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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Tipo FET | Condição de teste | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tempo de recuperação reversa (trr) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFI1010NPBF-IR | - | ![]() | 9807 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | Pacote completo TO-220AB | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 55 V | 49A (Tc) | 10V | 12mOhm @ 26A, 10V | 4 V a 250 µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 2.900 pF a 25 V | - | 58W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | IRFB38N20DPBF | 1.3300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 226 | Canal N | 200 V | 43A (Tc) | 10V | 54mOhm @ 26A, 10V | 5 V a 250 µA | 91 nC @ 10 V | ±20V | 2.900 pF a 25 V | - | 3,8 W (Ta), 300 W (Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRL1404ZSTRL | 2.0600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 160A (Tc) | 4,5V, 10V | 3,1mOhm a 75A, 10V | 2,7 V a 250 µA | 110 nC @ 5 V | ±16V | 5080 pF a 25 V | - | 200W (Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | IRFS41N15DTRLP | - | ![]() | 8779 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 150 V | 41A (Tc) | 10V | 45mOhm a 25A, 10V | 5,5 V a 250 µA | 110 nC @ 10 V | ±30V | 2520 pF a 25 V | - | 3,1W (Ta) | |||||||||||||||
![]() | IRFR13N15DPBF | 1.0000 | ![]() | 6627 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 150 V | 14A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 8,3A, 10V | 5,5 V a 250 µA | 29 nC @ 10 V | ±30V | 620 pF a 25 V | - | 86W (Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRF1018ES | 1.2700 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 60 V | 79A (Tc) | 10V | 8,4mOhm a 47A, 10V | 4 V a 100 µA | 69 nC @ 10 V | ±20V | 2.290 pF a 50 V | - | 110W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | IRGS4064DPBF | 1.2400 | ![]() | 6989 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | padrão | 101W | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 181 | 400V, 10A, 22Ohm, 15V | 62 ns | Trincheira | 600V | 20 A | 40A | 1,91V a 15V, 10A | 29 µJ (ligado), 200 µJ (desligado) | 32nC | 27ns/79ns | |||||||||||||||||
![]() | AUIRFS8408 | 1.4000 | ![]() | 268 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | IRFS8408 | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 40 V | 195A (Tc) | 10V | 1,6mOhm a 100A, 10V | 3,9 V a 250 µA | 324 nC @ 10 V | ±20V | 10820 pF a 25 V | - | 294W (Tc) | ||||||||||||||
![]() | IRGP30B120KD-EP | - | ![]() | 8619 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 300W | TO-247AD | - | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 25A, 5Ohm, 15V | 300 ns | TNP | 1200 V | 60A | 120A | 4V a 15V, 60A | 1,07mJ (ligado), 1,49mJ (desligado) | 169nC | - | |||||||||||||||
![]() | IRFU9024NPBF | - | ![]() | 4353 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | MOSFET (óxido metálico) | IPAK (TO-251AA) | - | Fornecedor indefinido | REACH não afetado | 2156-IRFU9024NPBF-600047 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal P | 55 V | 11A (Tc) | 10V | 175mOhm @ 6,6A, 10V | 4 V a 250 µA | 19 nC @ 10 V | ±20V | 350 pF a 25 V | - | 38W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | AUIRF2804 | - | ![]() | 5565 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 195A (Tc) | 10V | 2,3mOhm a 75A, 10V | 4 V a 250 µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 6.450 pF a 25 V | - | 300W (Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRFS4310TRL | 1.0000 | ![]() | 7915 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 100V | 75A (Tc) | 10V | 7mOhm @ 75A, 10V | 4 V a 250 µA | 250 nC @ 10 V | ±20V | 7670 pF a 50 V | - | 300W (Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRFB8405-071 | 3.2300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Retificador Internacional | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | REACH não afetado | 2156-AUIRFB8405-071-600047 | 101 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFZ44VZS | - | ![]() | 2296 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 60 V | 57A (Tc) | 10V | 12mOhm @ 34A, 10V | 4 V a 250 µA | 65 nC @ 10 V | ±20V | 1690 pF a 25 V | - | 92W (Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRFS8403 | 1.1800 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-3 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 123A (Tc) | 10V | 3,3mOhm a 70A, 10V | 3,9 V a 100 µA | 93 nC @ 10 V | ±20V | 3183 pF a 25 V | - | 99W (Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRGP4066D1 | - | ![]() | 2564 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 454W | TO-247AC | - | RoHS não compatível | Fornecedor indefinido | 2156-AUIRGP4066D1-600047 | 1 | 400V, 75A, 10Ohm, 15V | 240ns | Trincheira | 600V | 140A | 225A | 2,1V a 15V, 75A | 4,24mJ (ligado), 2,17mJ (desligado) | 225nC | 50ns/200ns | |||||||||||||||||
![]() | IRLR7843PBF | - | ![]() | 1539 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 30 V | 161A (Tc) | 4,5V, 10V | 3,3mOhm a 15A, 10V | 2,3 V a 250 µA | 50 nC @ 4,5 V | ±20V | 4380 pF a 15 V | - | 140W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | IRF7458PBF | - | ![]() | 5805 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | - | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.800 | Canal N | 30 V | 14A (Ta) | 10V, 16V | 8mOhm @ 14A, 16V | 4 V a 250 µA | 59 nC @ 10 V | ±30V | 2.410 pF a 15 V | - | 2,5W (Ta) | |||||||||||||||||
![]() | AUIRF1404ZSTRLCT | 1.9900 | ![]() | 548 | 0,00000000 | Retificador Internacional | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | REACH não afetado | 2156-AUIRF1404ZSTRLCT-600047 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF3504-IR | - | ![]() | 4759 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | - | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-AUIRF3504-IR | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 40 V | 87A (Tc) | 9,2mOhm a 52A, 10V | 4 V a 100 µA | 54 nC @ 10 V | ±20V | 2150 pF a 25 V | - | 143W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | IRFSL4620PBF | 1.0000 | ![]() | 4772 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262 | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 200 V | 24A (Tc) | 10V | 77,5mOhm a 15A, 10V | 5 V a 100 µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 1710 pF a 50 V | - | 144W (Tc) | |||||||||||||||||
![]() | AUIRF7799L2TR | - | ![]() | 5314 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DirectFET™ Isométrico L8 | MOSFET (óxido metálico) | DirectFET™ Isométrico L8 | download | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 250 V | 375A (Tc) | 10V | 38mOhm @ 21A, 10V | 5 V a 250 µA | 165 nC @ 10 V | ±30V | 6714 pF a 25 V | - | 4,3 W (Ta), 125 W (Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | IRGP4660DPBF | 5.5600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 330W | TO-247AC | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 54 | 400V, 48A, 10Ohm, 15V | 115 ns | - | 600V | 100A | 144A | 1,9V a 15V, 48A | 625 µJ (ligado), 1,28 mJ (desligado) | 140nC | 60ns/145ns | ||||||||||||||||||
![]() | IRG4IBC30WPBF | 1.0000 | ![]() | 5737 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | padrão | 45W | Pacote completo TO-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 12A, 23Ohm, 15V | - | 600V | 17A | 92A | 2,7V a 15V, 12A | 130 µJ (ligado), 130 µJ (desligado) | 51nC | 25ns/99ns | ||||||||||||||||
![]() | IRFU4105ZPBF-IR | 0,4200 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | MOSFET (óxido metálico) | IPAK (TO-251AA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 55 V | 30A (Tc) | 10V | 24,5mOhm a 18A, 10V | 4 V a 250 µA | 27 nC @ 10 V | ±20V | 740 pF a 25 V | - | 48W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | IRGS4620DPBF | 1.4300 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | padrão | 140W | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 12A, 22Ohm, 15V | 68 ns | - | 600V | 32A | 36A | 1,85V a 15V, 12A | 75 µJ (ligado), 225 µJ (desligado) | 25 nC | 31ns/83ns | |||||||||||||||||
![]() | AUIRFS6535 | - | ![]() | 9088 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-3 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 300V | 19A (Tc) | 10V | 185mOhm @ 11A, 10V | 5 V a 150 µA | 57 nC @ 10 V | ±20V | 2340 pF a 25 V | - | 210W (Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | IRLR8259PBF | - | ![]() | 7570 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 425 | Canal N | 25 V | 57A (Tc) | 4,5V, 10V | 8,7mOhm a 21A, 10V | 2,35 V a 25 µA | 10 nC @ 4,5 V | ±20V | 900 pF a 13 V | - | 48W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | IRLR7807ZTRPBF | - | ![]() | 8634 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | - | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 30 V | 43A (Tc) | 4,5V, 10V | 13,8mOhm a 15A, 10V | 2,25 V a 250 µA | 11 nC @ 4,5 V | ±20V | 780 pF a 15 V | - | 40W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | IRG4PC50FPBF | - | ![]() | 8716 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 200W | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 39A, 5Ohm, 15V | - | 600V | 70A | 280A | 1,6V a 15V, 39A | 370 µJ (ligado), 2,1 mJ (desligado) | 190nC | 31ns/240ns |

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