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Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Tipo FET	Condição de teste	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tempo de recuperação reversa (trr)	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C
IRF242	1.8700	Solicitação de cotação	7069	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-	Através do furo	TO-204AA, TO-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-3	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		200 V	16A		-	-		-		-	125 W
IRFAC50	7.4200	Solicitação de cotação	129	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-	Através do furo	TO-204AA, TO-3			MOSFET (óxido metálico)		TO-204AA (TO-3)	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	8542.39.0001	1	Canal N		600V	10,6A	-	-	-		-		-	150W
AUILR3410TR	1.1100	Solicitação de cotação	14	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	AUILR3410		MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download					EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		100V	17A (Tc)	4V, 10V	105mOhm @ 10A, 10V	2V @ 250µA	34 nC @ 5 V	±16V	800 pF a 25 V	-	79W (Tc)
AUIFR3504Z	0,8200	Solicitação de cotação	7953	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download					EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		40 V	42A (Tc)	10V	9mOhm @ 42A, 10V	4 V a 250 µA	45 nC @ 10 V	±20V	1510 pF a 25 V	-	90W (Tc)
IRGR3B60KD2TRLP	-	Solicitação de cotação	6439	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	IRGR3B60	padrão		52W	D-Pak	-	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	8542.39.0001	3.000		400V, 3A, 100Ohm, 15V											77 ns	TNP	600V	7,8A	15,6A	2,4V a 15V, 3A	62 µJ (ligado), 39 µJ (desligado)	13nC	18ns/110ns
AUIFR4620TRL	-	Solicitação de cotação	2502	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-PAK (TO-252AA)	download					EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		200 V	24A (Tc)	10V	78mOhm a 15A, 10V	5 V a 100 µA	38 nC @ 10 V	±20V	1710 pF a 50 V	-	144W (Tc)
AUIRFS4127TRL	1.0000	Solicitação de cotação	4627	Retificador Internacional	Automotivo, AEC-Q101, HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO263-3	download					EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		200 V	72A (Tc)	10V	22mOhm @ 44A, 10V	5 V a 250 µA	150 nC @ 10 V	±20V	5380 pF a 50 V	-	375W (Tc)
IRFR8314TRPBF	0,6500	Solicitação de cotação	8654	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-PAK (TO-252AA)	download					EAR99	8542.39.0001	16	Canal N		30 V	90A (Tc)	4,5V, 10V	2,2mOhm a 90A, 10V	2,2 V a 100 µA	54 nC @ 4,5 V	±20V	4945 pF a 15 V	-	125W (Tc)
IRF6775MTRPBF	1.2100	Solicitação de cotação	597	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	MZ isométrico DirectFET™			MOSFET (óxido metálico)		DIRECTFETTM MZ	download					EAR99	8541.29.0095	249	Canal N		150 V	4,9A (Ta), 28A (Tc)	10V	56mOhm @ 5,6A, 10V	5 V a 100 µA	36 nC @ 10 V	±20V	1411 pF a 25 V	-	2,8 W (Ta), 89 W (Tc)
AUIRG4PC40S-E-IR	-	Solicitação de cotação	6740	Retificador Internacional	*	Volume	Ativo				AUIRG4					-	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado	2156-AUIRG4PC40S-E-IR	EAR99	0000.00.0000	1
IRF7413ZPBF	-	Solicitação de cotação	8243	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)			MOSFET (óxido metálico)		8-SO	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		30 V	13A (Ta)		10mOhm @ 13A, 10V	2,25 V a 250 µA	14 nC @ 4,5 V	±20V	1210 pF a 15 V	-	2,5W (Ta)
IRGP50B60PD1-EP	-	Solicitação de cotação	3649	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-3P-3		padrão		390 W	TO-247AD	download					EAR99	8542.39.0001	1		390 V, 33 A, 3,3 Ohm, 15 V											42 ns	TNP	600V	75A	150A	2,85 V a 15 V, 50 A	255 µJ (ligado), 375 µJ (desligado)	205 nC	30ns/130ns
IRFH7921TRPBF-IR	0,3600	Solicitação de cotação	11	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerVDFN			MOSFET (óxido metálico)		PQFN (5x6) Matriz Única	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		30 V	15A (Ta), 34A (Tc)	4,5V, 10V	8,5mOhm a 15A, 10V	2,35 V a 25 µA	14 nC @ 4,5 V	±20V	1210 pF a 15 V	-	3,1W (Ta)
IRFZ44NSTRRPBF	0,7900	Solicitação de cotação	450	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	450	Canal N		55V	49A (Tc)	10V	17,5mOhm a 25A, 10V	4 V a 250 µA	63 nC @ 10 V	±20V	1470 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 94 W (Tc)
AUIRFS8408-7TRL	1.0000	Solicitação de cotação	4524	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO263-7-900	download					EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		40 V	240A (Tc)	10V	1mOhm a 100A, 10V	3,9 V a 250 µA	315 nC @ 10 V	±20V	10250 pF a 25 V	-	294W (Tc)
IRFR7746TRPBF	-	Solicitação de cotação	8932	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	176-LQFP			MOSFET (óxido metálico)		176-LQFP (24x24)	download					EAR99	8542.39.0001	1	Canal N		75V	56A (Tc)	6V, 10V	11,2mOhm a 35A, 10V	3,7 V a 100 µA	89 nC @ 10 V	±20V	3107 pF a 25 V	-	99W (Tc)
AUIRF2907ZS-7P	-	Solicitação de cotação	1959	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia), TO-263CB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK (7 derivações)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		75V	180A (Tc)		3,8mOhm a 110A, 10V	4 V a 250 µA	260 nC @ 10 V		7580 pF a 25 V	-
IRGS4062DTRLPBF	1.0000	Solicitação de cotação	5832	Retificador Internacional	*	Volume	Ativo									download		Fornecedor indefinido	REACH não afetado	2156-IRGS4062DTRLPBF-600047			1
IRLR8729PBF	-	Solicitação de cotação	2904	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		TO-252AA	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		30 V	58A (Tc)		8,9mOhm a 25A, 10V	2,35 V a 25 µA	16 nC @ 4,5 V	±20V	1350 pF a 15 V	-	55W (Tc)
IRGP4072DPBF	3.9400	Solicitação de cotação	4	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		180 W	TO-247AC	-	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-IRGP4072DPBF	EAR99	8541.29.0095	1		240V, 40A, 10Ohm, 15V											122ns	Trincheira	300V	70A	120A	1,7V a 15V, 40A	409 µJ (ligado), 838 µJ (desligado)	73nC	18ns/144ns
IRL1404ZSPBF	1.0000	Solicitação de cotação	1407	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download					EAR99	8542.39.0001	1	Canal N		40 V	75A (Tc)	4,5V, 10V	3,1mOhm a 75A, 10V	2,7 V a 250 µA	110 nC @ 5 V	±16V	5080 pF a 25 V	-	230W (Tc)
IRLR7821PBF	-	Solicitação de cotação	7115	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download					EAR99	8542.39.0001	1	Canal N		30 V	65A (Tc)	4,5V, 10V	10mOhm @ 15A, 10V	1V @ 250µA	14 nC @ 4,5 V	±20V	1030 pF a 15 V	-	75W (Tc)
IRG6B330UDPBF	2.3700	Solicitação de cotação	5	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		padrão		160 W	PARA-220AB	download					EAR99	8542.39.0001	1		196V, 25A, 10Ohm											60 ns	Trincheira	330V	70A		2,76V a 15V, 120A	-	85nC	47ns/176ns
AUIRFSL4115	2.4500	Solicitação de cotação	6882	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (óxido metálico)		PARA-262	download					EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		150 V	99A (Tc)	10V	12,1mOhm a 62A, 10V	5 V a 250 µA	120 nC @ 10 V	±20V	5270 pF a 50 V	-	375W (Tc)
IRGS4715DPBF	1.1500	Solicitação de cotação	2	Retificador Internacional	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		padrão		100 W	D2PAK	download	Compatível com ROHS3				EAR99	8541.29.0095	50		400V, 8A, 50Ohm, 15V											86 ns	-	650 V	21A	24A	2V a 15V, 8A	200 µJ (ligado), 90 µJ (desligado)	30 nC	30ns/100ns
IRF200S234	-	Solicitação de cotação	5507	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO263-3	download					EAR99	8542.39.0001	1	Canal N		200 V	90A	10V	16,9mOhm a 51A, 10V	5 V a 250 µA	162 nC @ 10 V	±20V	6484 pF a 50 V	-	417W (Tc)
IRF7401PBF	-	Solicitação de cotação	4715	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)			MOSFET (óxido metálico)		8-SO	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		20 V	8,7A (Ta)	2,7 V, 4,5 V	22mOhm @ 4,1A, 4,5V	700mV a 250µA (mín.)	48 nC @ 4,5 V	±12V	1600 pF a 15 V	-	2,5W (Ta)
AUIRFS4115	-	Solicitação de cotação	3625	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download					EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		150 V	99A (Tc)	10V	12,1mOhm a 62A, 10V	5 V a 250 µA	120 nC @ 10 V	±20V	5270 pF a 50 V	-	375W (Tc)
IRG4PC40FDPBF	1.0000	Solicitação de cotação	8316	Retificador Internacional	-	Volume	Não para novos designs	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		160 W	TO-247AC	download					EAR99	8542.39.0001	1		480V, 27A, 10Ohm, 15V											42 ns	-	600V	49A	196A	1,7V a 15V, 27A	950 µJ (ligado), 2,01 mJ (desligado)	100nC	63ns/230ns
IRFB4510PBF	1.0000	Solicitação de cotação	8609	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		100V	62A (Tc)	10V	13,5mOhm a 37A, 10V	4 V a 100 µA	87 nC @ 10 V	±20V	3180 pF a 50 V	-	140W (Tc)

2.000+
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