNPower | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | GaNFET (nitreto de glio) | download | Compatível com RoHS | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 4025-GPIHV5DKTR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | Canal N | 1200 V | 5A | 6V | 1,7 V a 3,5 mA | 1,9 nC a 6 V | +7,5V, -12V | 90 pF a 700 V | |||||||||||||||
 | GPIRGIC15DFV | 9.3600 | | 424 | 0,00000000 | GaNPower | - | Bolsa | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Almofada exposta 8-WDFN | GaNFET (nitreto de glio) | 8-DFN (8x8) | download | 4025-GPIRGIC15DFV | 5 | Canal N | 900 V | 2,5A (Tc) | 5V, 8V | 105mOhm @ 2,5A, 0V | |||||||||||||||||||||
 | GPIHV14DF | - | | 5412 | 0,00000000 | GaNPower | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | GaNFET (nitreto de glio) | download | Compatível com RoHS | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 4025-GPIHV14DFTR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | Canal N | 1200 V | 14A | 6V | 1,7 V a 3,5 mA | 4 nC @ 6 V | +7,5V, -12V | 60 pF a 700 V | |||||||||||||||
 | GPI65005DF68 | 2.5000 | | 490 | 0,00000000 | GaNPower | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | GaNFET (nitreto de glio) | download | Compatível com RoHS | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 4025-GPI65005DF68TR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | Canal N | 650 V | 5A | 6V | 1,7 V a 3,5 mA | 1,6 nC a 6 V | +7,5V, -12V | 39 pF a 500 V | |||||||||||||||
 | GPIHV10DK | 7.5000 | | 340 | 0,00000000 | GaNPower | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | GaNFET (nitreto de glio) | download | Compatível com RoHS | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 4025-GPIHV10DKTR | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | Canal N | 1200 V | 10A | 6V | 1,7 V a 3,5 mA | 3,5 nC @ 6 V | +7,5V, -12V | 105 pF a 700 V | |||||||||||||||
| GPI65030DFN | 15.0000 | | 105 | 0,00000000 | GaNPower | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Morrer | GaNFET (nitreto de glio) | Morrer | download | Não aplicável | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 4025-GPI65030DFNTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 650 V | 30A | 6V | 1,2 V a 3,5 mA | 5,8 nC @ 6 V | +7,5V, -12V | 241 pF a 400 V | - | - | |||||||||||
 | GPI65015TO | 7.5000 | | 2478 | 0,00000000 | GaNPower | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Morrer | GaNFET (nitreto de glio) | Morrer | download | Não aplicável | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 4025-GPI65015TO | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 650 V | 15A | 6V | 1,2 V a 3,5 mA | 3,3 nC a 6 V | +7,5V, -12V | 123 pF a 400 V | - | - |
Mais de 2.000
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
Fabricantes mundiais
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)