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| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJ264EP-T1_GE3 | 1.6100 |  | 9441 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJ264 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 27W (TC), 48W (TC) | PowerPak® SO-8 Assimético Duplo | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) Assimético | 60V | 20A (TC), 54A (TC) | 20mohm @ 6a, 10v, 8.6mohm @ 10a, 10V | 3,5V a 250µA | 16NC @ 10V, 32NC @ 10V | 1000pf @ 25V, 2100pf @ 25V | - | ||||||||
 | SI4972DY-T1-E3 | - | | 3785 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4972 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.1W, 2,5W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 10.8a, 7.2a | 14.5mohm @ 6a, 10V | 3V A 250µA | 28NC @ 10V | 1080pf @ 15V | - | ||||||
 | Sia432dj-t1-ge3 | 1.1100 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SC-70-6 | Sia432 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 6a, 10V | 3V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 800 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | |||||
 | IRFU210PBF | 1.3900 | | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | IRFU210 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 200 v | 2.6a (TC) | 10V | 1.5OHM @ 1.6a, 10V | 4V A 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SIHL620STRL-GE3 | 0,9000 | | 788 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 v | 5.2a (TC) | 4V, 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 2V A 250µA | 16 nc @ 5 V | ± 10V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||||
 | IRFB16N50K | - | | 2631 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRFB16 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFB16N50K | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 v | 17a (TC) | 10V | 350mohm @ 10a, 10V | 5V A 250µA | 89 NC @ 10 V | ± 30V | 2210 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||
 | SI6983DQ-T1-GE3 | - | | 3757 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | SI6983 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 830mW | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 4.6a | 24mohm @ 5.4a, 4.5V | 1V @ 400µA | 30NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
| SUP53P06-20-GE3 | - | | 8704 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SUP53 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P. | 60 v | 9.2a (ta), 53a (tc) | 4.5V, 10V | 19.5mohm @ 30a, 10V | 3V A 250µA | 115 NC @ 10 V | ± 20V | 3500 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 104,2W (TC) | ||||
 | IRF9640S | - | | 2788 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF9640 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF9640S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P. | 200 v | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4V A 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 125W (TC) | |||
 | SI6562DQ-T1-GE3 | - | | 3826 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | SI6562 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 20V | - | 30mohm @ 4.5a, 4.5V | 600mv @ 250µA (min) | 25NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||
 | SIHH27N60EF-T1-GE3 | 7.0000 | | 9092 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | SIHH27 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Powerpak® 8 x 8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 v | 29a (TC) | 10V | 100mohm @ 13.5a, 10V | 4V A 250µA | 135 NC @ 10 V | ± 30V | 2609 pf @ 100 V | - | 202W (TC) | |||||
 | SISF04DN-T1-GE3 | 1.3400 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8SCD | SISF04 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5.2W (TA), 69,4W (TC) | PowerPak® 1212-8SCD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SISF04DN-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 30V | 30a (ta), 108a (tc) | 4mohm @ 7a, 10V | 2.3V A 250µA | 60NC @ 10V | 2600pf @ 15V | - | ||||||
| V30410-T1-GE3 | - | | 2846 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | V30410 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| SI4866BDY-T1-E3 | - | | 7450 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4866 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 12 v | 21.5a (TC) | 1.8V, 4.5V | 5.3mohm @ 12a, 4.5V | 1V a 250µA | 80 nc @ 4,5 V | ± 8V | 5020 pf @ 6 V | - | 4.45W (TC) | |||||
 | IRC640pbf | - | | 9424 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-5 | IRC640 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRC640pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 70 nc @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | Detectar | 125W (TC) | |||
| SI4561DY-T1-E3 | - | | 6668 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4561 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3W, 3,3W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 40V | 6.8a, 7.2a | 35.5mohm @ 5a, 10V | 3V A 250µA | 20NC @ 10V | 640pf @ 20V | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | SIS456DN-T1-GE3 | - | | 6152 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 | SIS456 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 35a (TC) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 20a, 10V | 2.2V A 250µA | 55 nc @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
| IRF9Z10PBF | 1.6300 | | 958 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF9Z10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRF9Z10PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P. | 60 v | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4V A 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||
 | SISS46DN-T1-GE3 | 1.5500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8S | Siss46 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 12.5a (ta), 45.3a (tc) | 7.5V, 10V | 12.8mohm @ 10a, 10V | 3,4V a 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 2140 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
| SI4946BEY-T1-GE3 | 1.4800 | | 23 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4946 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.7W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 6.5a | 41mohm @ 5.3a, 10V | 3V A 250µA | 25NC @ 10V | 840pf @ 30V | Portão de Nível Lógico | |||||||
| SI9934BDY-T1-GE3 | - | | 3322 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI9934 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 12V | 4.8a | 35mohm @ 6.4a, 4.5V | 1.4V A 250µA | 20NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
| IRF9Z34STRLPBF | 2.0000 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF9Z34 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P. | 60 v | 18a (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
| SI4896DY-T1-E3 | 1.9500 | | 1853 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4896 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 80 v | 6.7a (ta) | 6V, 10V | 16.5mohm @ 10a, 10V | 2V @ 250µA (min) | 41 nc @ 10 V | ± 20V | - | 1.56W (TA) | ||||||
| IRLZ24 | - | | 6617 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRLZ24 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRLZ24 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 60 v | 17a (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 10a, 5V | 2V A 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||
 | SI3983DV-T1-E3 | - | | 5709 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3983 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 830mW | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 2.1a | 110mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | SI2323DS-T1-GE3 | 0,7300 | | 332 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2323 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 3.7a (ta) | 1.8V, 4.5V | 39mohm @ 4.7a, 4.5V | 1V a 250µA | 19 NC @ 4,5 V | ± 8V | 1020 pf @ 10 V | - | 750mW (TA) | ||||
| IRF530pbf | 1.4000 | | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF530 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRF530pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4V A 250µA | 26 NC A 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||
 | SQP50P03-07_GE3 | - | | 2263 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SQP50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P. | 30 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 30a, 10V | 2,5V a 250µA | 155 nc @ 10 V | ± 20V | 5380 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||
| SI4913DY-T1-E3 | - | | 2949 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4913 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 7.1a | 15mohm @ 9.4a, 4.5V | 1V @ 500µA | 65NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | IRFPG30 | - | | 9904 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IRFPG30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFPG30 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 1000 v | 3.1a (TC) | 10V | 5ohm @ 1.9a, 10V | 4V A 250µA | 80 nc @ 10 V | ± 20V | 980 pf @ 25 V | - | 125W (TC) |
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