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Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Tipo FET	Condição de teste	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tempo de recuperação reversa (trr)	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C
IRG4BC30FPBF	1.1200	Solicitação de cotação	770	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		padrão		100 W	PARA-220AB	download					EAR99	8541.29.0095	1			480V, 17A, 23Ohm, 15V												-	600V	31A	124A	1,8V a 15V, 17A	230 µJ (ligado), 1,18 mJ (desligado)	51nC	21ns/200ns
IRFS3006TRLPBF	-	Solicitação de cotação	9240	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download						0000.00.0000	1		Canal N		60 V	195A (Tc)	10V	2,5mOhm a 170A, 10V	4 V a 250 µA	300 nC @ 10 V	±20V	8.970 pF a 50 V	-	375W (Tc)
IRFS3607PBF	-	Solicitação de cotação	3192	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download					EAR99	8542.39.0001	1		Canal N		75V	80A (Tc)	10V	9mOhm @ 46A, 10V	4 V a 100 µA	84 nC @ 10 V	±20V	3070 pF a 50 V	-	140W (Tc)
AUIRF7484QTR	-	Solicitação de cotação	5539	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)			MOSFET (óxido metálico)		8-SO	-	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	4.000		Canal N		40 V	14A (Ta)	7V	10mOhm @ 14A, 7V	2V @ 250µA	100 nC @ 7 V	±8V	3520 pF a 25 V	-	2,5W (Ta)
IRG4PSC71UPBF	-	Solicitação de cotação	4897	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-274AA		padrão		350 W	SUPER-247™ (TO-274AA)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 60A, 5Ohm, 15V												-	600V	85A	200A	2V a 15V, 60A	420 µJ (ligado), 1,99 mJ (desligado)	340nC	34ns/56ns
IRGP4266PBF	3.8700	Solicitação de cotação	4	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		450 W	TO-247AC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			400V, 75A, 10Ohm, 15V												-	650 V	140A	300A	2,1V a 15V, 75A	3,2mJ (ligado), 1,7mJ (desligado)	210nC	80ns/200ns
AUIRFN8403TR	-	Solicitação de cotação	9243	Retificador Internacional	Automotivo, AEC-Q101, HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície, flanco molhável	8-PowerVDFN			MOSFET (óxido metálico)		PG-TDSON-8-10	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		40 V	95A (Tc)		3,3mOhm a 50A, 10V	3,9 V a 100 µA	98 nC @ 10 V	±20V	3174 pF a 25 V	-	4,3 W (Ta), 94 W (Tc)
AUIRF1010ZS	-	Solicitação de cotação	2758	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		55V	75A (Tc)	10V	7,5mOhm a 75A, 10V	4 V a 250 µA	95 nC @ 10 V	±20V	2840 pF a 25 V	-	140W (Tc)
AUIRF2804STRL	1.0000	Solicitação de cotação	5698	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download					EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		40 V	195A (Tc)	10V	2mOhm @ 75A, 10V	4 V a 250 µA	240 nC @ 10 V	±20V	6.450 pF a 25 V	-	300W (Tc)
IRFR9120NPBF	-	Solicitação de cotação	8371	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	IRFR9120		MOSFET (óxido metálico)		PG-TO252	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal P		100V	6,6A (Tc)		480mOhm a 3,9A, 10V	4 V a 250 µA	27 nC @ 10 V	±20V	350 pF a 25 V	-	40W (Tc)
IRFS4227TRLPBF	-	Solicitação de cotação	3869	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download						0000.00.0000	1		Canal N		200 V	62A (Tc)	10V	26mOhm @ 46A, 10V	5 V a 250 µA	98 nC @ 10 V	±30V	4600 pF a 25 V	-	330W (Tc)
AUILR024ZTRL	1.0000	Solicitação de cotação	5698	Retificador Internacional	Automotivo, AEC-Q101, HEXFET®	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download	Compatível com ROHS3				EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal N		55V	16A (Tc)		58mOhm @ 9,6A, 10V	3 V a 250 µA	9,9 nC a 5 V	±16V	380 pF a 25 V	-	35W (Tc)
IRG8P60N120KD-EPBF	6.9100	Solicitação de cotação	8	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		420W	TO-247AD	download					EAR99	8542.39.0001	1			600V, 40A, 5Ohm, 15V											210ns	-	1200 V	100A	120A	2V a 15V, 40A	2,8mJ (ligado), 2,3mJ (desligado)	345nC	40ns/240ns
AUIRFP4568-E	1.0000	Solicitação de cotação	2069	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3			MOSFET (óxido metálico)		TO-247AD	download					EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		150 V	171A (Tc)	10V	5,9mOhm @ 103A, 10V	5 V a 250 µA	227 nC @ 10 V	±30V	10470 pF a 50 V	-	517W (Tc)
IRGS4064DTRLPBF	-	Solicitação de cotação	3807	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		padrão		101W	D2PAK	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			400V, 10A, 22Ohm, 15V											62 ns	Trincheira	600V	20 A	40A	1,91V a 15V, 10A	29 µJ (ligado), 200 µJ (desligado)	32nC	27ns/79ns
IRF3007SPBF	-	Solicitação de cotação	8900	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		75V	62A (Tc)	10V	12,6mOhm a 48A, 10V	4 V a 250 µA	130 nC @ 10 V	±20V	3270 pF a 25 V	-	120W (Tc)
IRGB4060DPBF	1.2700	Solicitação de cotação	23	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		padrão		99 W	PARA-220AB	download	Não aplicável	3 (168 horas)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			400V, 8A, 47Ohm, 15V											60 ns	Trincheira	600V	16A	32A	1,85V a 15V, 8A	70 µJ (ligado), 145 µJ (desligado)	19 nC	30ns/95ns
IRF6811STRPBF	0,7000	Solicitação de cotação	35	Retificador Internacional	DirectFET®	Volume	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	SQ isométrico DirectFET™			MOSFET (óxido metálico)		SQ isométrico DirectFET™	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	225		Canal N		25 V	19A (Ta), 74A (Tc)		3,7mOhm a 19A, 10V	2,1 V a 35 µA	17 nC @ 4,5 V	±16V	1590 pF a 13 V	-	2,1 W (Ta), 32 W (Tc)
IRL530NSPBF	-	Solicitação de cotação	9316	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		100V	17A (Tc)	4V, 10V	100mOhm @ 9A, 10V	2V @ 250µA	34 nC @ 5 V	±20V	800 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 79 W (Tc)
IRFZ46ZSPBF	0,7100	Solicitação de cotação	800	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	-	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-IRFZ46ZSPBF	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		55V	51A (Tc)	10V	13,6mOhm a 31A, 10V	4 V a 250 µA	46 nC @ 10 V	±20V	1460 pF a 25 V	-	82W (Tc)
IRG4BC20SPBF	-	Solicitação de cotação	4469	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		padrão		60 W	PARA-220AB	download					EAR99	8541.29.0095	1			480V, 10A, 50Ohm, 15V												-	600V	19A	38A	1,6V a 15V, 10A	120 µJ (ligado), 2,05 mJ (desligado)	27 nC	27ns/540ns
IRFB3307ZPBF	1.0000	Solicitação de cotação	2506	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO220-3-904	download					EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		75V	120A (Tc)	10V	5,8mOhm a 75A, 10V	4 V a 1.037 mA	110 nC @ 10 V	±20V	4750 pF a 50 V	-	230W (Tc)
AUIRFS4610	-	Solicitação de cotação	4130	Retificador Internacional	Automotivo, AEC-Q101, HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		100V	73A (Tc)		14mOhm @ 44A, 10V	4 V a 100 µA	140 nC @ 10 V	±20V	3550 pF a 50 V	-	190W (Tc)
IRGS8B60KPBF	0,7900	Solicitação de cotação	1	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	IRGS8B60KPBF	padrão		167W	D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			400V, 8A, 50Ohm, 15V												TNP	600V	28A	34A	2,2V a 15V, 8A	160 µJ (ligado), 160 µJ (desligado)	29 nC	23ns/140ns
IRF7749L2TRPBF	1.0000	Solicitação de cotação	3722	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	DirectFET™ Isométrico L8			MOSFET (óxido metálico)		DIRECTFET L8	download					EAR99	8542.39.0001	1		Canal N		60 V	33A (Ta), 375A (Tc)	10V	1,5mOhm a 120A, 10V	4 V a 250 µA	300 nC @ 10 V	±20V	12320 pF a 25 V	-	3,3 W (Ta), 125 W (Tc)
IRGS4062DPBF	-	Solicitação de cotação	1408	Retificador Internacional	*	Volume	Ativo									download		Fornecedor indefinido	REACH afetado	2156-IRGS4062DPBF-600047			1
AUIRF3710ZSTRR	1.2300	Solicitação de cotação	6113	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo		Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO263-3	download					EAR99	8541.29.0095	73		Canal N		100V	59A (Tc)		18mOhm a 35A, 10V	4 V a 250 µA	120 nC @ 10 V		2.900 pF a 25 V	-
IRGB15B60KDPBF	-	Solicitação de cotação	8119	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		padrão		208W	PARA-220AB	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			400V, 15A, 22Ohm, 15V											92 ns	TNP	600V	31A	62A	2,2V a 15V, 15A	220 µJ (ligado), 340 µJ (desligado)	84nC	34ns/184ns
IRF7313PBF	1.0000	Solicitação de cotação	1064	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	IRF731		MOSFET (óxido metálico)	2W	8-SO	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	2 canais N (duplo)			30V	6,5A		29mOhm @ 5,8A, 10V	1V @ 250µA	33nC @ 10V		650pF a 25V	-
AUIRGP4062D-E	6.1200	Solicitação de cotação	1	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	AUIRGP4062	padrão		250W	PG-TO247AD	download					EAR99	8541.29.0095	1			400V, 24A, 10Ohm, 15V											89 ns	-	600V	48A	72A	1,95V a 15V, 24A	115 µJ (ligado), 600 µJ (desligado)	50nC	41ns/104ns

2.000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
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15.000 m²
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Transistores (1222)

2.000+

30.000.000

2.800+

15.000 m2

15.000 m²