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Transistores (5716)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - Quebra (V (BR) GSS) | Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tensão - Corte (VGS desligado) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQ2303ES-T1_BE3 | 0,5300 |  | 658 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2303 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | 1 (ilimito) | 742-SQ2303ES-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 2.5a (TC) | 4.5V, 10V | 170mohm @ 1.7a, 10V | 2,5V a 250µA | 6,8 nc @ 10 V | ± 20V | 210 pf @ 25 V | - | 1.9W (TC) | ||||||||
 | SI3585DV-T1-GE3 | - | | 5975 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3585 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 830mW | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 20V | 2a, 1.5a | 125mohm @ 2.4a, 4.5V | 600mv @ 250µA (min) | 3.2NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||||
 | 2N4857JTXL02 | - | | 9658 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | Através do buraco | TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN | 2N4857 | TO-206AA (TO-18) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | |||||||||||||||||
 | Sir646DP-T1-GE3 | - | | 3786 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sir646 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 60a (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 20a, 10V | 2.2V A 250µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2230 pf @ 20 V | - | 5W (TA), 54W (TC) | ||||||||
 | SI2347DS-T1-BE3 | 0,4300 | | 461 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SI2347DS-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 3.8a (ta), 5a (tc) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 3.8a, 10V | 2,5V a 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 705 pf @ 15 V | - | 1.2W (TA), 1,7W (TC) | ||||||||
 | SI1302DL-T1-BE3 | 0,4400 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | SI1302 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-70-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 600mA (TA) | 480mohm @ 600Ma, 10V | 3V A 250µA | 1,4 nc @ 10 V | ± 20V | - | 280mW (TA) | ||||||||||
 | SIHG21N80AE-GE3 | 4.7800 | | 500 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG21 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2266-SIHG21N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 800 v | 17.4a (TC) | 10V | 235mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 1388 pf @ 100 V | - | 32W (TC) | |||||||
 | SQ3410EV-T1_BE3 | 0,7600 | | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | 1 (ilimito) | 742-SQ3410EV-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 17.5mohm @ 5a, 10V | 2,5V a 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1005 pf @ 15 V | - | 5W (TC) | |||||||||
 | SI4941EDY-T1-E3 | - | | 3427 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4941 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.6W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 10a | 21mohm @ 8.3a, 10V | 2,8V a 250µA | 70NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||||
| SI4831DY-T1-E3 | - | | 7337 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4831 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 30 v | 5a (ta) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 5a, 10V | 1V @ 250µA (min) | 20 NC @ 5 V | ± 20V | Diodo Schottky (Isolado) | 2W (TA) | ||||||||
| SI4446DY-T1-GE3 | - | | 1502 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4446 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 3.9a (ta) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 5.2a, 10V | 1.6V a 250µA | 12 NC a 4,5 V | ± 12V | 700 pf @ 20 V | - | 1.1W (TA) | |||||||
 | SI1922EDH-T1-GE3 | 0,4100 | | 4096 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1922 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.25W | SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 1.3a | 198MOHM @ 1A, 4.5V | 1V a 250µA | 2.5NC @ 8V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||||
| U440-E3 | - | | 4218 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-71-6 | U440 | 500 MW | - | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | 2 canal n (Duplo) | 3pf @ 10V | 25 v | 6 mA a 10 V | 1 V @ 1 NA | |||||||||||||
| SI7178DP-T1-GE3 | 3.0300 | | 1959 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SI7178 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 60a (TC) | 10V | 14mohm @ 10a, 10V | 4.5V a 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 2870 pf @ 50 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||||
| SI7882DP-T1-E3 | - | | 9527 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SI7882 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 v | 13A (TA) | 2.5V, 4.5V | 5.5mohm @ 17a, 4.5V | 1.4V A 250µA | 30 NC a 4,5 V | ± 8V | - | 1.9W (TA) | ||||||||
| SI4403BDY-T1-GE3 | - | | 6298 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4403 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 20 v | 7.3a (ta) | 1.8V, 4.5V | 17mohm @ 9.9a, 4.5V | 1V A 350µA | 50 nc @ 5 V | ± 8V | - | 1.35W (TA) | ||||||||
 | SQJ912AEP-T1_GE3 | - | | 5227 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJ912 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 48W | PowerPak® SO-8 dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 30a | 9.3mohm @ 9.7a, 10V | 2,5V a 250µA | 38NC @ 10V | 1835pf @ 20V | - | ||||||||||
 | SQJ211ELP-T1_GE3 | 1.6100 | | 9037 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SQJ211 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 100 v | 33.6a (TC) | 30mohm @ 8a, 10V | 2,5V a 250µA | 68 nc @ 10 V | ± 20V | 3800 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||
 | SQS462EN-T1_BE3 | 1.0300 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | 1 (ilimito) | 742-SQS462EN-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 63mohm @ 4.3a, 10V | 2,5V a 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 470 pf @ 25 V | - | 33W (TC) | |||||||||
| V961-0007-E3 | - | | 7506 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | * | Tubo | Obsoleto | V961 | - | 1 (ilimito) | 742-V961-0007-E3 | Obsoleto | 25 | - | ||||||||||||||||||||||||
 | SQJ868EP-T1_BE3 | 0,9800 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 dual | download | 1 (ilimito) | 742-SQJ868EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 58a (TC) | 10V | 7.35mohm @ 14a, 10v | 3,5V a 250µA | 55 nc @ 10 V | ± 20V | 2450 pf @ 20 V | - | 48W (TC) | |||||||||
 | IRF9540STRLPBF | 2.9500 | | 9 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF9540 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P. | 100 v | 19a (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 61 nc @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||||||
| SQJA68EP-T1_BE3 | 0,7500 | | 1291 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | 742-SQJA68EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 14a (TC) | 4.5V, 10V | 92mohm @ 4a, 10V | 2,5V a 250µA | 8 nc @ 10 V | ± 20V | 280 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||
| SI7462DP-T1-E3 | - | | 9434 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SI7462 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 v | 2.6a (ta) | 130mohm @ 4.1a, 10V | 4V A 250µA | 30 NC a 10 V | - | ||||||||||||
| SQ4920EY-T1_BE3 | 1.6700 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SQ4920 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4.4W (TC) | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | 742-SQ4920EY-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 8a (TC) | 14.5mohm @ 6a, 10V | 2,5V a 250µA | 30NC @ 10V | 1465pf @ 15V | - | ||||||||||
| SI4886DY-T1-E3 | - | | 5268 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4886 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 9.5a (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 13a, 10V | 800mv @ 250µA (min) | 20 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.56W (TA) | ||||||||
 | SI6562DQ-T1-E3 | - | | 7113 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | SI6562 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 20V | - | 30mohm @ 4.5a, 4.5V | 600mv @ 250µA (min) | 25NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||||||
| SQJ418EP-T1_BE3 | 1.1800 | | 5041 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | 742-SQJ418EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 48a (TC) | 10V | 14mohm @ 10a, 10V | 3,5V a 250µA | 35 nc @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||
 | SIHD12N50E-GE3 | 1.8000 | | 8456 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SIHD12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 550 v | 10.5a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 50 nc @ 10 V | ± 30V | 886 pf @ 100 V | - | 114W (TC) | ||||||||
 | SIHLU024-GE3 | 0,8400 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251AA | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 14a (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 8.4a, 5V | 2V A 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) |
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