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| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUIRF7484QTR | - |  | 5539 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 4.000 | N-canal | 40 v | 14a (ta) | 7V | 10mohm @ 14a, 7v | 2V A 250µA | 100 nc @ 7 V | ± 8V | 3520 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
 | IRGS15B60KDPBF | 1.0000 | | 5139 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Padrão | 208 w | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 15A, 22OHM, 15V | 92 ns | NPT | 600 v | 31 a | 62 a | 2.2V @ 15V, 15A | 220µJ (ON), 340µJ (Desligado) | 56 NC | 34ns/184ns | |||||||||||||||||
 | AUIRF3205Z | - | | 3054 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do Buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 6.5mohm @ 66a, 10V | 4V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 3450 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||||||||||||||||
| IRG4PC40WPBF | - | | 9780 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do Buraco | To-247-3 | Padrão | 160 w | TO-247AC | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 20A, 10OHM, 15V | - | 600 v | 40 a | 160 a | 2.5V @ 15V, 20A | 110µJ (ON), 230µJ (Off) | 98 NC | 27ns/100ns | ||||||||||||||||
| IRFS3006TRLPBF | - | | 9240 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 60 v | 195a (TC) | 10V | 2.5mohm @ 170a, 10V | 4V A 250µA | 300 nc @ 10 V | ± 20V | 8970 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||
| AUIRFB8407 | 1.0000 | | 8848 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do Buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 195a (TC) | 10V | 2mohm @ 100a, 10V | 4V A 150µA | 225 NC @ 10 V | ± 20V | 7330 PF @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRFB38N20DPBF | 1.3300 | | 3 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do Buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 226 | N-canal | 200 v | 43a (TC) | 10V | 54mohm @ 26a, 10V | 5V A 250µA | 91 nc @ 10 V | ± 20V | 2900 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | ||||||||||||||||||
 | AUIRFS3306TRL | - | | 3904 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | AUIRFS3306 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 60 v | 120A (TC) | 10V | 4.2mohm @ 75a, 10V | 4V A 150µA | 125 nc @ 10 V | ± 20V | 4520 pf @ 50 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||
 | AUIRF1018es | 1.2700 | | 15 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 60 v | 79a (TC) | 10V | 8.4mohm @ 47a, 10V | 4V @ 100µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 2290 pf @ 50 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||
| AUIRF4905 | - | | 8761 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do Buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P. | 55 v | 74a (TC) | 10V | 20mohm @ 38a, 10V | 4V A 250µA | 180 nc @ 10 V | ± 20V | 3400 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||
 | AUIRFSL4310 | - | | 9636 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do Buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-262 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 100 | N-canal | 100 v | 75a (TC) | 7mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 250 nc @ 10 V | 7670 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||
 | IRF7204PBF | - | | 7798 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.800 | Canal P. | 20 v | 5.3a (ta) | 60mohm @ 5.3a, 10V | 2,5V a 250µA | 25 nc @ 10 V | ± 12V | 860 pf @ 10 V | - | 2.5W (TC) | ||||||||||||||||||
 | AUIRGS30B60K-IR | - | | 5536 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Auirgs30 | Padrão | 370 w | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 30A, 10OHM, 15V | NPT | 600 v | 78 a | 120 a | 2.35V @ 15V, 30A | 350µJ (ON), 825µJ (Desligado) | 153 NC | 46ns/185ns | |||||||||||||||
 | IRFI1010NPBF-IR | - | | 9807 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do Buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220ab pak cheio | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 55 v | 49a (TC) | 10V | 12mohm @ 26a, 10V | 4V A 250µA | 130 nc @ 10 V | ± 20V | 2900 pf @ 25 V | - | 58W (TC) | |||||||||||||||
 | IRFH5007TR2PBF | - | | 2569 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pqfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 v | 17a (ta), 100a (tc) | 5.9mohm @ 50a, 10V | 4V A 150µA | 98 nc @ 10 V | 4290 pf @ 25 V | - | |||||||||||||||||||||
| IRFSL7437PBF | 1.0000 | | 4848 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET®, STROTLIRFET ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do Buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-262 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 40 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 1.8mohm @ 100a, 10V | 3.9V A 150µA | 225 NC @ 10 V | ± 20V | 7330 PF @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRF7855pbf | - | | 5126 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 60 v | 12a (ta) | 9.4mohm @ 12a, 10V | 4.9V @ 100µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1560 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||
| IRF3007PBF | - | | 2011 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do Buraco | To-220-3 | IRF3007 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 75 v | 75a (TC) | 10V | 12.6mohm @ 48a, 10V | 4V A 250µA | 130 nc @ 10 V | ± 20V | 3270 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||
| IRFBA90N20DPBF | - | | 5308 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do Buraco | TO-273AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Super-220 ™ (TO-273AA) | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 200 v | 98a (TC) | 10V | 23mohm @ 59a, 10V | 5V A 250µA | 240 nc @ 10 V | ± 30V | 6080 pf @ 25 V | - | 650W (TC) | |||||||||||||||
| IPS70R2K0Ceakma1 | - | | 1786 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do Buraco | TO-251-3 Leads de Stub, Ipak | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A251 | - | 2156-IPS70R2K0ceakma1 | 1 | N-canal | 700 v | 4a (TC) | 10V | 2OHM @ 1A, 10V | 3,5V a 70µA | 7,8 nc @ 10 V | ± 20V | 163 pf @ 100 V | - | 42W (TC) | |||||||||||||||||||
| IRFS3006pbf | - | | 1153 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 60 v | 195a (TC) | 10V | 2.5mohm @ 170a, 10V | 4V A 250µA | 300 nc @ 10 V | ± 20V | 8970 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||
 | IRLL024NPBF | - | | 6013 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223 | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 55 v | 3.1a (ta) | 65mohm @ 3.1a, 10V | 2V A 250µA | 15,6 nc @ 5 V | ± 16V | 510 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||
| IRF3710ZSPBF | 1.0000 | | 7340 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 v | 59a (TC) | 10V | 18mohm @ 35a, 10V | 4V A 250µA | 120 nc @ 10 V | ± 20V | 2900 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | |||||||||||||||
 | IRFH7936TRPBF | 0,3600 | | 4 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pqfn (5x6) | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 30 v | 20a (ta), 54a (tc) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10V | 2.35V @ 50µA | 26 NC a 4,5 V | ± 20V | 2360 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||||||
| Auirfz44zs | - | | 7450 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 v | 51a (TC) | 10V | 13.9mohm @ 31a, 10V | 4V A 250µA | 43 nc @ 10 V | ± 20V | 1420 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | ||||||||||||||||||
| AUIRFSL8407 | 1.0000 | | 7931 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do Buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-262 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 195a (TC) | 10V | 2mohm @ 100a, 10V | 4V A 150µA | 225 NC @ 10 V | ± 20V | 7330 PF @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRGS4607DTRLPBF | 0,9300 | | 3 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Padrão | 58 w | D2PAK | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 4A, 100OHM, 15V | 48 ns | - | 600 v | 11 a | 12 a | 2.05V @ 15V, 4A | 140µJ (ON), 62µJ (Off) | 9 NC | 27ns/120ns | ||||||||||||||||||
| AUIRFU4104 | 0,8400 | | 21 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do Buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA-251-3-21 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 40 v | 42a (TC) | 5.5mohm @ 42a, 10V | 4V A 250µA | 89 NC @ 10 V | ± 20V | 2950 PF @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRF8327STRPBF | - | | 7296 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFet ™ SQ Isométrico | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFET ™ SQ | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 506 | N-canal | 30 v | 14a (ta), 60a (tc) | 4.5V, 10V | 7.3mohm @ 14a, 10v | 2.4V @ 25µA | 14 NC a 4,5 V | ± 20V | 1430 PF @ 15 V | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||
| AUIRFS3207Ztrl | - | | 7809 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 86 | N-canal | 75 v | 120A (TC) | 4.1mohm @ 75a, 10V | 4V A 150µA | 170 nc @ 10 V | 6920 PF @ 50 V | - | 300W (TC) |
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