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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLI520GPBF | 0,9881 | ![]() | 8720 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | IRLI520 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRLI520GPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 100V | 7,2A (Tc) | 4V, 5V | 270mOhm @ 4,3A, 5V | 2V @ 250µA | 12 nC @ 5 V | ±10V | 490 pF a 25 V | - | 37W (Tc) | ||||
![]() | IRFIB6N60APBF | 4.2100 | ![]() | 1620 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | IRFIB6 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRFIB6N60APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 600V | 5,5A (Tc) | 10V | 750mOhm @ 3,3A, 10V | 4 V a 250 µA | 49 nC @ 10 V | ±30V | 1400 pF a 25 V | - | 60W (Tc) | ||||
![]() | SUD50P10-43L-GE3 | 2.6500 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SUD50 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-252 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal P | 100V | 37,1A(Tc) | 4,5V, 10V | 43mOhm @ 9,2A, 10V | 3 V a 250 µA | 160 nC @ 10 V | ±20V | 4600 pF a 50 V | - | 8,3 W (Ta), 136 W (Tc) | |||||
![]() | SIA106DJ-T1-GE3 | 0,8800 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SC-70-6 | SIA106 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SC-70-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 60 V | 10A (Ta), 12A (Tc) | 7,5V, 10V | 18,5mOhm @ 4A, 10V | 4 V a 250 µA | 13,5 nC @ 10 V | ±20V | 540 pF a 30 V | - | 3,5W (Ta), 19W (Tc) | |||||
![]() | SI1304BDL-T1-GE3 | - | ![]() | 3164 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-70, SOT-323 | SI1304 | MOSFET (óxido metálico) | SC-70-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 900mA (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 270mOhm @ 900mA, 4,5V | 1,3 V a 250 µA | 2,7 nC a 4,5 V | ±12V | 100 pF a 15 V | - | 340mW (Ta), 370mW (Tc) | ||||
![]() | SI3460DDV-T1-GE3 | 0,4100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | SI3460 | MOSFET (óxido metálico) | 6-TSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 20 V | 7,9A (Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 28mOhm @ 5,1A, 4,5V | 1V @ 250µA | 18 nC @ 8 V | ±8V | 666 pF a 10 V | - | 1,7 W (Ta), 2,7 W (Tc) | |||||
![]() | SIE812DF-T1-E3 | 1.7317 | ![]() | 3235 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 10-PolarPAK® (L) | SIE812 | MOSFET (óxido metálico) | 10-PolarPAK® (L) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 40 V | 60A (Tc) | 4,5V, 10V | 2,6mOhm a 25A, 10V | 3 V a 250 µA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 8300 pF a 20 V | - | 5,2 W (Ta), 125 W (Tc) | |||||
![]() | SI4686DY-T1-GE3 | 1.5600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET®, WFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4686 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 30 V | 18,2A(Tc) | 4,5V, 10V | 9,5mOhm @ 13,8A, 10V | 3 V a 250 µA | 26 nC @ 10 V | ±20V | 1220 pF a 15 V | - | 3W (Ta), 5,2W (Tc) | |||||
![]() | IRF634L | - | ![]() | 6831 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | IRF634 | MOSFET (óxido metálico) | I2PAK | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | *IRF634L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 250 V | 8.1A (Tc) | 10V | 450mOhm @ 5,1A, 10V | 4 V a 250 µA | 41 nC @ 10 V | ±20V | 770 pF a 25 V | - | - | ||||
![]() | SI7102DN-T1-E3 | - | ![]() | 5767 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 | SI7102 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 12V | 35A (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 3,8mOhm a 15A, 4,5V | 1V @ 250µA | 110 nC @ 8 V | ±8V | 3720 pF a 6 V | - | 3,8 W (Ta), 52 W (Tc) | |||||
![]() | SIRA64DP-T1-RE3 | 0,9200 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SIRA64 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 60A (Tc) | 4,5V, 10V | 2,1mOhm a 10A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 65 nC @ 10 V | +20V, -16V | 3420 pF a 15 V | - | 27,8W (Tc) | |||||
![]() | SI3850ADV-T1-GE3 | - | ![]() | 3328 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | SI3850 | MOSFET (óxido metálico) | 1,08W | 6-TSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N e P, Dreno Comum | 20V | 1,4A, 960mA | 300mOhm @ 500mA, 4,5V | 1,5 V a 250 µA | 1,4nC a 4,5V | - | Portão de nível lógico | ||||||
![]() | 2N6660-E3 | - | ![]() | 7399 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 2N6660 | MOSFET (óxido metálico) | TO-205AD (TO-39) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal N | 60 V | 990mA (Tc) | 5V, 10V | 3Ohm @ 1A, 10V | 2V @ 1mA | ±20V | 50 pF a 25 V | - | 725mW (Ta), 6,25W (Tc) | |||||
![]() | IRFR310TRRPBF | - | ![]() | 8625 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IRFR310 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 400 V | 1,7A (Tc) | 10V | 3,6Ohm @ 1A, 10V | 4 V a 250 µA | 12 nC @ 10 V | ±20V | 170 pF a 25 V | - | 2,5W (Ta), 25W (Tc) | ||||
![]() | SQJ431EP-T1_GE3 | 1.9800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SQJ431 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 200 V | 12A (Tc) | 6V, 10V | 213mOhm @ 1A, 4V | 3,5 V a 250 µA | 160 nC @ 10 V | ±20V | 4355 pF a 25 V | - | 83W (Tc) | |||||
![]() | SI4916DY-T1-E3 | - | ![]() | 8390 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | PEQUENO PÉ® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4916 | MOSFET (óxido metálico) | 3,3 W, 3,5 W | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canais N (meia ponte) | 30V | 10A, 10,5A | 18mOhm @ 10A, 10V | 3 V a 250 µA | 10nC a 4,5V | - | Portão de nível lógico | |||||||
![]() | SI3454ADV-T1-GE3 | - | ![]() | 2403 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | SI3454 | MOSFET (óxido metálico) | 6-TSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 3,4A (Ta) | 4,5V, 10V | 60mOhm @ 4,5A, 10V | 3 V a 250 µA | 15 nC @ 10 V | ±20V | - | 1,14W (Ta) | |||||
![]() | IRF840LCSTRRPBF | 1.8458 | ![]() | 6696 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | IRF840 | MOSFET (óxido metálico) | D²PAK (TO-263) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal N | 500 V | 8A (Tc) | 10V | 850mOhm @ 4,8A, 10V | 4 V a 250 µA | 39 nC @ 10 V | ±30V | 1100 pF a 25 V | - | 3,1 W (Ta), 125 W (Tc) | |||||
![]() | SI1021R-T1-GE3 | 0,5500 | ![]() | 43 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-75, SOT-416 | SI1021 | MOSFET (óxido metálico) | SC-75A | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 190mA (Ta) | 4,5V, 10V | 4 Ohm @ 500 mA, 10 V | 3 V a 250 µA | 1,7 nC a 15 V | ±20V | 23 pF a 25 V | - | 250mW (Ta) | ||||
| SUP65P04-15-E3 | - | ![]() | 9670 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | SUP65 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SUP65P0415E3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P | 40 V | 65A (Tc) | 4,5V, 10V | 15mOhm a 30A, 10V | 3 V a 250 µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 5400 pF a 25 V | - | 3,75 W (Ta), 120 W (Tc) | ||||
![]() | SI5905BDC-T1-GE3 | - | ![]() | 2661 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SMD, cabo plano | SI5905 | MOSFET (óxido metálico) | 3,1W | 1206-8 ChipFET™ | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canais P (duplo) | 8V | 4A | 80mOhm @ 3,3A, 4,5V | 1V @ 250µA | 11nC @ 8V | 350pF a 4V | Portão de nível lógico | ||||||
![]() | SI7392ADP-T1-GE3 | - | ![]() | 3398 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SI7392 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 30A (Tc) | 4,5V, 10V | 7,5mOhm a 12,5A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 1465 pF a 15 V | - | 5W (Ta), 27,5W (Tc) | ||||
![]() | 2N7002K-T1-E3 | 0,2900 | ![]() | 986 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23-3 (TO-236) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 60 V | 300mA (Ta) | 4,5V, 10V | 2 Ohm @ 500 mA, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 0,6 nC a 4,5 V | ±20V | 30 pF a 25 V | - | 350 mW (Ta) | ||||
![]() | SI4226DY-T1-E3 | - | ![]() | 2590 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4226 | MOSFET (óxido metálico) | 3,2 W | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canais N (duplo) | 25V | 8A | 19,5mOhm a 7A, 4,5V | 2V @ 250µA | 36nC @ 10V | 1255pF a 15V | - | ||||||
![]() | SIA911EDJ-T1-GE3 | - | ![]() | 8750 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SC-70-6 Duplo | SIA911 | MOSFET (óxido metálico) | 7,8W | PowerPAK® SC-70-6 Duplo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canais P (duplo) | 20V | 4,5A | 101mOhm @ 2,7A, 4,5V | 1V @ 250µA | 11nC @ 8V | - | Portão de nível lógico | ||||||
![]() | SI3458DV-T1-E3 | - | ![]() | 7395 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | SI3458 | MOSFET (óxido metálico) | 6-TSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 60 V | 3,2A (Ta) | 4,5V, 10V | 100 mOhm @ 3,2 A, 10 V | 1V @ 250µA (mín.) | 16 nC @ 10 V | ±20V | - | 2W (Ta) | |||||
![]() | SI4101DY-T1-GE3 | 0,9100 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4101 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 25,7A(Tc) | 4,5V, 10V | 6mOhm @ 15A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 203 nC @ 10 V | ±20V | 8190 pF a 15 V | - | 6W (Tc) | |||||
![]() | SI1965DH-T1-E3 | 0,5100 | ![]() | 4167 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1965 | MOSFET (óxido metálico) | 1,25W | SC-70-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canais P (duplo) | 12V | 1,3A | 390mOhm @ 1A, 4,5V | 1V @ 250µA | 4,2nC @ 8V | 120pF a 6V | Portão de nível lógico | ||||||
![]() | IRFPS38N60L | - | ![]() | 1105 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-274AA | IRFPS38 | MOSFET (óxido metálico) | SUPER-247™ (TO-274AA) | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 600V | 38A (Tc) | 10V | 150mOhm a 23A, 10V | 5 V a 250 µA | 320 nC @ 10 V | ±30V | 7.990 pF a 25 V | - | 540W (Tc) | ||||
![]() | SQJA02EP-T1_GE3 | 1.4600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SQJA02 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 60 V | 60A (Tc) | 10V | 4,8mOhm a 10A, 10V | 3,5 V a 250 µA | 80 nC @ 10 V | ±20V | 4700 pF a 25 V | - | 68W (Tc) |

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