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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Tipo FET | Condição de teste | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tempo de recuperação reversa (trr) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLR7821PBF | - |  | 7115 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 30 V | 65A (Tc) | 4,5V, 10V | 10mOhm @ 15A, 10V | 1V @ 250µA | 14 nC @ 4,5 V | ±20V | 1030 pF a 15 V | - | 75W (Tc) | ||||||||||||||||||
 | IRG4RC10UDPBF | - | | 6966 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | padrão | 38 W | D-Pak | - | RoHS não compatível | Fornecedor indefinido | 2156-IRG4RC10UDPBF-600047 | 1 | 480V, 5A, 100Ohm, 15V | 28 ns | - | 600 V | 8,5A | 34A | 2,6V a 15V, 5A | 140 µJ (ligado), 120 µJ (desligado) | 15 nC | 40ns/87ns | |||||||||||||||||
 | IRG6B330UDPBF | 2.3700 | | 5 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | padrão | 160W | PARA-220AB | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 196V, 25A, 10Ohm | 60 ns | Trincheira | 330V | 70A | 2,76V a 15V, 120A | - | 85nC | 47ns/176ns | |||||||||||||||||||
 | AUIRFSL4115 | 2.4500 | | 6882 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 150 V | 99A (Tc) | 10V | 12,1mOhm a 62A, 10V | 5 V a 250 µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 5270 pF a 50 V | - | 375W (Tc) | ||||||||||||||||||
| IRGS4715DPBF | 1.1500 | | 2 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | padrão | 100 W | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 8A, 50Ohm, 15V | 86 ns | - | 650 V | 21A | 24A | 2V a 15V, 8A | 200 µJ (ligado), 90 µJ (desligado) | 30 nC | 30ns/100ns | |||||||||||||||||
| IRF200S234 | - | | 5507 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-3 | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 200 V | 90A | 10V | 16,9mOhm a 51A, 10V | 5 V a 250 µA | 162 nC @ 10 V | ±20V | 6484 pF a 50 V | - | 417W (Tc) | ||||||||||||||||||
 | IRF7401PBF | - | | 4715 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 20 V | 8,7A (Ta) | 2,7 V, 4,5 V | 22mOhm @ 4,1A, 4,5V | 700mV a 250µA (mín.) | 48 nC @ 4,5 V | ±12V | 1600 pF a 15 V | - | 2,5W (Ta) | |||||||||||||||
| AUIRFS4115 | - | | 3625 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 150 V | 99A (Tc) | 10V | 12,1mOhm a 62A, 10V | 5 V a 250 µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 5270 pF a 50 V | - | 375W (Tc) | ||||||||||||||||||
 | IRG4PC40FDPBF | 1.0000 | | 8316 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Não para novos designs | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 160W | TO-247AC | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 480V, 27A, 10Ohm, 15V | 42 ns | - | 600 V | 49A | 196A | 1,7V a 15V, 27A | 950 µJ (ligado), 2,01 mJ (desligado) | 100nC | 63ns/230ns | ||||||||||||||||||
 | IRFB4510PBF | 1.0000 | | 8609 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 100V | 62A (Tc) | 10V | 13,5mOhm a 37A, 10V | 4 V a 100 µA | 87 nC @ 10 V | ±20V | 3180 pF a 50 V | - | 140W (Tc) | |||||||||||||||
| AUIRF4004 | 3.3200 | | 303 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 195A (Tc) | 10V | 1,7mOhm a 195A, 10V | 4 V a 250 µA | 330 nC @ 10 V | ±20V | 8.920 pF a 25 V | - | 380W (Tc) | ||||||||||||||||||
 | IRF9335PBF | - | | 8839 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1.262 | Canal P | 30 V | 5,4A (Ta) | 4,5V, 10V | 59mOhm @ 5,4A, 10V | 2,4 V a 10 µA | 14 nC @ 10 V | ±20V | 386 pF a 25 V | - | 2,5W (Ta) | |||||||||||||||
 | AUIRLS3034-7P | 2.6600 | | 8774 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-8, D²Pak (7 derivações + guia), TO-263CA | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK (7 derivações) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 40 V | 240A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,4mOhm a 200A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 180 nC @ 4,5 V | ±20V | 10990 pF a 40 V | - | 380W (Tc) | |||||||||||||||
| IRFU6215PBF | - | | 1501 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | MOSFET (óxido metálico) | IPAK (TO-251) | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal P | 150 V | 13A (Tc) | 10V | 295mOhm @ 6,6A, 10V | 4 V a 250 µA | 66 nC @ 10 V | ±20V | 860 pF a 25 V | - | 110W (Tc) | |||||||||||||||
 | IPD50N04S308ATMA1 | - | | 1497 | 0,00000000 | Retificador Internacional | OptiMOS™ | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IPD50 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO252-3 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 2.500 | Canal N | 40 V | 50A (Tc) | 10V | 7,5mOhm a 50A, 10V | 4V @ 40µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 2350 pF a 25 V | - | 68W (Tc) | ||||||||||||||
 | IRFR18N15DTRLP | - | | 1059 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | Canal N | 150 V | 18A (Tc) | 125mOhm @ 11A, 10V | 5,5 V a 250 µA | 43 nC @ 10 V | 900 pF a 25 V | - | |||||||||||||||||||
 | IRF7456PBF | 1.0000 | | 6648 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 20 V | 16A (Ta) | 2,8V, 10V | 6,5mOhm a 16A, 10V | 2V @ 250µA | 62 nC @ 5 V | ±12V | 3640 pF a 15 V | - | 2,5W (Ta) | |||||||||||||||
| IRFS4410ZPBF | - | | 7765 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-3-2 | - | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 100V | 97A (Tc) | 9mOhm @ 58A, 10V | 4 V a 150 µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 4820 pF a 50 V | - | 230W (Tc) | ||||||||||||||||
| IRGS4045DTRLPBF | 1.0400 | | 5 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | padrão | 77W | D²PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 6A, 47Ohm, 15V | 74 ns | - | 600 V | 12A | 18A | 2V a 15V, 6A | 56 µJ (ligado), 122 µJ (desligado) | 19,5nC | 27ns/75ns | |||||||||||||||
 | IRG7PH37K10D-EPBF | 4.0700 | | 4 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 216W | TO-247AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 15A, 10Ohm, 15V | 120ns | - | 1200 V | 45A | 60A | 2,4V a 15V, 15A | 1mJ (ligado), 600µJ (desligado) | 135nC | 50ns/240ns | |||||||||||||||
| IRGP4086PBF | - | | 3911 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 160W | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 196V, 25A, 10Ohm | Trincheira | 300V | 70A | 2,96V a 15V, 120A | - | 65nC | 36ns/112ns | |||||||||||||||||
| IRGB4607DPBF | 0,8100 | | 24 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | padrão | 58 W | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 4A, 100Ohm, 15V | 48 ns | - | 600 V | 11A | 12A | 2,05V a 15V, 4A | 140 µJ (ligado), 62 µJ (desligado) | 9nC | 27ns/120ns | |||||||||||||||||
 | IRG4BC30KDPBF | - | | 4960 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | padrão | 100 W | PARA-220AB | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 16A, 23Ohm, 15V | 42 ns | - | 600 V | 28A | 56A | 2,7V a 15V, 16A | 600 µJ (ligado), 580 µJ (desligado) | 67nC | 60ns/160ns | |||||||||||||||
| IRGP20B60PDPBF | 2.3100 | | 7782 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 220W | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 79 | 390V, 13A, 10Ohm, 15V | 42 ns | TNP | 600 V | 40A | 80A | 2,8 V a 15 V, 20 A | 95 µJ (ligado), 100 µJ (desligado) | 68nC | 20ns/115ns | |||||||||||||||
| IRFHM8342TRPBF-IR | - | | 9853 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-PQFN-Duplo (3,3x3,3), Potência33 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 30 V | 10A (Ta), 28A (Tc) | 16mOhm @ 17A, 10V | 2,35 V a 25 µA | 10 nC @ 10 V | ±20V | 560 pF a 25 V | - | 2,6 W (Ta), 20 W (Tc) | ||||||||||||||||
| IRG7PH50K10D-EPBF | 6.1600 | | 9 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 400W | TO-247AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 35A, 5Ohm, 15V | 130 ns | - | 1200 V | 90A | 160A | 2,4V a 15V, 35A | 2,3mJ (ligado), 1,6mJ (desligado) | 300nC | 90ns/340ns | |||||||||||||||
| IRGP4066D-EPBF | - | | 1555 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 454 W | TO-247AD | download | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 75A, 10Ohm, 15V | 155 ns | Trincheira | 600 V | 140A | 225A | 2,1V a 15V, 75A | 2,47mJ (ligado), 2,16mJ (desligado) | 150nC | 50ns/200ns | |||||||||||||||||||
| IRG4PC30UPBF | 1.0000 | | 3660 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 100 W | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 12A, 23Ohm, 15V | - | 600 V | 23A | 92A | 2,1V a 15V, 12A | 160 µJ (ligado), 200 µJ (desligado) | 75nC | 17ns/78ns | ||||||||||||||||
| IRF8113GPBF | 0,3300 | | 950 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 950 | Canal N | 30 V | 17,2A (Ta) | 4,5V, 10V | 5,6mOhm @ 17,2A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 36 nC @ 4,5 V | ±20V | 2.910 pF a 15 V | - | 2,5W (Ta) | |||||||||||||||||
 | AUIRGSL30B60K | 2.3500 | | 8 | 0,00000000 | Retificador Internacional | * | Volume | Ativo | AUIRGSL30 | download | Fornecedor indefinido | REACH afetado | 2156-AUIRGSL30B60K-600047 | 1 |
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