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Transistores (5716)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQP90142E_GE3 | - |  | 4880 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SQP90142 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 78.5a (TC) | 10V | 15.3mohm @ 20a, 10V | 3,5V a 250µA | 85 nc @ 10 V | ± 20V | 4200 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||
 | IRFP26N60LPBF | 10.0000 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IRFP26 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRFP26N60LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 v | 26a (TC) | 10V | 250mohm @ 16a, 10V | 5V A 250µA | 180 nc @ 10 V | ± 30V | 5020 pf @ 25 V | - | 470W (TC) | ||||
 | SI7431DP-T1-E3 | 4.0900 | | 6994 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SI7431 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 200 v | 2.2a (ta) | 6V, 10V | 174mohm @ 3.8a, 10V | 4V A 250µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | SUP90N06-6M0P-E3 | 3.1400 | | 500 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Sup90 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 90A (TC) | 10V | 6mohm @ 20a, 10V | 4.5V a 250µA | 120 nc @ 10 V | ± 20V | 4700 pf @ 30 V | - | 3.75W (TA), 272W (TC) | |||||
 | IRF610STRLPBF | 1.7300 | | 677 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF610 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 v | 3.3a (TC) | 10V | 1.5OHM @ 2A, 10V | 4V A 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 36W (TC) | |||||
 | SIS476DN-T1-GE3 | 1.1800 | | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 | SIS476 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 15a, 10V | 2.3V A 250µA | 77 nc @ 10 V | +20V, -16V | 3595 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
| IRF840LCPBF | 2.2000 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF840 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRF840LCPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 v | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V A 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
| IRF740BPBF | 1.4900 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF740 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 v | 10a (TC) | 10V | 600MOHM @ 5A, 10V | 5V A 250µA | 30 NC a 10 V | ± 30V | 526 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||
 | IRLIZ44GPBF | 2.8600 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRLIZ44 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRLIZ44GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 30a (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 18a, 5V | 2V A 250µA | 66 nc @ 5 V | ± 10V | 3300 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||
 | IRLZ24LPBF | 1.6400 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IRLZ24 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-262-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRLZ24LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 60 v | 17a (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 10a, 5V | 2V A 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
 | IRFD310PBF | 1.6300 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD310 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-HVMDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 400 v | 350mA (TA) | 10V | 3.6ohm @ 210mA, 10V | 4V A 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | |||||
| IRFB9N60APBF | 3.0800 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRFB9N60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRFB9N60APBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 9.2a (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V A 250µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||
 | SUM90330E-GE3 | 1.7200 | | 9823 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SUM90330 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 v | 35.1a (TC) | 7.5V, 10V | 37.5mohm @ 12.2a, 10V | 4V A 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1172 pf @ 100 V | - | 125W (TC) | |||||
 | SQJ401EP-T2_GE3 | 0,9356 | | 3922 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SQJ401 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SQJ401EP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 12 v | 32a (TC) | 2.5V, 4.5V | 6mohm @ 15a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 164 NC @ 4,5 V | ± 8V | 10015 pf @ 6 V | - | 83W (TC) | ||||
 | SIHFU310-GE3 | 0,6900 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251AA | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 400 v | 1.7a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1a, 10V | 4V A 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||
| IRFD420PBF | 1.8600 | | 8782 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD420 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-HVMDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRFD420PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 500 v | 370mA (TA) | 10V | 3ohm @ 220mA, 10V | 4V A 250µA | 24 nc @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||
| IRFD9110 | - | | 9745 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-HVMDIP | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFD9110 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 100 v | 700mA (TA) | 10V | 1.2OHM @ 420MA, 10V | 4V A 250µA | 8,7 nc @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | |||
| IRF9Z10 | - | | 4700 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF9 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | *IRF9Z10 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P. | 60 v | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4V A 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||
| IRF740SPBF | 2.8000 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF740 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRF740SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 v | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 63 nc @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| SI5481DU-T1-GE3 | - | | 9846 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Single PowerPak® Chipfet ™ | SI5481 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Single PowerPak® Chipfet ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 12a (TC) | 1.8V, 4.5V | 22mohm @ 6.5a, 4.5V | 1V a 250µA | 50 nc @ 8 V | ± 8V | 1610 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 17,8W (TC) | ||||
| IRFBE30PBF | 2.2500 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRFBE30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *Irfbe30pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 v | 4.1a (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10V | 4V A 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SISH434DN-T1-GE3 | 1.1700 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Powerpak® 1212-8sh | Sish434 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Powerpak® 1212-8sh | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 17.6a (ta), 35a (tc) | 4.5V, 10V | 7.6mohm @ 16.2a, 10V | 2.2V A 250µA | 40 nc @ 10 V | ± 20V | 1530 PF @ 20 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
| IRF620S | - | | 6739 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF620 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF620S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 v | 5.2a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 4V A 250µA | 14 nc @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 50W (TC) | |||
| IRFD9014PBF | 1.3900 | | 9 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9014 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-HVMDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRFD9014PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 60 v | 1.1a (ta) | 10V | 500mohm @ 660mA, 10V | 4V A 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||
 | SI9933BDY-T1-E3 | - | | 3154 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI9933 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 3.6a | 60mohm @ 4.7a, 4.5V | 1.4V A 250µA | 9NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
| SUP57N20-33-E3 | 4.6700 | | 45 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SUP57 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | SUP57N2033E3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 v | 57a (TC) | 10V | 33mohm @ 30a, 10V | 4V A 250µA | 130 nc @ 10 V | ± 20V | 5100 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 300W (TC) | ||||
| SI7322DN-T1-GE3 | 1.7200 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 | SI7322 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 18a (TC) | 10V | 58mohm @ 5.5a, 10V | 4.4V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 750 pf @ 50 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
| IRFI624G | - | | 8475 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFI624 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFI624G | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 v | 3.4a (TC) | 10V | 1.1OHM @ 2A, 10V | 4V A 250µA | 14 nc @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||
| SI7820DN-T1-E3 | 1.5500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 | SI7820 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 v | 1.7a (ta) | 6V, 10V | 240mohm @ 2.6a, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | SIHD7N60E-GE3 | 2.0100 | | 165 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Sihd7 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | SIHD7N60EGE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 v | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V A 250µA | 40 nc @ 10 V | ± 30V | 680 pf @ 100 V | - | 78W (TC) |
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