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Transistores (5716)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF820AlPBF | 1.8600 |  | 5746 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IRF820 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRF820AlPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 500 v | 2.5a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V a 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 340 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
 | SIHG065N60E-GE3 | 7.3900 | | 639 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG065 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 v | 40A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 5V A 250µA | 74 NC @ 10 V | ± 30V | 2700 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | IRFI9Z24G | - | | 8756 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFI9 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *Irfi9z24g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P. | 60 v | 8.5a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.1a, 10V | 4V A 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | |||
 | SI4431BDY-T1-GE3 | 1.1200 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4431 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 30 v | 5.7a (ta) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 7.5a, 10V | 3V A 250µA | 20 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| IRFP244 | - | | 5470 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IRFP244 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFP244 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 250 v | 15a (TC) | 10V | 280mohm @ 9a, 10V | 4V A 250µA | 63 nc @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
 | IRF9520SPBF | 1.6800 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF9520 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRF9520SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P. | 100 v | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
 | SI3465DV-T1-GE3 | - | | 2979 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3465 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 3a (ta) | 4.5V, 10V | 80mohm @ 4a, 10V | 3V A 250µA | 5,5 nc @ 5 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||
| SI4322DY-T1-GE3 | - | | 2265 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4322 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 15a, 10V | 3V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 1640 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 5,4W (TC) | ||||
 | SI7218DN-T1-E3 | - | | 4083 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 Dual | SI7218 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 23W | PowerPak® 1212-8 Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 24a | 25mohm @ 8a, 10V | 3V A 250µA | 17NC @ 10V | 700pf @ 15V | - | |||||||
| IRF630STRR | - | | 7897 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF630 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 v | 9a (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4V A 250µA | 43 nc @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) | ||||
| IRFBF20LPBF | 1.2165 | | 5130 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IRFBF20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *Irfbf20lpbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 900 v | 1.7a (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10V | 4V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 54W (TC) | ||||
 | SIJ150DP-T1-GE3 | 1.2600 | | 9137 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sij150 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | 742-SIJ150DP-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 45 v | 30.9a (ta), 110a (tc) | 4.5V, 10V | 2.83mohm @ 15a, 10V | 2.3V A 250µA | 70 nc @ 10 V | +20V, -16V | 4000 pf @ 20 V | - | 5.2W (TA), 65,7W (TC) | |||||
 | SIHP12N50E-GE3 | 1.8600 | | 971 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SIHP12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 v | 10.5a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 50 nc @ 10 V | ± 30V | 886 pf @ 100 V | - | 114W (TC) | |||||
| IRFI9Z14G | - | | 8886 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFI9 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *Irfi9z14g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P. | 60 v | 5.3a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.2a, 10V | 4V A 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | |||
| SI3445DV-T1-GE3 | - | | 9610 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3445 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 8 v | 5.6a (ta) | 1.8V, 4.5V | 42mohm @ 5.6a, 4.5V | 1V a 250µA | 25 NC a 4,5 V | ± 8V | - | 2W (TA) | |||||
| Irfz48strr | - | | 3451 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRFZ48 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10V | 4V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 190W (TC) | ||||
 | IRFR120TRL | - | | 9931 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 7.7a (TC) | 10V | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V A 250µA | 16 nc @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | SIRA12BDP-T1-GE3 | 0,7500 | | 12 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sira12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 27a (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 10a, 10V | 2.4V a 250µA | 32 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1470 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 38W (TC) | |||||
| IRL640SPBF | 2.3000 | | 155 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRL640 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRL640SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 v | 17a (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V A 250µA | 66 nc @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| SQD50P03-07-T4_GE3 | 0,6985 | | 4339 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SQD50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SQD50P03-07-T4_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 30 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 146 NC @ 10 V | ± 20V | 5490 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||
| IRF740ASTL | - | | 3470 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF740 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 v | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 36 nc @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| SI4947ADY-T1-E3 | - | | 9209 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4947 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.2W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 3a | 80mohm @ 3.9a, 10V | 1V @ 250µA (min) | 8NC @ 5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
| SI7738DP-T1-E3 | 3.1700 | | 8509 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SI7738 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 v | 30a (TC) | 10V | 38mohm @ 7.7a, 10V | 4V A 250µA | 53 nc @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 75 V | - | 5.4W (TA), 96W (TC) | |||||
 | SIHF12N60E-GE3 | 2.8200 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | SIHF12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pacote completo parágrafo 220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 58 nc @ 10 V | ± 30V | 937 PF @ 100 V | - | 33W (TC) | |||||
| SI3493BDV-T1-GE3 | 0,9600 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3493 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 27.5mohm @ 7a, 4.5V | 900MV A 250µA | 43,5 nc @ 5 V | ± 8V | 1805 pf @ 10 V | - | 2.08W (TA), 2,97W (TC) | |||||
| IRFPC60LC | - | | 7104 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IRFPC60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *Irfpc60lc | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 16a (TC) | 10V | 400mohm @ 9.6a, 10V | 4V A 250µA | 120 nc @ 10 V | ± 30V | 3500 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||
 | SIZ200DT-T1-GE3 | 1.0300 | | 8725 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | SIZ200 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4.3W (TA), 33W (TC) | 8-Powerpair® (3.3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 22a (ta), 61a (tc), 22a (ta), 60a (tc) | 5.5mohm @ 10a, 10v, 5.8mohm @ 10a, 10V | 2.4V a 250µA | 28NC @ 10V, 30NC @ 10V | 1510pf @ 15V, 1600pf @ 15V | - | |||||||
| IRFR110TRL | - | | 3210 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 4.3a (TC) | 10V | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V A 250µA | 8,3 nc @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
| IRFI520GPBF | 1.6000 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFI520 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRFI520GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 7.2a (TC) | 10V | 270mohm @ 4.3a, 10V | 4V A 250µA | 16 nc @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | ||||
| IRF644STRL | - | | 8130 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF644 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 v | 14a (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10V | 4V A 250µA | 68 nc @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) |
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