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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI9435BDY-T1-E3 | 0,8900 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI9435 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 4.1A (Ta) | 4,5V, 10V | 42mOhm @ 5,7A, 10V | 3 V a 250 µA | 24 nC @ 10 V | ±20V | - | 1,3 W (Ta) | ||||||
![]() | SQ3425EV-T1_BE3 | 0,6900 | ![]() | 6117 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | SQ3425 | MOSFET (óxido metálico) | 6-TSOP | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 7,4A (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 60mOhm a 4,7A, 4,5V | 1,4 V a 250 µA | 10,3 nC a 4,5 V | ±12V | 840 pF a 10 V | - | 5W (Tc) | ||||||
![]() | SI8800EDB-T2-E1 | 0,4700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8800 | MOSFET (óxido metálico) | 4-Micropé | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 20 V | 2A (Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 80mOhm @ 1A, 4,5V | 1V @ 250µA | 8,3 nC a 8 V | ±8V | - | 500mW (Ta) | |||||
![]() | SI4848ADY-T1-GE3 | 0,6800 | ![]() | 9550 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4848 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 150 V | 5,5A (Tc) | 6V, 10V | 84mOhm @ 3,9A, 10V | 4 V a 250 µA | 9,5 nC a 10 V | ±20V | 335 pF a 75 V | - | 5W (Tc) | |||||
![]() | SIHB21N65EF-GE3 | 5.0800 | ![]() | 351 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SIHB21 | MOSFET (óxido metálico) | D²PAK (TO-263) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 650 V | 21A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 11A, 10V | 4 V a 250 µA | 106 nC @ 10 V | ±30V | 2322 pF a 100 V | - | 208W (Tc) | |||||
![]() | SIDR220EP-T1-RE3 | 3.3600 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8DC | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 25 V | 92,8A (Ta), 415A (Tc) | 4,5V, 10V | 0,58mOhm a 20A, 10V | 2,1 V a 250 µA | 200 nC @ 10 V | +16V, -12V | 10850 pF a 10 V | - | 6,25 W (Ta), 415 W (Tc) | |||||||
![]() | SQS482EN-T1_GE3 | 0,9100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 | SQS482 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 16A (Tc) | 4,5V, 10V | 8,5mOhm a 16,4A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 39 nC @ 10 V | ±20V | 1865 pF a 25 V | - | 62W (Tc) | |||||
![]() | SI7404DN-T1-E3 | - | ![]() | 7311 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 | SI7404 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 8,5A (Ta) | 2,5V, 10V | 13mOhm @ 13,3A, 10V | 1,5 V a 250 µA | 30 nC @ 4,5 V | ±12V | - | 1,5W (Ta) | |||||
![]() | SUD23N06-31-BE3 | 0,9700 | ![]() | 5071 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SUD23 | MOSFET (óxido metálico) | TO-252AA | download | 1 (ilimitado) | 742-SUD23N06-31-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 60 V | 9,1A (Ta), 21,4A (Tc) | 4,5V, 10V | 31mOhm a 15A, 10V | 3 V a 250 µA | 17 nC @ 10 V | ±20V | 670 pF a 25 V | - | 5,7 W (Ta), 31,25 W (Tc) | |||||
![]() | SQJQ112E-T1_GE3 | 3.6600 | ![]() | 8398 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 8x8 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 8x8 | download | 1 (ilimitado) | 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 100V | 296A (Tc) | 10V | 2,53mOhm a 20A, 10V | 3,5 V a 250 µA | 272 nC @ 10 V | ±20V | 15945 pF a 25 V | - | 600W (Tc) | ||||||
![]() | SIE802DF-T1-E3 | 1.8574 | ![]() | 5701 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 10-PolarPAK® (L) | SIE802 | MOSFET (óxido metálico) | 10-PolarPAK® (L) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 60A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,9mOhm a 23,6A, 10V | 2,7 V a 250 µA | 160 nC @ 10 V | ±20V | 7.000 pF a 15 V | - | 5,2 W (Ta), 125 W (Tc) | |||||
![]() | SQJB60EP-T1_BE3 | 1.3100 | ![]() | 7339 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 duplo | SQJB60 | MOSFET (óxido metálico) | 48W (Tc) | PowerPAK® SO-8 Duplo Assimétrico | download | 1 (ilimitado) | 742-SQJB60EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canais N (duplo) | 60V | 30A (Tc) | 12mOhm @ 10A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 30nC @ 10V | 1600pF a 25V | - | |||||||
![]() | 2N5114JTXV02 | - | ![]() | 9281 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | Através do furo | TO-206AA, TO-18-3 Lata de metal | 2N5114 | TO-206AA (TO-18) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||
![]() | SISS94DN-T1-GE3 | 0,9100 | ![]() | 7062 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8S | SIS94 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 200 V | 5,4A (Ta), 19,5A (Tc) | 7,5V, 10V | 75mOhm @ 5,4A, 10V | 4 V a 250 µA | 21 nC @ 10 V | ±20V | 350 pF a 100 V | - | 5,1 W (Ta), 65,8 W (Tc) | |||||
![]() | IRF830PBF-BE3 | 1.5800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRF830 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | 742-IRF830PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 500 V | 4,5A (Tc) | 10V | 1,5 Ohm a 2,7 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 610 pF a 25 V | - | 74W (Tc) | |||||
![]() | SQJ409EP-T1_BE3 | 1.4900 | ![]() | 1565 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | 1 (ilimitado) | 742-SQJ409EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 60A (Tc) | 4,5V, 10V | 7mOhm @ 10A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 260 nC @ 10 V | ±20V | 11.000 pF a 25 V | - | 68W (Tc) | ||||||
![]() | SI2333DS-T1-E3 | 0,8600 | ![]() | 78 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2333 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23-3 (TO-236) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12V | 4.1A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 32mOhm @ 5,3A, 4,5V | 1V @ 250µA | 18 nC @ 4,5 V | ±8V | 1100 pF a 6 V | - | 750 mW (Ta) | ||||
![]() | SQA444CEJW-T1_GE3 | 0,4800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície, flanco molhável | PowerPAK® SC-70-6 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK®SC-70W-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 60 V | 9A (Tc) | 4,5V, 10V | 39mOhm @ 4,5A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 9 nC @ 10 V | ±20V | 530 pF a 25 V | - | 13,6W (Tc) | ||||||
![]() | SIHFL110TR-GE3 | 0,6300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | SIHFL110 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-223 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 100V | 1,5A (Tc) | 10V | 540mOhm @ 900mA, 10V | 4 V a 250 µA | 8,3 nC a 10 V | ±20V | 180 pF a 25 V | - | 2W (Ta), 3,1W (Tc) | |||||
![]() | SI7218DN-T1-GE3 | - | ![]() | 3490 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 Duplo | SI7218 | MOSFET (óxido metálico) | 23W | PowerPAK® 1212-8 Duplo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canais N (duplo) | 30V | 24A | 25mOhm @ 8A, 10V | 3 V a 250 µA | 17nC @ 10V | 700pF a 15V | - | |||||||
![]() | SQJ740EP-T1_GE3 | 1.9200 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 duplo | MOSFET (óxido metálico) | 93W (Tc) | PowerPAK® SO-8L BWL duplo | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 3.000 | 2 canaisN | 40V | 123A (Tc) | 3,4mOhm a 7A, 10V | 3,5 V a 250 µA | 56nC @ 10V | 3143pF a 25V | padrão | ||||||||||
![]() | SIHB22N65E-GE3 | 2.5431 | ![]() | 5246 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SIHB22 | MOSFET (óxido metálico) | D²PAK (TO-263) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 650 V | 22A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 11A, 10V | 4 V a 250 µA | 110 nC @ 10 V | ±30V | 2,415 pF a 100 V | - | 227W (Tc) | |||||
![]() | SIDR668DP-T1-RE3 | 2.9700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8DC | download | 1 (ilimitado) | 742-SIDR668DP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 100V | 23,2A (Ta), 95A (Tc) | 7,5V, 10V | 4,8mOhm a 20A, 10V | 3,4 V a 250 µA | 108 nC @ 10 V | ±20V | 5400 pF a 50 V | - | 6,25 W (Ta), 125 W (Tc) | ||||||
| SQJ963EP-T1_GE3 | 1.8600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TA) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 duplo | SQJ963 | MOSFET (óxido metálico) | 27W (Tc) | PowerPAK® SO-8 duplo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canais P (duplo) | 60V | 8A (Tc) | 85mOhm @ 3,5A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 40nC @ 10V | 1140pF a 30V | - | ||||||||
![]() | SQSA84CENW-T1_GE3 | 0,6300 | ![]() | 1262 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8W | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8W | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 80 V | 16A (Ta) | 4,5V, 10V | 32mOhm @ 3,5A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 22 nC @ 10 V | ±20V | 1050 pF a 25 V | - | 27W (Tc) | ||||||
![]() | SQD40030E_GE3 | 0,7297 | ![]() | 2938 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SQD40030 | MOSFET (óxido metálico) | TO-252AA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 40 V | 100A (Tc) | 10V | - | - | 65 nC @ 10 V | - | - | - | ||||||
![]() | SIHP11N80E-BE3 | 3.5300 | ![]() | 916 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 800V | 12A (Tc) | 10V | 440mOhm @ 5,5A, 10V | 4 V a 250 µA | 88 nC @ 10 V | ±30V | 1670 pF a 100 V | - | 179W (Tc) | |||||||
![]() | SIDR104ADP-T1-RE3 | 2.5600 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SIDR104 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8DC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 100V | 18,8A (Ta), 81A (Tc) | 7,5V, 10V | 6,1mOhm a 15A, 10V | 4 V a 250 µA | 70 nC @ 10 V | ±20V | 3250 pF a 50 V | - | 5,4 W (Ta), 100 W (Tc) | |||||
![]() | SIA477EDJT-T1-GE3 | 0,4800 | ![]() | 7823 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração III | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SC-70-6 | SIA477 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SC-70-6 Único | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12V | 12A (Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 13mOhm @ 5A, 4,5V | 1V @ 250µA | 50 nC @ 4,5 V | ±8V | 3050 pF a 6 V | - | 19W (Tc) | |||||
![]() | SIHF9620S-GE3 | 1.0500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D²PAK (TO-263) | download | 1 (ilimitado) | 742-SIHF9620S-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P | 200 V | 3,5A (Tc) | 10V | 1,5 Ohm @ 1,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 22 nC @ 10 V | ±20V | 350 pF a 25 V | - | 40W (Tc) |

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