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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Condição de teste | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tempo de recuperação reversa (trr) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUIRFS3107-7TRL | 1.0000 |  | 4840 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia) | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK (7 derivações) | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 75V | 240A (Tc) | 2,6mOhm a 160A, 10V | 4 V a 250 µA | 240 nC @ 10 V | 9200 pF a 50 V | - | 370W (Tc) | |||||||||||||||||||||
 | IRF7404TRPBF | 0,4000 | | 9942 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 104 | Canal P | 20 V | 6,7A (Ta) | 2,7 V, 4,5 V | 40 mOhm @ 3,2 A, 4,5 V | 700mV a 250µA (mín.) | 50 nC @ 4,5 V | ±12V | 1500 pF a 15 V | - | 2,5W (Ta) | ||||||||||||||||
 | AUIRF1010EZ | 1.2600 | | 6 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 60 V | 75A (Tc) | 8,5mOhm a 51A, 10V | 4 V a 250 µA | 86 nC @ 10 V | 2810 pF a 25 V | - | 140W (Tc) | ||||||||||||||||||
 | IRG4PC40KDPBF-IR | 1.0000 | | 6710 | 0,00000000 | Retificador Internacional | * | Volume | Ativo | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AUIRF3805STRL | - | | 3942 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 55V | 160A (Tc) | 3,3mOhm a 75A, 10V | 4 V a 250 µA | 290 nC @ 10 V | 7.960 pF a 25 V | - | 300W (Tc) | |||||||||||||||||||||
 | IRGP4266DPBF | - | | 6264 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 455 W | TO-247AC | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 75A, 10Ohm, 15V | 170ns | - | 650 V | 140A | 300A | 2,1V a 15V, 75A | 2,5mJ (ligado), 2,2mJ (desligado) | 210nC | 50ns/200ns | ||||||||||||||||
 | AUIRF1405ZS-7P | 1.0000 | | 2820 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia), TO-263CB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK (7 derivações) | download | Fornecedor indefinido | REACH não afetado | 2156-AUIRF1405ZS-7P-600047 | 1 | Canal N | 55V | 120A (Tc) | 10V | 4,9mOhm a 88A, 10V | 4 V a 150 µA | 230 nC @ 10 V | ±20V | 5360 pF a 25 V | - | 230W (Tc) | ||||||||||||||||||
 | IRGP4063D1-EPBF | 1.0000 | | 6820 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | IRGP4063D | padrão | 330 W | TO-247AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 48A, 10Ohm, 15V | 80 ns | - | 600 V | 100A | 192A | 2,14V a 15V, 48A | 1,4mJ (ligado), 1,1mJ (desligado) | 150nC | 60ns/160ns | |||||||||||||||
| IRLR7833TRPBF | - | | 7124 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 30 V | 140A (Tc) | 4,5V, 10V | 4,5mOhm a 15A, 10V | 2,3 V a 250 µA | 50 nC @ 4,5 V | ±20V | 4010 pF a 15 V | - | 140W (Tc) | |||||||||||||||||||
 | AUIRFS4010-7TRL | 3.9200 | | 1 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-8, D²Pak (7 derivações + guia), TO-263CA | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK-7 | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 83 | Canal N | 100V | 180A (Tc) | 4,7mOhm @ 106A, 10V | 4 V a 250 µA | 215 nC @ 10 V | ±20V | 9575 pF a 50 V | - | 375W (Tc) | |||||||||||||||||
| AUIRF3808S | - | | 8699 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 75V | 106A (Tc) | 7mOhm @ 82A, 10V | 4 V a 250 µA | 220 nC @ 10 V | ±20V | 5310 pF a 25 V | - | 200W (Tc) | |||||||||||||||||
| AUIRFB3207 | - | | 9778 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 75V | 75A (Tc) | 10V | 4,5mOhm a 75A, 10V | 4 V a 250 µA | 260 nC @ 10 V | ±20V | 7600 pF a 50 V | - | 300W (Tc) | |||||||||||||||||||
 | AUIRF6218S | - | | 8744 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-3 | download | Fornecedor indefinido | REACH afetado | 2156-AUIRF6218S-600047 | 1 | Canal P | 150 V | 27A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 16A, 10V | 5 V a 250 µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 2210 pF a 25 V | - | 250W (Tc) | ||||||||||||||||||
| IRFS7762TRLPBF | 1.0000 | | 400 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET®, StrongIRFET™ | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-3 | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 300 | Canal N | 75V | 85A (Tc) | 6V, 10V | 6,7mOhm a 51A, 10V | 3,7 V a 100 µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 4440 pF a 25 V | - | 140W (Tc) | |||||||||||||||||||
| AUIRLS3036 | - | | 1491 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-3 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 60 V | 195A (Tc) | 4,5V, 10V | 2,4mOhm a 165A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 140 nC @ 4,5 V | ±16V | 11210 pF a 50 V | - | 380W (Tc) | |||||||||||||||||||
| AUIRF1405ZSTRL | 1.0000 | | 6259 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 55V | 150A (Tc) | 10V | 4,9mOhm a 75A, 10V | 4 V a 250 µA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 4780 pF a 25 V | - | 230W (Tc) | |||||||||||||||||||
| IRFR24N15DPBF | - | | 3046 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 150 V | 24A (Tc) | 10V | 95mOhm @ 14A, 10V | 5 V a 250 µA | 45 nC @ 10 V | ±30V | 890 pF a 25 V | - | 140W (Tc) | ||||||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | - | | 6925 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia), TO-263CB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK (7 derivações) | - | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 60 V | 240A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,9mOhm a 180A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 160 nC @ 4,5 V | ±16V | 11270 pF a 50 V | - | 380W (Tc) | ||||||||||||||||||||
 | AUIRFBA1405 | - | | 2709 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-273AA | MOSFET (óxido metálico) | SUPER-220™ (TO-273AA) | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 163 | Canal N | 55V | 95A (Tc) | 10V | 5mOhm @ 101A, 10V | 4 V a 250 µA | 260 nC @ 10 V | ±20V | 5480 pF a 25 V | - | 330W (Tc) | |||||||||||||||||||
 | IRF8915PBF | 0,2000 | | 3472 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IRF89 | MOSFET (óxido metálico) | 2W | 8-SO | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 355 | 2 canais N (duplo) | 20V | 8.9A | 18,3mOhm a 8,9A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 7,4nC a 4,5V | 540pF a 10V | Portão de nível lógico | |||||||||||||||||||
| IRF40DM229 | 1.2100 | | 9 | 0,00000000 | Retificador Internacional | ForteIRFET™ | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | MF isométrico DirectFET™ | MOSFET (óxido metálico) | MF isométrico DirectFET™ | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 159A (Tc) | 6V, 10V | 1,85mOhm a 97A, 10V | 3,9 V a 100 µA | 161 nC @ 10 V | ±20V | 5317 pF a 25 V | - | 83W (Tc) | |||||||||||||||||||
| IRGP4062D-EPBF | - | | 6386 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 250W | TO-247AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 24A, 10Ohm, 15V | 89 ns | Trincheira | 600 V | 48A | 72A | 1,95V a 15V, 24A | 115 µJ (ligado), 600 µJ (desligado) | 75nC | 41ns/104ns | ||||||||||||||||
| IRG4BC30F-SPBF | 1.3300 | | 10 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | IRG4BC30F-SPBF | padrão | 100 W | D2PAK | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 480V, 17A, 23Ohm, 15V | - | 600 V | 31A | 120A | 1,8V a 15V, 17A | 230 µJ (ligado), 1,18 mJ (desligado) | 51nC | 21ns/200ns | ||||||||||||||||
| IRF1407LPBF | - | | 1444 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262 | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | Canal N | 75V | 100A (Tc) | 7,8mOhm a 78A, 10V | 4 V a 250 µA | 250 nC @ 10 V | 5600 pF a 25 V | - | ||||||||||||||||||||||
| AUIFR48Z | - | | 2017 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 55V | 42A (Tc) | 10V | 11mOhm a 37A, 10V | 4V @ 50µA | 60 nC @ 10 V | ±20V | 1720 pF a 25 V | - | 91W (Tc) | |||||||||||||||||||
| AUIRFSL8405 | - | | 6271 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 120A (Tc) | 10V | 2,3mOhm a 100A, 10V | 3,9 V a 100 µA | 161 nC @ 10 V | ±20V | 5193 pF a 25 V | - | 163W (Tc) | |||||||||||||||||||
| IKA08N65H5XKSA1 | - | | 2861 | 0,00000000 | Retificador Internacional | TRENCHSTOP® 5 | Volume | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | padrão | 31,2 W | PG-TO220-3-111 | - | RoHS não compatível | Fornecedor indefinido | 2156-IKA08N65H5XKSA1-600047 | 1 | 400V, 4A, 48Ohm, 15V | 40 ns | Parada de campo de trincheira | 650 V | 10,8A | 24A | 2,1V a 15V, 8A | 70 µJ (ligado), 30 µJ (desligado) | 22 nC | 11ns/115ns | ||||||||||||||||||
| AUIFR024NTRL | 1.0000 | | 9835 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | TO-252AA | - | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 55V | 17A (Tc) | 75mOhm @ 10A, 10V | 4 V a 250 µA | 20 nC @ 10 V | 370 pF a 25 V | - | 45W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
| AUILR024N | 0,6000 | | 11 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 55V | 17A (Tc) | 4V, 10V | 65mOhm @ 10A, 10V | 2V @ 250µA | 15 nC @ 5 V | ±16V | 480 pF a 25 V | - | 45W (Tc) | ||||||||||||||||
| IRFHE4250DTRPBF | 1.9300 | | 9 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 32-PowerVFQFN | IRFHE4250 | MOSFET (óxido metálico) | 156W (Tc) | 32-PQFN (6x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 2 canais N (duplo) | 25V | 86A (Tc), 303A (Tc) | 2,75 mOhm para 27 A, 10 V, 900 µOhm para 27 A, 10 V | 2,1 V a 35 µA, 2,1 V a 100 µA | 20nC a 4,5V, 53nC a 4,5V | 1735pF a 13V, 4765pF a 13V | - |
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