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Transistores (5716)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3493BDV-T1-GE3 | 0,9600 |  | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3493 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 27.5mohm @ 7a, 4.5V | 900MV A 250µA | 43,5 nc @ 5 V | ± 8V | 1805 pf @ 10 V | - | 2.08W (TA), 2,97W (TC) | |||||
 | Irfz48strr | - | | 3451 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRFZ48 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10V | 4V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 190W (TC) | ||||
| SI3469DV-T1-E3 | 0,6600 | | 13 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3469 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 5a (ta) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 6.7a, 10V | 3V A 250µA | 30 NC a 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||
 | IRFI9Z24G | - | | 8756 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFI9 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *Irfi9z24g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P. | 60 v | 8.5a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.1a, 10V | 4V A 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | |||
 | SIRA12BDP-T1-GE3 | 0,7500 | | 12 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sira12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 27a (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 10a, 10V | 2.4V a 250µA | 32 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1470 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 38W (TC) | |||||
| IRL640SPBF | 2.3000 | | 155 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRL640 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRL640SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 v | 17a (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V A 250µA | 66 nc @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| SI3434DV-T1-GE3 | - | | 6851 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3434 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 4.6a (ta) | 2.5V, 4.5V | 34mohm @ 6.1a, 4.5V | 600mV @ 1Ma (min) | 12 NC a 4,5 V | ± 12V | - | 1.14W (TA) | |||||
 | IRF610LPBF | 0,8511 | | 1779 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IRF610 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRF610LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 200 v | 3.3a (TC) | 10V | 1.5OHM @ 2A, 10V | 4V A 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 36W (TC) | ||||
| IRL530STRRPBF | 1.1925 | | 3756 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRL530 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 v | 15a (TC) | 4V, 5V | 160mohm @ 9a, 5V | 2V A 250µA | 28 NC @ 5 V | ± 10V | 930 PF @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
| IRFI530GPBF | 1.9200 | | 973 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFI530 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRFI530GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 9.7a (TC) | 10V | 160mohm @ 5.8a, 10V | 4V A 250µA | 33 nc @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | ||||
 | IRFD020PBF | 1.5900 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD020 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-HVMDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 50 v | 2.4a (TC) | 10V | 100mohm @ 1.4a, 10V | 4V A 250µA | 24 nc @ 10 V | ± 20V | 400 pf @ 25 V | - | 1W (TC) | |||||
 | SUD50N024-09P-E3 | - | | 2897 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SUD50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 22 v | 49a (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 20a, 10V | 3V A 250µA | 16 nc @ 4,5 V | ± 20V | 1300 pf @ 10 V | - | 6.5W (TA), 39,5W (TC) | |||||
 | IRFU110 | - | | 7158 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | IRFU1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFU110 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 v | 4.3a (TC) | 10V | 540mohm @ 900Ma, 10V | 4V A 250µA | 8,3 nc @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||
 | SIZ200DT-T1-GE3 | 1.0300 | | 8725 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | SIZ200 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4.3W (TA), 33W (TC) | 8-Powerpair® (3.3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 22a (ta), 61a (tc), 22a (ta), 60a (tc) | 5.5mohm @ 10a, 10v, 5.8mohm @ 10a, 10V | 2.4V a 250µA | 28NC @ 10V, 30NC @ 10V | 1510pf @ 15V, 1600pf @ 15V | - | |||||||
 | SQJB60EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 8867 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJB60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 48W | PowerPak® SO-8 dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 30a (TC) | 12mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 30NC @ 10V | 1600pf @ 25V | - | |||||||
 | SQD100N03-3M2L_GE3 | 1.8700 | | 7112 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SQD100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 30 v | 100a (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 116 NC @ 10 V | ± 20V | 6316 pf @ 15 V | - | 136W (TC) | ||||||
| Irfbc40lcstrr | - | | 1371 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRFBC40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 v | 6.2a (TC) | 10V | 1.2OHM @ 3.7A, 10V | 4V A 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
 | IRF624 | - | | 1275 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF624 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF624 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 250 v | 4.4a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.6a, 10V | 4V A 250µA | 14 nc @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||
| IRF624S | - | | 8769 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF624 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF624S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 v | 4.4a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.6a, 10V | 4V A 250µA | 14 nc @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||
 | SI4974DY-T1-E3 | - | | 6086 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4974 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6a, 4.4a | 19mohm @ 8a, 10V | 3V A 250µA | 11nc @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
| IRFI520GPBF | 1.6000 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFI520 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRFI520GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 7.2a (TC) | 10V | 270mohm @ 4.3a, 10V | 4V A 250µA | 16 nc @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | ||||
| IRF644STRL | - | | 8130 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF644 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 v | 14a (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10V | 4V A 250µA | 68 nc @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SIHK125N60EF-T1GE3 | 5.4900 | | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | 8-PowerBsfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak®10 x 12 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 600 v | 21a (TC) | 10V | 125mohm @ 12a, 10V | 5V A 250µA | 45 nc @ 10 V | ± 30V | 1863 pf @ 100 V | - | 132W (TC) | ||||||
 | Sia811dj-t1-e3 | - | | 9902 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SC-70-6 Dual | Sia811 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SC-70-6 Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 4.5a (TC) | 1.8V, 4.5V | 94mohm @ 2.8a, 4.5V | 1V a 250µA | 13 NC @ 8 V | ± 8V | 355 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Isolado) | 1.9W (TA), 6,5W (TC) | ||||
| Irfbc30aspbf | 2.2000 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRFBC30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *Irfbc30aspbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 3.6a (TC) | 10V | 2.2OHM @ 2.2a, 10V | 4.5V a 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 510 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
| SI3433BDV-T1-GE3 | - | | 4278 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3433 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 4.3a (ta) | 1.8V, 4.5V | 42mohm @ 5.6a, 4.5V | 850mv @ 250µA | 18 NC a 4,5 V | ± 8V | - | 1.1W (TA) | |||||
 | SIE832DF-T1-E3 | - | | 3880 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 10-polarpak® (s) | SIE832 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 10-polarpak® (s) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 14a, 10v | 3V A 250µA | 77 nc @ 10 V | ± 20V | 3800 pf @ 20 V | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SIR588DP-T1-RE3 | 1.0000 | | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 v | 17.2a (ta), 59.5a (tc) | 7.5V, 10V | 8mohm @ 10a, 10V | 4V A 250µA | 28,5 NC a 10 V | ± 20V | 1380 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 59,5W (TC) | ||||||
 | IRFR110TRL | - | | 3210 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 4.3a (TC) | 10V | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V A 250µA | 8,3 nc @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
| IRLD110 | - | | 2265 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRLD110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-HVMDIP | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRLD110 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 v | 1a (ta) | 4V, 5V | 540MOHM @ 600MA, 5V | 2V A 250µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) |
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