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Transistores (5716)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - Quebra (V (BR) GSS) | Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tensão - Corte (VGS desligado) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFIB7N50A | - |  | 7980 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | Irfib7 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *Irfib7n50a | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 500 v | 6.6a (TC) | 10V | 520mohm @ 4a, 10v | 4V A 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||
 | SI4892DY-T1-E3 | - | | 1612 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4892 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 8.8a (ta) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 12.4a, 10V | 800mv @ 250µA (min) | 10,5 nc @ 5 V | ± 20V | - | 1.6W (TA) | ||||||||
 | SIHP35N60E-GE3 | 3.1987 | | 8954 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Sihp35 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 32a (TC) | 10V | 94mohm @ 17a, 10V | 4V A 250µA | 132 NC @ 10 V | ± 30V | 2760 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||||
 | SQJB70EP-T1_GE3 | 0,9600 | | 8970 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJB70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 27W (TC) | PowerPak® SO-8 dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 100V | 11.3a (TC) | 95mohm @ 4a, 10V | 3,5V a 250µA | 7NC @ 10V | 220pf @ 25V | - | ||||||||||
 | SIR626ADP-T1-RE3 | 2.0600 | | 23 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sir626 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 40.4a (ta), 165a (tc) | 6V, 10V | 1.75mohm @ 20a, 10V | 3,5V a 250µA | 83 nc @ 10 V | ± 20V | 3770 pf @ 30 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||||
| SIHP5N50D-GE3 | 1.1200 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SIHP5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 500 v | 5.3a (TC) | 10V | 1.5OHM @ 2.5a, 10V | 5V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 30V | 325 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | ||||||||
 | SIRS4401DP-T1-GE3 | 3.2900 | | 8939 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sirs4401 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 40 v | 46.8a (TA), 198a (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 20a, 10V | 2.3V A 250µA | 588 nc @ 10 V | ± 20V | 21850 PF @ 20 V | - | 7.4W (TA), 132W (TC) | ||||||||
 | SQD25N06-22L_GE3 | 1.7000 | | 8440 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SQD25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 60 v | 25a (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 50 nc @ 10 V | ± 20V | 1975 pf @ 25 V | - | 62W (TC) | ||||||||
 | SIHP100N60E-GE3 | 4.9900 | | 9474 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SIHP100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 30a (TC) | 10V | 100mohm @ 13a, 10V | 5V A 250µA | 50 nc @ 10 V | ± 30V | 1851 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | ||||||||
 | SI5443DC-T1-GE3 | - | | 5288 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | SI5443 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1206-8 Chipfet ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 3.6a (ta) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 3.6a, 4.5V | 600mv @ 250µA (min) | 14 NC a 4,5 V | ± 12V | - | 1.3W (TA) | ||||||||
 | SIHG15N60E-GE3 | 3.3200 | | 7640 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG15 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 15a (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4V A 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 30V | 1350 pf @ 100 V | - | 180W (TC) | ||||||||
 | SST4119-T1-E3 | - | | 4656 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SST4119 | 350 MW | TO-236 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 3pf @ 10V | 40 v | 200 µA a 10 V | 2 V @ 1 NA | |||||||||||||
| SI4920DY-T1-E3 | - | | 6681 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4920 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | - | 25mohm @ 6.9a, 10V | 1V @ 250µA (min) | 23NC @ 5V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||||
 | V50382-E3 | - | | 2405 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | V50382 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-V50382-E3TR | 0000.00.0000 | 500 | - | |||||||||||||||||||||||
 | SQJ446EP-T1_BE3 | 1.4600 | | 3581 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 dual | download | 1 (ilimito) | 742-SQJ446EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 60a (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 14a, 10v | 2,5V a 250µA | 65 nc @ 10 V | ± 20V | 4220 pf @ 20 V | - | 46W (TC) | |||||||||
 | Sir618DP-T1-GE3 | 1.1000 | | 4242 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sir618 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 v | 14.2a (TC) | 7.5V, 10V | 95mohm @ 8a, 10V | 4V A 250µA | 16 nc @ 7,5 V | ± 20V | 740 pf @ 100 V | - | 48W (TC) | ||||||||
 | SI6443DQ-T1-GE3 | - | | 9713 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | SI6443 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 7.3a (ta) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 8.8a, 10V | 3V A 250µA | 60 nc @ 5 V | ± 20V | - | 1.05W (TA) | ||||||||
| SIHG35N60E-GE3 | 6.6700 | | 4693 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG35 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 32a (TC) | 10V | 94mohm @ 17a, 10V | 4V A 250µA | 132 NC @ 10 V | ± 30V | 2760 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||||
 | SIHP17N80AEF-GE3 | 2.9400 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 742-SIHP17N80AEF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 800 v | 15a (TC) | 10V | 305mohm @ 8.5a, 10V | 4V A 250µA | 63 nc @ 10 V | ± 30V | 1300 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | ||||||||
 | SQM35N30-97_GE3 | 3.8400 | | 974 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SQM35 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D²PAK) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 300 v | 35a (TC) | 10V | 97mohm @ 10a, 10V | 3,5V a 250µA | 130 nc @ 10 V | ± 20V | 5650 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||
 | IRFD010PBF | - | | 4496 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD010 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-HVMDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFD010PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 50 v | 1.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 860mA, 10V | 4V A 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 1W (TC) | ||||||
| SI4048DY-T1-GE3 | - | | 2509 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4048 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 19.3a (TC) | 10V | 85mohm @ 15a, 10V | 3V A 250µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2060 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5,7W (TC) | ||||||||
| SIHD4N80E-GE3 | 1.7600 | | 8331 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Sihd4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 800 v | 4.3a (TC) | 10V | 1.27OHM @ 2A, 10V | 4V A 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 622 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | ||||||||
 | SIZ720DT-T1-GE3 | 0,6395 | | 1017 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-Powerpair ™ | SIZ720 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 27W, 48W | 6-Powerpair ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Meia Ponte) | 20V | 16a | 8.7mohm @ 16.8a, 10V | 2V A 250µA | 23NC @ 10V | 825pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||
 | SIHF7N60E-GE3 | 2.1400 | | 1853 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | Sihf7 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pacote completo parágrafo 220 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V A 250µA | 40 nc @ 10 V | ± 30V | 680 pf @ 100 V | - | 31W (TC) | |||||||||
 | SI5855DC-T1-E3 | - | | 2704 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | SI5855 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1206-8 Chipfet ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 2.7a (ta) | 1.8V, 4.5V | 110mohm @ 2.7a, 4.5V | 1V a 250µA | 7,7 nc @ 4,5 V | ± 8V | Diodo Schottky (Isolado) | 1.1W (TA) | ||||||||
 | SI5459DU-T1-GE3 | 0,6100 | | 901 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Single PowerPak® Chipfet ™ | SI5459 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Single PowerPak® Chipfet ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 8a (TC) | 2.5V, 4.5V | 52mohm @ 6.7a, 4.5V | 1.4V A 250µA | 26 NC A 10 V | ± 12V | 665 pf @ 10 V | - | 3,5W (TA), 10,9W (TC) | ||||||||
 | IRFL210TRPBF | 0,8800 | | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | IRFL210 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 v | 960mA (TC) | 10V | 1.5OHM @ 580MA, 10V | 4V A 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||||||
| SUD25N04-25-E3 | - | | 2043 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SUD25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 40 v | 25a (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 25a, 10V | 3V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 510 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 33W (TC) | |||||||
| SI2305CDS-T1-GE3 | 0,4600 | | 26 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2305 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 8 v | 5.8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 35mohm @ 4.4a, 4.5V | 1V a 250µA | 30 NC @ 8 V | ± 8V | 960 PF @ 4 V | - | 960MW (TA), 1,7W (TC) |
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