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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUM70030E-GE3 | 3.6700 |  | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SOMA70030 | MOSFET (óxido metálico) | TO-263 (D²Pak) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal N | 100V | 150A (Tc) | 7,5V, 10V | 2,88mOhm a 30A, 10V | 4 V a 250 µA | 214 nC @ 10 V | ±20V | 10870 pF a 50 V | - | 375W (Tc) | |||||
 | IRFZ40PBF | 2.7800 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRFZ40 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRFZ40PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 60 V | 50A (Tc) | 10V | 28mOhm a 31A, 10V | 4 V a 250 µA | 67 nC @ 10 V | ±20V | 1900 pF a 25 V | - | 150W (Tc) | ||||
 | SQS140ENW-T1_GE3 | 1.3000 | | 9264 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície, flanco molhável | PowerPAK® 1212-8SLW | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8SLW | download | 1 (ilimitado) | 742-SQS140ENW-T1_GE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 40 V | 214A (Tc) | 10V | 2,53mOhm a 10A, 10V | 3,5 V a 250 µA | 57 nC @ 10 V | ±20V | 3111 pF a 25 V | - | 197W (Tc) | ||||||
 | SI4814BDY-T1-E3 | - | | 2310 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | PEQUENO PÉ® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4814 | MOSFET (óxido metálico) | 3,3 W, 3,5 W | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canais N (meia ponte) | 30V | 10A, 10,5A | 18mOhm @ 10A, 10V | 3 V a 250 µA | 10nC a 4,5V | - | Portão de nível lógico | ||||||
 | SIHK185N60E-T1-GE3 | 4.4200 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerBSFN | SIHK185 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK®10 x 12 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 600V | 19A (Tc) | 10V | 185mOhm @ 9,5A, 10V | 5 V a 250 µA | 33 nC @ 10 V | ±30V | 1085 pF a 100 V | - | 114W (Tc) | |||||
 | SQS180ELNW-T1_GE3 | 1.1200 | | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® GenIV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície, flanco molhável | PowerPAK® 1212-8SLW | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8SLW | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 3.000 | Canal N | 80 V | 82A (Tc) | 4,5V, 10V | 7,1mOhm a 10A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 68 nC @ 10 V | ±20V | 3689 pF a 25 V | - | 119W (Tc) | ||||||||
 | IRFB9N60APBF-BE3 | 3.0800 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRFB9 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | 742-IRFB9N60APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 600V | 9,2A (Tc) | 750mOhm a 5,5A, 10V | 4 V a 250 µA | 49 nC @ 10 V | ±30V | 1400 pF a 25 V | - | 170W (Tc) | ||||||
 | 2N6660JTXV02 | - | | 1075 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 2N6660 | MOSFET (óxido metálico) | TO-205AD (TO-39) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | Canal N | 60 V | 990mA (Tc) | 5V, 10V | 3Ohm @ 1A, 10V | 2V @ 1mA | ±20V | 50 pF a 25 V | - | 725mW (Ta), 6,25W (Tc) | |||||
 | IRFZ34STRLPBF | 1.4682 | | 4607 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | IRFZ34 | MOSFET (óxido metálico) | D²PAK (TO-263) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal N | 60 V | 30A (Tc) | 10V | 50mOhm a 18A, 10V | 4 V a 250 µA | 46 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF a 25 V | - | 3,7 W (Ta), 88 W (Tc) | |||||
 | SIHH24N65E-T1-GE3 | 6.4800 | | 821 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | SIHH24 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 8x8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 650 V | 23A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 12A, 10V | 4 V a 250 µA | 116 nC @ 10 V | ±30V | 2814 pF a 100 V | - | 202W (Tc) | |||||
 | IRFL9014TR | - | | 7049 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | IRFL9014 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-223 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 1,8A (Tc) | 10V | 500mOhm @ 1,1A, 10V | 4 V a 250 µA | 12 nC @ 10 V | ±20V | 270 pF a 25 V | - | 2W (Ta), 3,1W (Tc) | ||||
 | SI2303BDS-T1 | - | | 6326 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2303 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23-3 (TO-236) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1,49A (Ta) | 4,5V, 10V | 200mOhm @ 1,7A, 10V | 3 V a 250 µA | 10 nC @ 10 V | ±20V | 180 pF a 15 V | - | 700mW (Ta) | ||||
 | SQM120N04-1M7L_GE3 | 3.4300 | | 3976 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SQM120 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-263 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal N | 40 V | 120A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,7mOhm a 30A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 285 nC @ 10 V | ±20V | 14606 pF a 20 V | - | 375W (Tc) | |||||
 | SIHG33N65E-GE3 | 4.4659 | | 3198 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SIHG33 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 650 V | 32,4A (Tc) | 10V | 105mOhm @ 16,5A, 10V | 4 V a 250 µA | 173 nC @ 10 V | ±30V | 4040 pF a 100 V | - | 313W (Tc) | |||||
| IRFZ44PBF-BE3 | 2.0400 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRFZ44 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | 742-IRFZ44PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 60 V | 50A (Tc) | 28mOhm a 31A, 10V | 4 V a 250 µA | 67 nC @ 10 V | ±20V | 1900 pF a 25 V | - | 150W (Tc) | ||||||
| SQJ910AEP-T2_GE3 | 0,5433 | | 7378 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 duplo | SQJ910 | MOSFET (óxido metálico) | 48W (Tc) | PowerPAK® SO-8 duplo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 742-SQJ910AEP-T2_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canais N (duplo) | 30V | 30A (Tc) | 7mOhm @ 12A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 39nC @ 10V | 1869pF a 15V | - | ||||||
 | SI7431DP-T1-E3 | 4.0900 | | 6994 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SI7431 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 200 V | 2,2A (Ta) | 6V, 10V | 174mOhm @ 3,8A, 10V | 4 V a 250 µA | 135 nC @ 10 V | ±20V | - | 1,9W (Ta) | ||||||
| SUM90P10-19-E3 | - | | 9815 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SOMA90 | MOSFET (óxido metálico) | TO-263 (D²Pak) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 100V | 90A (Tc) | 10V | 19mOhm a 20A, 10V | 4,5 V a 250 µA | 330 nC @ 10 V | ±20V | 12.000 pF a 50 V | - | 13,6 W (Ta), 375 W (Tc) | ||||
| SI2337DS-T1-E3 | 1.0100 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2337 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23-3 (TO-236) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 80 V | 2,2A (Tc) | 6V, 10V | 270mOhm @ 1,2A, 10V | 4 V a 250 µA | 17 nC @ 10 V | ±20V | 500 pF a 40 V | - | 760mW (Ta), 2,5W (Tc) | ||||
| SI4204DY-T1-GE3 | 1.8900 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4204 | MOSFET (óxido metálico) | 3,25W | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canais N (duplo) | 20V | 19,8A | 4,6mOhm a 10A, 10V | 2,4 V a 250 µA | 45nC @ 10V | 2110pF a 10V | - | |||||||
 | IRL520L | - | | 7430 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | IRL520 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262-3 | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRL520L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 100V | 9,2A (Tc) | 4V, 5V | 270mOhm @ 5,5A, 5V | 2V @ 250µA | 12 nC @ 5 V | ±10V | 490 pF a 25 V | - | 60W (Tc) | |||
 | SI7655DN-T1-GE3 | 1.6400 | | 24 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8S | SI7655 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 40A (Tc) | 2,5V, 10V | 3,6mOhm a 20A, 10V | 1,1 V a 250 µA | 225 nC @ 10 V | ±12V | 6600 pF a 10 V | - | 4,8 W (Ta), 57 W (Tc) | |||||
 | IRLD120 | - | | 5157 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | IRLD120 | MOSFET (óxido metálico) | 4-HVMDIP | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRLD120 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 100V | 1,3A (Ta) | 4V, 5V | 270mOhm @ 780mA, 5V | 2V @ 250µA | 12 nC @ 5 V | ±10V | 490 pF a 25 V | - | 1,3 W (Ta) | |||
 | SI7900AEDN-T1-GE3 | 0,4998 | | 2939 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 Duplo | SI7900 | MOSFET (óxido metálico) | 1,5W | PowerPAK® 1212-8 Duplo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Dreno comum de 2 canais N (duplo) | 20V | 6A | 26mOhm a 8,5A, 4,5V | 900mV a 250µA | 16nC a 4,5V | - | Portão de nível lógico | |||||||
| SQ2325ES-T1_GE3 | 0,6900 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TA) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2325 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23-3 (TO-236) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 840mA (Tc) | 10V | 1,77 Ohm a 500 mA, 10 V | 3,5 V a 250 µA | 10 nC @ 10 V | ±20V | 250 pF a 50 V | - | 3W (Tc) | |||||
 | SI1303DL-T1-GE3 | - | | 1080 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-70, SOT-323 | SI1303 | MOSFET (óxido metálico) | SC-70-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 670mA (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 430mOhm @ 1A, 4,5V | 1,4 V a 250 µA | 2,2 nC a 4,5 V | ±12V | - | 290 mW (Ta) | |||||
| SI4684DY-T1-GE3 | - | | 8482 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4684 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 30 V | 16A (Tc) | 4,5V, 10V | 9,4mOhm a 16A, 10V | 1,5 V a 250 µA | 45 nC @ 10 V | ±12V | 2080 pF a 15 V | - | 2,5 W (Ta), 4,45 W (Tc) | ||||
| SQ4840EY-T1_BE3 | 3.3100 | | 5093 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Última compra | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SQ4840 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 40 V | 20,7A(Tc) | 4,5V, 10V | 9mOhm @ 14A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 62 nC @ 10 V | ±20V | 2.440 pF a 20 V | - | 7,1W (Tc) | ||||||
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 | SI5441DC-T1-GE3 | - | | 2909 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SMD, cabo plano | SI5441 | MOSFET (óxido metálico) | 1206-8 ChipFET™ | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3,9A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 55mOhm a 3,9A, 4,5V | 1,4 V a 250 µA | 22 nC @ 4,5 V | ±12V | - | 1,3 W (Ta) |
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