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Transistores (5716)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N5547JTXV01 | - |  | 3922 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | Através do buraco | TO-71-6 | 2N5547 | TO-71 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||
 | SIHG150N60E-GE3 | 4.3000 | | 8547 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG150 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIHG150N60E-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 22a (TC) | 10V | 155mohm @ 10a, 10V | 5V A 250µA | 36 nc @ 10 V | ± 30V | 1514 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | ||||
| SQS142ELNW-T1_GE3 | 0,9700 | | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, Trenchfet® Geniv | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | PowerPak® 1212-8SLW | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8SLW | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 3.000 | N-canal | 40 v | 86a (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 48 nc @ 10 V | ± 20V | 2442 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | ||||||||
 | SI2341DS-T1-GE3 | - | | 4512 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2341 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 2.5a (ta) | 4.5V, 10V | 72mohm @ 2.8a, 10V | 3V A 250µA | 15 nc @ 10 V | ± 20V | 400 pf @ 15 V | - | 710MW (TA) | ||||
 | SISH892BDN-T1-GE3 | 0,8900 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8DC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 6.8a (ta), 20a (tc) | 4.5V, 10V | 30.4mohm @ 10a, 10V | 2.4V a 250µA | 26,5 nc @ 10 V | ± 20V | 1110 PF @ 50 V | - | 3.4W (TA), 29W (TC) | ||||||
 | SQ4840EY-T1_GE3 | 3.3100 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SQ4840 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 20.7a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10V | 2,5V a 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 2440 pf @ 20 V | - | 7.1W (TC) | |||||
 | IRF530STRLPBF | 1.7300 | | 7 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF530 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 v | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4V A 250µA | 26 NC A 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | SQD25N15-52_GE3 | 3.8600 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SQD25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 150 v | 25a (TC) | 10V | 52mohm @ 15a, 10V | 4V A 250µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | |||||
 | IRFL9014TRPBF-BE3 | 0,9300 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | IRFL9014 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 60 v | 1.8a (TC) | 10V | 500mohm @ 1.1a, 10V | 4V A 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||||
 | IRFR320PBF-BE3 | 0,8122 | | 2731 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR320 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | 742-IRFR320PBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 400 v | 3.1a (TC) | 10V | 1.8OHM @ 1.9A, 10V | 4V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||
 | SQJ184EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 v | 118a (TC) | 10V | 7.5mohm @ 15a, 10V | 3,5V a 250µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 3478 pf @ 25 V | - | 234W (TC) | |||||||
 | SIHA100N60E-GE3 | 5.0300 | | 926 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | Siha100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pacote completo parágrafo 220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 30a (TC) | 10V | 100mohm @ 13a, 10V | 5V A 250µA | 50 nc @ 10 V | ± 30V | 1851 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | |||||
 | SQJ479EP-T1_BE3 | 1.2300 | | 1306 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | 742-SQJ479EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 80 v | 32a (TC) | 4.5V, 10V | 33mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 150 nc @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||
| SI4455DY-T1-E3 | 2.0800 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4455 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 150 v | 2.8a (TC) | 10V | 295mohm @ 4a, 10v | 4V A 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1190 pf @ 50 V | - | 3.1W (TA), 5.9W (TC) | |||||
 | SIR582DP-T1-RE3 | 1.6600 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 v | 28.9a (ta), 116a (tc) | 7.5V, 10V | 3.4mohm @ 15a, 10V | 4V A 250µA | 67 nc @ 10 V | ± 20V | 3360 pf @ 40 V | - | 5.6W (TA), 92,5W (TC) | ||||||
 | SIDR578EP-T1-RE3 | 2.9500 | | 1337 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sidr578 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8DC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 v | 17.4a (ta), 78a (tc) | 7.5V, 10V | 8.8mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 2540 pf @ 75 V | - | 7.5W (TA), 150W (TC) | |||||
 | SIHFBE30STRL-GE3 | 1.8400 | | 800 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | 1 (ilimito) | 742-SIHFBE30STRL-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 800 v | 4.1a (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10V | 4V A 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||
 | SIHK075N60EF-T1GE3 | 7.3900 | | 26 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerBsfn | SIHK075 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak®10 x 12 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 600 v | 33a (TC) | 10V | 71mohm @ 15a, 10V | 5V A 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 2954 PF @ 100 V | - | 192W (TC) | |||||
 | IRFPF40 | - | | 2484 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IRFPF40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFPF40 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 900 v | 4.7a (TC) | 10V | 2.5Ohm @ 2.8a, 10V | 4V A 250µA | 120 nc @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
| SI4923DY-T1-GE3 | - | | 1786 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4923 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 6.2a | 21mohm @ 8.3a, 10V | 3V A 250µA | 70NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
| SIHB180N60E-GE3 | 1.7861 | | 2921 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHB180 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 19a (TC) | 10V | 180mohm @ 9.5a, 10V | 5V A 250µA | 33 nc @ 10 V | ± 30V | 1085 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
 | SI6466ADQ-T1-GE3 | - | | 6212 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | Si6466 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 6.8a (ta) | 2.5V, 4.5V | 14mohm @ 8.1a, 4.5V | 450mv @ 250µA (min) | 27 NC @ 5 V | ± 8V | - | 1.05W (TA) | |||||
| SI9926CDY-T1-GE3 | 1.0700 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI9926 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 8a | 18mohm @ 8.3a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 33NC @ 10V | 1200pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||||||
| IRF740S | - | | 7243 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF740 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF740S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 v | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 63 nc @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
 | SI7403BDN-T1-GE3 | - | | 1342 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 | SI7403 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 8a (TC) | 2.5V, 4.5V | 74mohm @ 5.1a, 4.5V | 1V a 250µA | 15 nc @ 8 V | ± 8V | 430 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 9,6W (TC) | ||||
 | SI5458DU-T1-GE3 | 0,2284 | | 3940 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Single PowerPak® Chipfet ™ | SI5458 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Single PowerPak® Chipfet ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 6a (TC) | 4.5V, 10V | 41mohm @ 7.1a, 10V | 3V A 250µA | 9 nc @ 10 V | ± 20V | 325 pf @ 15 V | - | 3,5W (TA), 10,4W (TC) | |||||
| SIHG050N60E-GE3 | 9.8200 | | 8120 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG050 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 51a (TC) | 10V | 50mohm @ 23a, 10V | 5V A 250µA | 130 nc @ 10 V | ± 30V | 3459 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
| SI4462DY-T1-GE3 | - | | 2403 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4462 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 v | 1.15a (ta) | 6V, 10V | 480mohm @ 1.5a, 10V | 4V A 250µA | 9 nc @ 10 V | ± 20V | - | 1.3W (TA) | |||||
| SI4836DY-T1-GE3 | - | | 2498 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4836 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 12 v | 17a (TA) | 1.8V, 4.5V | 3mohm @ 25a, 4.5V | 400mv @ 250µA (min) | 75 NC a 4,5 V | ± 8V | - | 1.6W (TA) | |||||
 | Sqs850en-t1_be3 | 1.0300 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 21.5mohm @ 6.1a, 10V | 2,5V a 250µA | 41 nc @ 10 V | ± 20V | 2021 pf @ 30 V | - | 33W (TC) |
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