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Transistores (5716)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHL630STRL-GE3 | 0,7501 |  | 7576 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHL630 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 v | 9a (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V A 250µA | 40 nc @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
| SIHF9520S-GE3 | 1.0900 | | 3888 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHF9520 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P. | 100 v | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||
| SIHF9630STRL-GE3 | 0,7621 | | 9663 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHF9630 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P. | 200 v | 6.5a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V A 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) | |||||
 | SI2393DS-T1-GE3 | 0,5000 | | 8975 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2393 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 742-SI2393DS-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 6.1a (ta), 7.5a (tc) | 4.5V, 10V | 22.7mohm @ 5a, 10V | 2.2V A 250µA | 25,2 nc @ 10 V | +16V, -20V | 980 pf @ 15 V | - | 1.3W (TA), 2,5W (TC) | |||
 | SIAA02DJ-T1-GE3 | 0,6000 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SC-70-6 | SIAA02 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SC-70-6 | download | 1 (ilimito) | 742-SIAA02DJ-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 22a (ta), 52a (tc) | 2.5V, 10V | 4.7mohm @ 8a, 10V | 1.6V a 250µA | 33 nc @ 10 V | +12V, -8V | 1250 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SQD40N06-14L_T4GE3 | 0,6209 | | 3822 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SQD40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SQD40N06-14L_T4GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2105 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||
 | SIHFR9024TR-GE3 | 0,8800 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SIHFR9024 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal P. | 60 v | 8.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.3a, 10V | 4V A 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SQJ418EP-T2_GE3 | 0,4560 | | 5155 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SQJ418 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SQJ418EP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 48a (TC) | 10V | 14mohm @ 10a, 10V | 3,5V a 250µA | 35 nc @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||
| SIHFR9014-GE3 | 0,2527 | | 1723 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SIHFR9014 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIHFR9014-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 60 v | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V A 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
| SIHFR430ATRR-GE3 | 0,4263 | | 2810 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SIHFR430 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIHFR430ATRR-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 v | 5a (TC) | 10V | 1.7OHM @ 3A, 10V | 4.5V a 250µA | 24 nc @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||
| SIHD3N50DT5-GE3 | 0,3563 | | 2148 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SIHD3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIHD3N50DT5-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 v | 3a (TC) | 10V | 3.2OHM @ 1.5A, 10V | 5V A 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 30V | 175 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | ||||
| SIHD3N50DT1-GE3 | 0,3563 | | 8575 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SIHD3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIHD3N50DT1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 500 v | 3a (TC) | 10V | 3.2OHM @ 1.5A, 10V | 5V A 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 30V | 175 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | ||||
| SIHFZ48RS-GE3 | 1.0779 | | 7593 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Sihfz48 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIHFZ48RS-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10V | 4V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | ||||
| SQD50P04-09L_T4GE3 | 0,6985 | | 5834 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SQD50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SQD50P04-09L_T4GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 40 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 9.4mohm @ 17a, 10V | 2,5V a 250µA | 155 nc @ 10 V | ± 20V | 6675 pf @ 20 V | - | 136W (TC) | ||||
| SIHFR220TRL-GE3 | 0,7200 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SIHFR220 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 v | 4.8a (TC) | 10V | 800mohm @ 2.9a, 10V | 4V A 250µA | 14 nc @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| SQD50P03-07-T4_GE3 | 0,6985 | | 4339 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SQD50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SQD50P03-07-T4_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 30 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 146 NC @ 10 V | ± 20V | 5490 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||
| SQJ474EP-T2_GE3 | 0,3784 | | 4806 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SQJ474 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SQJ474EP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 26a (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 30 NC a 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||
| SQD25N15-52-T4_GE3 | 0,6985 | | 8022 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SQD25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SQD25N15-52-T4_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 150 v | 25a (TC) | 10V | 52mohm @ 15a, 10V | 4V A 250µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | ||||
| SIZF914DT-T1-GE3 | 0,7095 | | 9526 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Powerpair®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | SIZF914 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.4W (TA), 26,6W (TC), 4W (TA), 60W (TC) | 8-Powerpair® (6x5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIZF914DT-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 25V | 23.5a (ta), 40a (tc), 52a (ta), 60a (tc) | 3.8mohm @ 10a, 10v, 0,9mohm @ 10a, 10V | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA | 21NC @ 10V, 98NC @ 10V | 1050pf @ 10V, 4670pf @ 10V | - | ||||||
| SIHF540STRL-GE3 | 1.7622 | | 6432 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHF540 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIHF540STRL-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 v | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4V A 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SIZ240DT-T1-GE3 | 1.3100 | | 2831 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | SIZ240 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4.3W (TA), 33W (TC) | 8-Powerpair® (3.3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIZ240DT-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 17.2a (ta), 48a (tc), 16.9a (ta), 47a (tc) | 8.05mohm @ 10a, 10v, 8.41mohm @ 10a, 10V | 2.4V a 250µA | 23NC @ 10V, 22NC @ 10V | 1180pf @ 20V, 1070pf @ 20V | - | ||||||
 | SIHP052N60EF-GE3 | 6.9500 | | 266 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SIHP052 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 48a (TC) | 10V | 52mohm @ 23a, 10V | 5V A 250µA | 101 nc @ 10 V | ± 30V | 3380 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
 | SIZ980BDT-T1-GE3 | 1.6600 | | 16 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | SIZ980 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.8W (TA), 20W (TC), 5W (TA), 66W (TC) | 8-Powerpair® (6x5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIZ980BDT-T1-GE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Canal (Duplo), Schottky | 30V | 23.7a (ta), 54.8a (tc), 54.3a (ta), 197a (tc) | 4.39mohm @ 15a, 10v, 1.06mohm @ 19a, 10v | 2.2V A 250µA | 18NC @ 10V, 79NC @ 10V | 790pf @ 15V, 3655pf @ 15V | - | ||||||
 | Sidr668Adp-T1-Re3 | 2.4800 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sidr668 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8DC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIDR668ADP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 23.3a (ta), 104a (tc) | 7.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 81 nc @ 10 V | ± 20V | 3750 pf @ 50 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | ||||
 | Sihu6n80ae-ge3 | 1.4400 | | 9011 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | Sihu6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 800 v | 5a (TC) | 10V | 950mohm @ 2a, 10V | 4V A 250µA | 22,5 nc @ 10 V | ± 30V | 422 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | |||||
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