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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - Quebra (V(BR)GSS) | Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id | Resistência - RDS (ligado) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJ443EP-T1_BE3 | 1.4100 |  | 4778 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | 1 (ilimitado) | 742-SQJ443EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 40A (Tc) | 4,5V, 10V | 29mOhm @ 18A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 57 nC @ 10 V | ±20V | 2030 pF a 20 V | - | 83W (Tc) | ||||||||||
 | SIHB20N50E-GE3 | 3.2800 | | 6792 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SIHB20 | MOSFET (óxido metálico) | D²PAK (TO-263) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 500 V | 19A (Tc) | 10V | 184mOhm @ 10A, 10V | 4 V a 250 µA | 92 nC @ 10 V | ±30V | 1640 pF a 100 V | - | 179W (Tc) | |||||||||
 | SIHK185N60EF-T1GE3 | 4.6000 | | 9129 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | FE | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerBSFN | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK®10x12 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 742-SIHK185N60EF-T1GE3DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 600 V | 16A (Tc) | 10V | 193mOhm @ 9,5A, 10V | 5 V a 250 µA | 32 nC @ 10 V | ±30V | 1081 pF a 100 V | - | 114W (Tc) | |||||||||
 | SI3993CDV-T1-GE3 | 0,5100 | | 9869 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | SI3993 | MOSFET (óxido metálico) | 1,4W | 6-TSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canais P (duplo) | 30V | 2.9A | 111mOhm @ 2,5A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 8nC @ 10V | 210pF a 15V | - | |||||||||||
 | IRLL1905TR | - | | 7411 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | IRLL1905 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-223 | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 55 V | 1,6A (Ta) | - | - | - | - | |||||||||||||
 | SI4485DY-T1-GE3 | 0,6300 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4485 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 6A (Tc) | 4,5V, 10V | 42mOhm @ 5,9A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 21 nC @ 10 V | ±20V | 590 pF a 15 V | - | 2,4 W (Ta), 5 W (Tc) | |||||||||
| SQ4425EY-T1_BE3 | 1.9300 | | 639 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SQ4425 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | 1 (ilimitado) | 742-SQ4425EY-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 18A (Tc) | 4,5V, 10V | 12mOhm @ 13A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 50 nC @ 4,5 V | ±20V | 3630 pF a 25 V | - | 6,8W (Tc) | |||||||||
 | SQD45P03-12-T4_GE3 | 0,6597 | | 7337 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SQD45 | MOSFET (óxido metálico) | TO-252AA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 742-SQD45P03-12-T4_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 50A (Tc) | 4,5V, 10V | 10mOhm @ 15A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 83 nC @ 10 V | ±20V | 3495 pF a 15 V | - | 71W (Tc) | ||||||||
 | SISS04DN-T1-GE3 | 1.5400 | | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8S | SISS04 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 50,5A (Ta), 80A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,2mOhm a 15A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 93 nC @ 10 V | +16V, -12V | 4460 pF a 15 V | - | 5W (Ta), 65,7W (Tc) | |||||||||
 | SI1305EDL-T1-E3 | - | | 3699 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-70, SOT-323 | SI1305 | MOSFET (óxido metálico) | SC-70-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 8V | 860mA (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 280mOhm @ 1A, 4,5V | 450mV @ 250µA (mín.) | 4 nC @ 4,5 V | ±8V | - | 290 mW (Ta) | |||||||||
 | SIJH800E-T1-GE3 | 4.8400 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 8x8 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 8x8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 80 V | 29A (Ta), 299A (Tc) | 7,5V, 10V | 1,55mOhm a 20A, 10V | 4 V a 250 µA | 210 nC @ 10 V | ±20V | 10230 pF a 40 V | - | 3,3 W (Ta), 333 W (Tc) | ||||||||||
 | SISH107DN-T1-GE3 | 0,7700 | | 8555 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8SH | SISH107 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8SH | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 12,6A (Ta), 34,4A (Tc) | 4,5V, 10V | 4,8mOhm a 35A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 41 nC @ 10 V | ±20V | 1400 pF a 15 V | - | 3,57 W (Ta), 26,5 W (Tc) | ||||||||||
| SISS30DN-T1-GE3 | 1.1400 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8S | ISS30 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 80 V | 15,9A (Ta), 54,7A (Tc) | 7,5V, 10V | 8,25mOhm a 10A, 10V | 3,8 V a 250 µA | 40 nC @ 10 V | ±20V | 1666 pF a 10 V | - | 4,8 W (Ta), 57 W (Tc) | |||||||||
 | SQS423EN-T1_BE3 | 0,9400 | | 9771 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 | SQS423 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8 | - | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 16A (Tc) | 4,5V, 10V | 21mOhm @ 12A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 26 nC @ 4,5 V | ±20V | 1975 pF @ 15 V | - | 62,5W (Tc) | |||||||||||
 | SQ1539EH-T1_GE3 | 0,7600 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SC-70-6 Duplo | SQ1539 | MOSFET (óxido metálico) | 1,5W | PowerPAK® SC-70-6 Duplo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N e P | 30V | 850mA (Tc) | 280mOhm a 1A, 10V, 940mOhm a 500mA, 10V | 2,6 V a 250 µA | 1,4nC a 4,5V, 1,6nC a 4,5V | 48pF a 15V, 50pF a 15V | - | |||||||||||
 | IRFP344PBF | - | | 8743 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | IRFP344 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRFP344PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 450 V | 9,5A (Tc) | 10V | 630mOhm @ 5,7A, 10V | 4 V a 250 µA | 80 nC @ 10 V | ±20V | 1400 pF a 25 V | - | 150W (Tc) | |||||||
| SI4804CDY-T1-E3 | - | | 3564 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4804 | MOSFET (óxido metálico) | 3,1W | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canais N (duplo) | 30V | 8A | 22mOhm a 7,5A, 10V | 2,4 V a 250 µA | 23nC @ 10V | 865pF a 15V | - | |||||||||||
| 2N4392-2 | - | | 8641 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Volume | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-206AA, TO-18-3 Lata de metal | 2N4392 | 1,8W | TO-206AA (TO-18) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | Canal N | 14pF a 20V | 40 V | 25 mA a 20 V | 2 V @ 1 nA | 60 Ohms | |||||||||||||
 | SI1403BDL-T1-BE3 | 0,5300 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1403 | MOSFET (óxido metálico) | SC-70-6 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1,4A (Ta) | 150mOhm a 1,5A, 4,5V | 1,3 V a 250 µA | 4,5 nC @ 4,5 V | ±12V | - | 568 mW (Ta) | |||||||||||
 | IRFZ34L | - | | 7988 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | IRFZ34 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262-3 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRFZ34L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 60 V | 30A (Tc) | 10V | 50mOhm a 18A, 10V | 4 V a 250 µA | 46 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF a 25 V | - | 3,7 W (Ta), 88 W (Tc) | |||||||
 | IRLR014PBF | 1.0500 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IRLR014 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal N | 60 V | 7,7A (Tc) | 4V, 5V | 200mOhm @ 4,6A, 5V | 2V @ 250µA | 8,4 nC a 5 V | ±10V | 400 pF a 25 V | - | 2,5W (Ta), 25W (Tc) | |||||||||
| IRFS11N50A | - | | 2267 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | IRFS11 | MOSFET (óxido metálico) | D²PAK (TO-263) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRFS11N50A | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal N | 500 V | 11A (Tc) | 10V | 520mOhm @ 6,6A, 10V | 4 V a 250 µA | 52 nC @ 10 V | ±30V | 1423 pF a 25 V | - | 170W (Tc) | |||||||
 | SI7439DP-T1-E3 | 3.9800 | | 2592 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SI7439 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 3A (Ta) | 6V, 10V | 90mOhm @ 5,2A, 10V | 4 V a 250 µA | 135 nC @ 10 V | ±20V | - | 1,9W (Ta) | ||||||||||
| SIR418DP-T1-GE3 | 1.3500 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SIR418 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 40 V | 40A (Tc) | 4,5V, 10V | 5mOhm @ 20A, 10V | 2,4 V a 250 µA | 75 nC @ 10 V | ±20V | 2.410 pF a 20 V | - | 39W (Tc) | |||||||||
 | SQ3989EV-T1_BE3 | 0,6000 | | 8623 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | SQ3989 | MOSFET (óxido metálico) | 1,67W (Tc) | 6-TSOP | download | 1 (ilimitado) | 742-SQ3989EV-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canais P (duplo) | 30V | 2,5A (Tc) | 155mOhm @ 400mA, 10V | 1,5 V a 250 µA | 11,1nC a 10V | - | - | |||||||||||
| SQJ415EP-T1_BE3 | 1.0000 | | 1990 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | 1 (ilimitado) | 742-SQJ415EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 30A (Tc) | 4,5V, 10V | 14mOhm @ 10A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 95 nC @ 10 V | ±20V | 6000 pF a 25 V | - | 45W (Tc) | ||||||||||
| IRFL214TRPBF | 1.4000 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | IRFL214 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-223 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 250 V | 790mA (Tc) | 10V | 2Ohm a 470mA, 10V | 4 V a 250 µA | 8,2 nC a 10 V | ±20V | 140 pF a 25 V | - | 2W (Ta), 3,1W (Tc) | |||||||||
| SI3424BDV-T1-GE3 | 0,6200 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | SI3424 | MOSFET (óxido metálico) | 6-TSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 8A (Tc) | 4,5V, 10V | 28mOhm @ 7A, 10V | 3 V a 250 µA | 19,6 nC a 10 V | ±20V | 735 pF a 15 V | - | 2,1 W (Ta), 2,98 W (Tc) | |||||||||
| SISH129DN-T1-GE3 | 0,9300 | | 5287 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8SH | SISH129 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8SH | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 14,4A (Ta), 35A (Tc) | 4,5V, 10V | 11,4mOhm @ 14,4A, 10V | 2,8 V a 250 µA | 71 nC @ 10 V | ±20V | 3345 pF a 15 V | - | 3,8 W (Ta), 52,1 W (Tc) | |||||||||
| SQ4917CEY-T1_GE3 | 1.3100 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SQ4917 | MOSFET (óxido metálico) | 5W (Tc) | 8-SOIC | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canais P (duplo) | 60V | 8A (Tc) | 48mOhm @ 4,3A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 65nC @ 10V | 1910pF a 30V | - |
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