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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHB24N65EF-GE3 | 6.0100 |  | 6909 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SIHB24 | MOSFET (óxido metálico) | TO-263 (D²Pak) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 650 V | 24A (Tc) | 10V | 156mOhm @ 12A, 10V | 4 V a 250 µA | 122 nC @ 10 V | ±30V | 2774 pF a 100 V | - | 250W (Tc) | |||||
 | SIHA21N65EF-E3 | 2.4652 | | 4086 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | SIHA21 | MOSFET (óxido metálico) | Pacote Completo TO-220 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 650 V | 21A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 11A, 10V | 4 V a 250 µA | 106 nC @ 10 V | ±30V | 2322 pF a 100 V | - | 35W (Tc) | |||||
 | SIHG018N60E-GE3 | 17.2100 | | 288 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SIHG018 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal N | 600 V | 99A (Tc) | 10V | 23mOhm @ 25A, 10V | 5 V a 250 µA | 228 nC @ 10 V | ±30V | 7612 pF a 100 V | - | 524W (Tc) | |||||
 | SISS61DN-T1-GE3 | 0,9900 | | 1425 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração III | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8S | SISS61 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 30,9A (Ta), 111,9A (Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 3,5mOhm a 15A, 4,5V | 900mV a 250µA | 231 nC @ 10 V | ±8V | 8740 pF a 10 V | - | 5W (Ta), 65,8W (Tc) | |||||
 | SISH615ADN-T1-GE3 | 0,5900 | | 1613 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração III | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8SH | SISH615 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8SH | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 22,1A (Ta), 35A (Tc) | 2,5V, 10V | 4,4mOhm a 20A, 10V | 1,5 V a 250 µA | 183 nC @ 10 V | ±12V | 5590 pF a 10 V | - | 3,7 W (Ta), 52 W (Tc) | |||||
 | SQ3426AEEV-T1_BE3 | 0,7100 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | SQ3426 | MOSFET (óxido metálico) | 6-TSOP | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 60 V | 7A (Tc) | 4,5V, 10V | 42mOhm @ 5A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 14 nC @ 10 V | ±20V | 1100 pF a 30 V | - | 5W (Tc) | ||||||
 | SIHP22N60E-E3 | 2.1315 | | 5738 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | SIHP22 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | SIHP22N60EE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 600 V | 21A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 11A, 10V | 4 V a 250 µA | 86 nC @ 10 V | ±30V | 1920 pF a 100 V | - | 227W (Tc) | ||||
 | SQD40020EL_GE3 | 1.6500 | | 1060 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SQD40020 | MOSFET (óxido metálico) | TO-252AA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 40 V | 100A (Tc) | 4,5V, 10V | 2,2mOhm a 20A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 165 nC @ 20 V | ±20V | 8.800 pF a 25 V | - | 107W (Tc) | |||||
 | IRFBG30PBF | 2.5600 | | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRFBG30 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRFBG30PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 1000V | 3.1A (Tc) | 10V | 5Ohm @ 1,9A, 10V | 4 V a 250 µA | 80 nC @ 10 V | ±20V | 980 pF a 25 V | - | 125W (Tc) | ||||
 | SQJA46EP-T1_GE3 | 1.1500 | | 9232 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SQJA46 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 40 V | 60A (Tc) | 10V | 3mOhm @ 10A, 10V | 3,5 V a 250 µA | 105 nC @ 10 V | ±20V | 5000 pF a 25 V | - | 68W (Tc) | |||||
| IRL620 | - | | 6237 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRL620 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRL620 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 200 V | 5,2A (Tc) | 4V, 5V | 800mOhm a 3,1A, 5V | 2V @ 250µA | 16 nC @ 5 V | ±10V | 360 pF a 25 V | - | 50W (Tc) | |||
 | SIA907EDJ-T1-GE3 | - | | 9300 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | - | - | - | SIA907 | - | - | - | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||
 | SQS460EN-T1_GE3 | 1.2900 | | 8676 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 | SQS460 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 60 V | 8A (Tc) | 4,5V, 10V | 36mOhm @ 5,3A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 755 pF a 25 V | - | 39W (Tc) | |||||
| IRFP26N60LPBF | 10.0000 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | IRFP26 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRFP26N60LPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal N | 600 V | 26A (Tc) | 10V | 250mOhm a 16A, 10V | 5 V a 250 µA | 180 nC @ 10 V | ±30V | 5020 pF a 25 V | - | 470W (Tc) | ||||
| SIHU3N50DA-GE3 | 0,3532 | | 1524 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Longos, IPak, TO-251AB | SIHU3 | MOSFET (óxido metálico) | IPAK (TO-251) | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 500 V | 3A (Tc) | 10V | 3,2Ohm a 1,5A, 10V | 4,5 V a 250 µA | 12 nC @ 10 V | ±30V | 177 pF a 100 V | - | 69W (Tc) | ||||||
 | SIA437DJ-T1-GE3 | 0,6900 | | 2425 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SC-70-6 | SIA437 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SC-70-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 29,7A(Tc) | 1,5 V, 4,5 V | 14,5mOhm a 8A, 4,5V | 900mV a 250µA | 90 nC @ 8 V | ±8V | 2340 pF a 10 V | - | 3,5W (Ta), 19W (Tc) | |||||
 | SI4947ADY-T1-GE3 | - | | 6959 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4947 | MOSFET (óxido metálico) | 1,2 W | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canais P (duplo) | 30V | 3A | 80mOhm a 3,9A, 10V | 1V @ 250µA (mín.) | 8nC @ 5V | - | Portão de nível lógico | ||||||
 | SQS460ENW-T1_GE3 | 0,8900 | | 5409 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8W | SQS460 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8W | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 60 V | 8A (Tc) | 4,5V, 10V | 36mOhm @ 5,3A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 755 pF a 25 V | - | 39W (Tc) | |||||
| IRFP9140 | - | | 6074 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | IRFP9140 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRFP9140 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal P | 100V | 21A (Tc) | 10V | 200mOhm @ 13A, 10V | 4 V a 250 µA | 61 nC @ 10 V | ±20V | 1400 pF a 25 V | - | 180W (Tc) | |||
 | SI8806DB-T2-E1 | 0,4600 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-XFBGA | SI8806 | MOSFET (óxido metálico) | 4-Micropé | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 12V | 2,8A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 43mOhm @ 1A, 4,5V | 1V @ 250µA | 17 nC @ 8 V | ±8V | - | 500mW (Ta) | |||||
| SI3443DDV-T1-GE3 | 0,4300 | | 6970 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | SI3443 | MOSFET (óxido metálico) | 6-TSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4A (Ta), 5,3A (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 47mOhm @ 4,5A, 4,5V | 1,5 V a 250 µA | 30 nC @ 8 V | ±12V | 970 pF a 10 V | - | 1,7 W (Ta), 2,7 W (Tc) | |||||
| SIA441DJ-T1-GE3 | 0,6900 | | 103 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SC-70-6 | SIA441 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SC-70-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 12A (Tc) | 4,5V, 10V | 47mOhm @ 4,4A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 890 pF a 20 V | - | 19W (Tc) | |||||
| SIHG25N40D-E3 | 3.7000 | | 500 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SIHG25 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | SIHG25N40DE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 400 V | 25A (Tc) | 10V | 170mOhm @ 13A, 10V | 5 V a 250 µA | 88 nC @ 10 V | ±30V | 1707 pF a 100 V | - | 278W (Tc) | ||||
| SI7119DN-T1-GE3 | 1.0000 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 | SI7119 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 200 V | 3,8A (Tc) | 6V, 10V | 1,05Ohm por 1A, 10V | 4 V a 250 µA | 25 nC @ 10 V | ±20V | 666 pF a 50 V | - | 3,7 W (Ta), 52 W (Tc) | |||||
| SI4436DY-T1-E3 | 0,9400 | | 29 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4436 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 60 V | 8A (Tc) | 4,5V, 10V | 36mOhm @ 4,6A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 1100 pF a 30 V | - | 2,5W (Ta), 5W (Tc) | |||||
 | IRF644L | - | | 4905 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | IRF644 | MOSFET (óxido metálico) | I2PAK | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRF644L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 250 V | 14A (Tc) | 10V | 280mOhm @ 8,4A, 10V | 4 V a 250 µA | 68 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF a 25 V | - | - | |||
 | SQJ488EP-T1_GE3 | 1.5800 | | 4062 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SQJ488 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 100V | 42A (Tc) | 4,5V, 10V | 21mOhm @ 7,4A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 27 nC @ 10 V | ±20V | 979 pF a 25 V | - | 83W (Tc) | |||||
 | IRFU014PBF | 1.3900 | | 34 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | IRFU014 | MOSFET (óxido metálico) | TO-251AA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRFU014PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal N | 60 V | 7,7A (Tc) | 10V | 200mOhm @ 4,6A, 10V | 4 V a 250 µA | 11 nC @ 10 V | ±20V | 300 pF a 25 V | - | 2,5W (Ta), 25W (Tc) | ||||
| IRF830BPBF | 1.1200 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRF830 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 500 V | 5,3A (Tc) | 10V | 1,5 Ohm a 2,5 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 20 nC @ 10 V | ±30V | 325 pF a 100 V | - | 104W (Tc) | |||||
| IRF9620L | - | | 6745 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | IRF9620 | MOSFET (óxido metálico) | I2PAK | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | *IRF9620L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 200 V | 3,5A (Tc) | 10V | 1,5 Ohm @ 1,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 22 nC @ 10 V | ±20V | 350 pF a 25 V | - | - |
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