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Transistores (5716)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4752DY-T1-GE3 | - |  | 8028 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4752 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 25a (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 10a, 10V | 2.2V @ 1Ma | 43 nc @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Corpo) | 3W (TA), 6,25W (TC) | |||||
 | IRFBE30STRR | - | | 9364 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRFBE30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 800 v | 4.1a (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10V | 4V A 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
 | SI7392DP-T1-GE3 | - | | 1165 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SI7392 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 9a (ta) | 4.5V, 10V | 9.75mohm @ 15a, 10v | 3V A 250µA | 15 NC a 4,5 V | ± 20V | - | 1.8W (TA) | |||||
 | SI1926DL-T1-E3 | 0,4100 | | 21 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1926 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 510MW | SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 370mA | 1.4ohm @ 340mA, 10V | 2,5V a 250µA | 1.4NC @ 10V | 18.5pf @ 30V | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | IRFR120TRLPBF | 1.5900 | | 12 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 7.7a (TC) | 10V | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V A 250µA | 16 nc @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | IRFIBC40GLCPBF | 2.3946 | | 3626 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFIBC40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *Irfibc40glcpbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 3.5a (TC) | 10V | 1.2OHM @ 2.1A, 10V | 4V A 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
 | IRFU320 | - | | 4241 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | IRFU3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFU320 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 400 v | 3.1a (TC) | 10V | 1.8OHM @ 1.9A, 10V | 4V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
| SI1402DH-T1-GE3 | - | | 5669 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1402 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 2.7a (ta) | 2.5V, 4.5V | 77mohm @ 3a, 4.5V | 1.6V a 250µA | 4,5 nc @ 4,5 V | ± 12V | - | 950MW (TA) | |||||
| SIR464DP-T1-GE3 | 1.4200 | | 475 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sir464 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 15a, 10V | 2,5V a 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 3545 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 69W (TC) | |||||
 | SI6423DQ-T1-E3 | 1.7700 | | 9569 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | SI6423 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 12 v | 8.2a (ta) | 1.8V, 4.5V | 8.5mohm @ 9.5a, 4.5V | 800mv @ 400µA | 110 nc @ 5 V | ± 8V | - | 1.05W (TA) | |||||
 | SIHB068N60EF-GE3 | 5.5500 | | 700 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHB068 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | 1 (ilimito) | 742-SIHB068N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 41a (TC) | 10V | 68mohm @ 16a, 10V | 5V A 250µA | 77 nc @ 10 V | ± 30V | 2628 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
| IRFI740GPBF | 2.9300 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFI740 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRFI740GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 v | 5.4a (TC) | 10V | 550mohm @ 3.2a, 10V | 4V A 250µA | 66 nc @ 10 V | ± 20V | 1370 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
| IRFU024PBF | 1.7500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | IRFU024 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *Irfu024pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V A 250µA | 25 nc @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| SIR112DP-T1-RE3 | 1.3800 | | 7139 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sir112 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 37.6a (ta), 133a (tc) | 4.5V, 10V | 1.96mohm @ 10a, 10V | 2.4V a 250µA | 89 NC @ 10 V | +20V, -16V | 4270 pf @ 20 V | - | 5W (TA), 62,5W (TC) | |||||
 | IRL3302L | - | | 3766 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IRL3302 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-262-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRL3302L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 v | 39a (TC) | 4.5V, 7V | 20mohm @ 23a, 7V | 700mv @ 250µA (min) | 31 NC a 4,5 V | ± 10V | 1300 pf @ 15 V | - | 57W (TC) | |||
 | SIDR626LDP-T1-RE3 | 3.0400 | | 18 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sidr626 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8DC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIDR626LDP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 45.6a (ta), 2.4a (tc) | 4.5V, 10V | 1.5mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 5900 pf @ 30 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI8417DB-T2-E1 | - | | 6508 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-Micro Foot®csp | SI8417 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-Micro Foot ™ (1,5x1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 12 v | 14.5a (TC) | 1.8V, 4.5V | 21mohm @ 1a, 4.5V | 900MV A 250µA | 57 nc @ 5 V | ± 8V | 2220 pf @ 6 V | - | 2.9W (TA), 6.57W (TC) | ||||
 | Sia527DJ-T1-GE3 | 0,5500 | | 9764 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SC-70-6 Dual | Sia527 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 7.8W | PowerPak® SC-70-6 Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 12V | 4.5a | 29mohm @ 5a, 4.5V | 1V a 250µA | 15NC @ 8V | 500pf @ 6V | Portão de Nível Lógico | |||||||
| SI4840BDY-T1-GE3 | 1.6600 | | 13 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4840 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 19a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 12.4a, 10V | 3V A 250µA | 50 nc @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 6W (TC) | ||||
 | SI1024X-T1-GE3 | 0,5500 | | 132 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | SI1024 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 250mw | SC-89 (SOT-563F) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 485mA | 700MOHM @ 600MA, 4,5V | 900MV A 250µA | 0,75NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
| SI4914BDY-T1-GE3 | - | | 6992 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4914 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.7W, 3.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Meia Ponte) | 30V | 8.4a, 8a | 21mohm @ 8a, 10V | 2.7V @ 250µA | 10.5nc @ 4.5V | - | - | |||||||
 | SQ4182EY-T1_GE3 | 1.6500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SQ4182 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 32a (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 14a, 10v | 2,5V a 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 15 V | - | 7.1W (TC) | ||||||
| Sir638DP-T1-GE3 | 1.6600 | | 3258 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sir638 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 100a (TC) | 4.5V, 10V | 0,88mohm @ 20a, 10V | 2.3V A 250µA | 204 NC @ 10 V | +20V, -16V | 10500 pf @ 20 V | - | 104W (TC) | |||||
| IRF740STRR | - | | 2707 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF740 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 v | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 63 nc @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SQJ980AEP-T1_BE3 | 1.1900 | | 9408 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJ980 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 34W (TC) | PowerPak® SO-8 dual | download | 1 (ilimito) | 742-SQJ980AEP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 75V | 17a (TC) | 50mohm @ 3.8a, 10V | 2,5V a 250µA | 21NC @ 10V | 790pf @ 35V | - | |||||||
 | SQJ940EP-T1_GE3 | 1.4500 | | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJ940 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 48W, 43W | PowerPak® SO-8 Assimético Duplo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 15a (ta), 18a (tc) | 16mohm @ 15a, 10V | 2,5V a 250µA | 20NC @ 20V | 896pf @ 20V | Portão de Nível Lógico | |||||||
| IRF9530L | - | | 7169 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IRF9530 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | *IRF9530L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P. | 100 v | 12a (TC) | 10V | 300mohm @ 7.2a, 10V | 4V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | - | ||||
 | SQS181ELNW-T1_GE3 | 1.1200 | | 20 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | PowerPak® 1212-8SLW | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8SLW | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 80 v | 44a (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 45 nc @ 10 V | ± 20V | 2771 pf @ 25 V | - | 119W (TC) | ||||||
 | SIHFR320-GE3 | 0,8800 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SIHFR320 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 400 v | 3.1a (TC) | 10V | 1.8OHM @ 1.9A, 10V | 4V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SQW33N65EF-GE3 | 6.1900 | | 519 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, e | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SQW33N65EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 480 | N-canal | 650 v | 34a (TC) | 10V | 109mohm @ 16.5a, 10V | 4V A 250µA | 173 NC @ 10 V | ± 30V | 3972 pf @ 100 V | - | 375W (TC) |
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