- RFQ
- Bom
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-compponents.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- Amárico
- Armênio
- Azerbaijão
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnia
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- Filipino
- finlandês
- Frisiano
- Galian
- Georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Igbo
- Javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Kyrgyz
- Latim
- letão
- lituano
- Luxembou ..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- Malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- Nepalês
- norueguês
- Pashto
- persa
- Punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Sinhala
- Eslovaco
- esloveno
- Somali
- Samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindhi
- Sundanês
- Suaíli
- Tajique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- Yiddish
- Ioruba
- zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turquemen
- Uyghur
Transistores (5716)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - Quebra (V (BR) GSS) | Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tensão - Corte (VGS desligado) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irfibe30g | - |  | 7413 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | Irfibe30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *Irfibe30g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 800 v | 2.1a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.3a, 10V | 4V A 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||
 | IRFRC20PBF | 1.2900 | | 10 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFRC20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 v | 2a (TC) | 10V | 4.4OHM @ 1.2A, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||||
 | SIHB21N60EF-GE3 | 4.1800 | | 346 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHB21 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 21a (TC) | 10V | 176mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 84 nc @ 10 V | ± 30V | 2030 PF @ 100 V | - | 227W (TC) | ||||||||
 | SQM40N10-30_GE3 | 2.2500 | | 800 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SQM40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 v | 40A (TC) | 6V, 10V | 30mohm @ 15a, 10V | 3,5V a 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 3345 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | ||||||||
 | 2N4118A-E3 | - | | 1513 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | 2N4118 | 300 MW | TO-206AF (TO-72) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | N-canal | 3pf @ 10V | 40 v | 80 µA A 10 V | 1 V @ 1 NA | |||||||||||||
| Irfz14spbf | 1.5200 | | 120 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRFZ14 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 60 v | 10a (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||||||
 | SIDR680DP-T1-RE3 | 2.9200 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8DC | download | 1 (ilimito) | 742-SIDR680DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 v | 32.8a (ta), 100a (tc) | 7.5V, 10V | 2.9mohm @ 20a, 10V | 3,4V a 250µA | 105 nc @ 10 V | ± 20V | 5150 pf @ 40 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||||||
 | IRFR9220PBF-BE3 | 1.0490 | | 2691 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | 742-IRFR9220PBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 200 v | 3.6a (TC) | 10V | 1.5Ohm @ 2.2a, 10V | 4V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||||
 | IRF740LC | - | | 8505 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF740 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF740LC | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 400 v | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||
| IRFI840GPBF | 3.0000 | | 729 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFI840 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRFI840GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 v | 4.6a (TC) | 10V | 850mohm @ 2.8a, 10V | 4V A 250µA | 67 nc @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||
 | SIRS5100DP-T1-GE3 | 3.3100 | | 3510 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 | Sirs5100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 3.000 | N-canal | 100 v | 39a (ta), 225a (tc) | 7.5V, 10V | 2.5mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 102 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 50 V | - | 7.4W (TA), 240W (TC) | ||||||||||
| SI7866ADP-T1-E3 | - | | 5378 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 | SI7866 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 20a, 10V | 2.2V A 250µA | 125 nc @ 10 V | ± 20V | 5415 pf @ 10 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||||||
 | SIHW23N60E-GE3 | - | | 1645 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHW23 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 23a (TC) | 10V | 158mohm @ 12a, 10V | 4V A 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2418 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | ||||||||
 | SIHP28N65EF-GE3 | 3.4119 | | 1126 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SIHP28 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 v | 28a (TC) | 10V | 117mohm @ 14a, 10v | 4V A 250µA | 146 NC @ 10 V | ± 30V | 3249 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||||
| SIHG22N60E-GE3 | 4.4900 | | 470 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG22 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 v | 21a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 86 nc @ 10 V | ± 30V | 1920 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | ||||||||
| SIR432DP-T1-GE3 | - | | 7648 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 | Sir432 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 28.4a (TC) | 7.5V, 10V | 30.6mohm @ 8.6a, 10V | 4V A 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1170 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 54W (TC) | |||||||
 | SI5486DU-T1-GE3 | - | | 5361 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | Single PowerPak® Chipfet ™ | SI5486 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Single PowerPak® Chipfet ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 12a (TC) | 1.8V, 4.5V | 15mohm @ 7.7a, 4.5V | 1V a 250µA | 54 NC @ 8 V | ± 8V | 2100 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||||||
 | SI7540DP-T1-E3 | - | | 9589 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SI7540 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | PowerPak® SO-8 dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 12V | 7.6a, 5.7a | 17mohm @ 11.8a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 17NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||||
 | SIHU3N50D-E3 | 0,3810 | | 3276 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | Sihu3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 v | 3a (TC) | 10V | 3.2OHM @ 2.5a, 10V | 5V A 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 30V | 175 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | ||||||||
| IRFR020TR | - | | 2637 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR020 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V A 250µA | 25 nc @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||
 | SIDR622DP-T1-GE3 | 3.0500 | | 2007 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 | Sidr622 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8DC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 v | 64.6a (ta), 56.7a (tc) | 7.5V, 10V | 17.7mohm @ 20a, 10V | 4.5V a 250µA | 41 nc @ 10 V | ± 20V | 1516 pf @ 75 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | ||||||||
 | SI5468DC-T1-GE3 | 0,4900 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | SI5468 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1206-8 Chipfet ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 6a (TC) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 6.8a, 10V | 2,5V a 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 435 pf @ 15 V | - | 2.3W (TA), 5.7W (TC) | |||||||
 | SI1023X-T1-E3 | - | | 5914 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-563, SOT-666 | SI1023 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 250mw | SC-89 (SOT-563F) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 370mA | 1.2OHM @ 350MA, 4.5V | 450mv @ 250µA (min) | 1.5NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||||
 | 2N6661JTXP02 | - | | 8781 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N6661 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-39 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 90 v | 860mA (TC) | 5V, 10V | 4ohm @ 1a, 10V | 2V @ 1MA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6,25W (TC) | ||||||||
| SIR812DP-T1-GE3 | - | | 5450 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 | Sir812 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 60a (TC) | 4.5V, 10V | 1.45mohm @ 20a, 10V | 2.3V A 250µA | 335 nc @ 10 V | ± 20V | 10240 pf @ 15 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||||
 | SIE860DF-T1-GE3 | - | | 2361 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 10-polarpak® (m) | Sie860 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 10-polarpak® (m) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 60a (TC) | 4.5V, 10V | 2.1mohm @ 21.7a, 10V | 2,5V a 250µA | 105 nc @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | |||||||
| SI7850ADP-T1-GE3 | 1.2600 | | 5915 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 | SI7850 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 10.3a (ta), 12a (tc) | 4.5V, 10V | 19.5mohm @ 10a, 10V | 2,8V a 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 30 V | - | 3.6W (TA), 35.7W (TC) | ||||||||
| IRFR014TRPBF | 1.0000 | | 424 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR014 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 60 v | 7.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4V A 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||||
| SI5515DC-T1-GE3 | - | | 8255 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | SI5515 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 20V | 4.4a, 3a | 40mohm @ 4.4a, 4.5V | 1V a 250µA | 7.5NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||||
 | SI4992EY-T1-E3 | - | | 7042 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4992 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 75V | 3.6a | 48mohm @ 4.8a, 10V | 3V A 250µA | 21NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico |
2000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2800+
Fabricantes em todo o mundo
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)