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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLR120TRL | - | ![]() | 5658 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRLR120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 4.6a, 5V | 2V A 250µA | 12 nc @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
![]() | SI4963BDY-T1-GE3 | 0,7796 | ![]() | 4291 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4963 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 4.9a | 32mohm @ 6.5a, 4.5V | 1.4V A 250µA | 21NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||
![]() | IRF640STRR | - | ![]() | 5661 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF640 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 70 nc @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | ||||
![]() | SI1012CR-T1-GE3 | 0,4700 | ![]() | 58 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-75, SOT-416 | SI1012 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-75A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 630mA (TA) | 1.5V, 4.5V | 396mohm @ 600mA, 4,5V | 1V a 250µA | 2 nc @ 8 V | ± 8V | 43 pf @ 10 V | - | 240mW (TA) | ||||
![]() | IRFR014TRL | - | ![]() | 6170 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR014 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 7.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4V A 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
![]() | IRFI644G | - | ![]() | 7730 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFI644 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFI644G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 250 v | 7.9a (TC) | 10V | 280mohm @ 4.7a, 10V | 4V A 250µA | 68 nc @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||
![]() | SQ2398ES-T1_GE3 | 0,6300 | ![]() | 458 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2398 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 1.6a (TC) | 10V | 300mohm @ 1.5a, 10V | 3,5V a 250µA | 3,4 NC a 10 V | ± 20V | 152 pf @ 50 V | - | 2W (TC) | ||||||
![]() | SI8461DB-T2-E1 | - | ![]() | 4611 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8461 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-microfoot | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 2.5a (ta) | 1.5V, 4.5V | 100mohm @ 1.5a, 4.5V | 1V a 250µA | 24 nc @ 8 V | ± 8V | 610 pf @ 10 V | - | 780MW (TA), 1,8W (TC) | ||||
![]() | SI2356DS-T1-BE3 | 0,4000 | ![]() | 8251 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 3.2a (ta), 4.3a (tc) | 2.5V, 10V | 51mohm @ 3.2a, 10V | 1,5V a 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 12V | 370 pf @ 20 V | - | 960MW (TA), 1,7W (TC) | |||||||
![]() | IRFR214PBF | 0,6159 | ![]() | 7829 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR214 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRFR214PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 250 v | 2.2a (TC) | 10V | 2ohm @ 1.3a, 10V | 4V A 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
![]() | SI5481DU-T1-E3 | - | ![]() | 5913 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Single PowerPak® Chipfet ™ | SI5481 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Single PowerPak® Chipfet ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 12a (TC) | 1.8V, 4.5V | 22mohm @ 6.5a, 4.5V | 1V a 250µA | 50 nc @ 8 V | ± 8V | 1610 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 17,8W (TC) | ||||
![]() | SI8817DB-T2-E1 | 0,4700 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-xfbga | SI8817 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-microfoot | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 2.1a (ta) | 1.5V, 4.5V | 76mohm @ 1a, 4.5V | 1V a 250µA | 19 NC @ 8 V | ± 8V | 615 pf @ 10 V | - | 500mW (TA) | ||||
![]() | SI3441BDV-T1-GE3 | - | ![]() | 4470 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3441 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 2.45a (ta) | 2.5V, 4.5V | 90mohm @ 3.3a, 4.5V | 850mv @ 250µA | 8 nc @ 4,5 V | ± 8V | - | 860MW (TA) | |||||
![]() | SI4992EY-T1-GE3 | - | ![]() | 6227 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4992 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 75V | 3.6a | 48mohm @ 4.8a, 10V | 3V A 250µA | 21NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
![]() | SQJ414EP-T1_BE3 | 0,9400 | ![]() | 1352 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | 742-SQJ414EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 30a (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 4.5a, 10V | 2,5V a 250µA | 25 nc @ 10 V | ± 20V | 1110 pf @ 15 V | - | 45W (TC) | ||||||
![]() | SI4202DY-T1-GE3 | 1.3900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4202 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.7W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 12.1a | 14mohm @ 8a, 10V | 2,5V a 250µA | 17NC @ 10V | 710pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||||
IRFZ30 | - | ![]() | 3175 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRFZ30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFZ30 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 50 v | 30a (TC) | 10V | 50mohm @ 16a, 10V | 4V A 250µA | 30 NC a 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
SUP40N25-60-E3 | 5.0400 | ![]() | 6962 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Sup40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 v | 40A (TC) | 6V, 10V | 60mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 140 nc @ 10 V | ± 30V | 5000 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 300W (TC) | ||||||
![]() | SIS447DN-T1-GE3 | 0,9300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 | SIS447 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 18a (TC) | 2.5V, 10V | 7.1mohm @ 20a, 10V | 1.2V a 250µA | 181 NC @ 10 V | ± 12V | 5590 PF @ 10 V | - | 52W (TC) | ||||||
![]() | IRFZ44RPBF-BE3 | 2.7800 | ![]() | 856 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRFZ44 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | 742-IRFZ44RPBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 50a (TC) | 28mohm @ 31a, 10V | 4V A 250µA | 67 nc @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||
![]() | IRFI9520G | - | ![]() | 1099 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFI9520 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFI9520G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P. | 100 v | 5.2a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.1a, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | |||
![]() | IRFIBF30GPBF | 1.9110 | ![]() | 5659 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFIBF30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *Irfibf30gpbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 v | 1.9a (TC) | 10V | 3.7ohm @ 1.1a, 10V | 4V A 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||
![]() | SIB911DK-T1-E3 | - | ![]() | 8880 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SC-75-6L Dual | SIB911 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.1W | PowerPak® SC-75-6L Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 2.6a | 295mohm @ 1.5a, 4.5V | 1V a 250µA | 4NC @ 8V | 115pf @ 10V | - | ||||||
![]() | SIHB12N60E-GE3 | 2.0800 | ![]() | 1481 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHB12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | SIHB12N60EGE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 58 nc @ 10 V | ± 30V | 937 PF @ 100 V | - | 147W (TC) | ||||
![]() | SISS4402DN-T1-GE3 | 1.6800 | ![]() | 7879 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8S | SISS4402 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 35.5a (ta), 128a (tc) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 15a, 10V | 2,5V a 250µA | 70 nc @ 10 V | +20V, -16V | 3850 PF @ 20 V | - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
![]() | IRFD214PBF | 0,5880 | ![]() | 6004 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD214 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-HVMDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRFD214PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 250 v | 450mA (TA) | 10V | 2OHM @ 270MA, 10V | 4V A 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||
![]() | IRFSL11N50A | - | ![]() | 8049 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IRFSL11 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-262-3 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFSL11N50A | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 v | 11a (TC) | 10V | 550mohm @ 6.6a, 10V | 4V A 250µA | 51 NC @ 10 V | ± 30V | 1426 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | |||
![]() | IRFU024 | - | ![]() | 3201 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | Irfu | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFU024 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V A 250µA | 25 nc @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
![]() | IRFR9020pbf | 1.8700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR9020 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P. | 50 v | 9.9a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.7a, 10V | 4V A 250µA | 14 nc @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||||
![]() | SIZ998BDT-T1-GE3 | 0,9400 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | SIZ998 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3,8W (TA), 20W (TC), 4,8W (TA), 32,9W (TC) | 8-Powerpair® (6x5) | - | 1 (ilimito) | 742-SIZ998BDT-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Canal (Duplo), Schottky | 30V | 23.7a (ta), 54.8a (tc), 36.2a (ta), 94.6a (tc) | 4.39mohm @ 15a, 10v, 2.4mohm @ 19a, 10v | 2.2V A 250µA | 18NC @ 10V, 46,7NC @ 10V | 790pf @ 15V, 2130pf @ 15V | - |
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