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Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caixa	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Tipo FET	Condição de teste	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tempo de recuperação reversa (trr)	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C
IRG4BC30S-STRLP	1.2300	Solicitação de cotação	3	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		padrão		100 W	D2PAK	download	Não aplicável				EAR99	8541.29.0095	800		480V, 18A, 23Ohm, 15V												-	600V	34A	68A	1,6V a 15V, 18A	260 µJ (ligado), 3,45 mJ (desligado)	50nC	22ns/540ns
IRGP4740D-EPBF	2.5700	Solicitação de cotação	5	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		250W	TO-247AD	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		400V, 24A, 10Ohm, 15V											170ns	-	650 V	60A	72A	2V a 15V, 24A	520 µJ (ligado), 240 µJ (desligado)	70nC	24ns/73ns
IRG4BC30UPBF	1.3900	Solicitação de cotação	441	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		padrão		100 W	PARA-220AB	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		480V, 12A, 23Ohm, 15V												-	600V	23A	92A	2,1V a 15V, 12A	160 µJ (ligado), 200 µJ (desligado)	50nC	17ns/78ns
IRFS31N20DTRLP	-	Solicitação de cotação	8207	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH afetado		EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		200 V	31A (Tc)	10V	82mOhm @ 18A, 10V	5,5 V a 250 µA	107 nC @ 10 V	±30V	2370 pF a 25 V	-	3,1 W (Ta), 200 W (Tc)
IRGB6B60KPBF	1.0000	Solicitação de cotação	3558	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		padrão		90 W	PARA-220AB	-	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		400V, 5A, 100Ohm, 15V												TNP	600V	13A	26A	2,2V a 15V, 5A	110 µJ (ligado), 135 µJ (desligado)	18,2nC	25ns/215ns
IRFL014NPBF	-	Solicitação de cotação	5455	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (óxido metálico)		SOT-223	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		55 V	1,9A (Ta)		160mOhm @ 1,9A, 10V	4 V a 250 µA	11 nC @ 10 V	±20V	190 pF a 25 V	-	1W (Ta)
IRG7PH28UD1PBF	2.0300	Solicitação de cotação	7	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		115W	TO-247AC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		600V, 15A, 22Ohm, 15V												Trincheira	1200 V	30 A	100A	2,3V a 15V, 15A	543 µJ (desligado)	90nC	-/229ns
IRL3103STRLPBF	1.0000	Solicitação de cotação	9926	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		30 V	64A (Tc)	4,5V, 10V	12mOhm @ 34A, 10V	1V @ 250µA	33 nC @ 4,5 V	±16V	1650 pF a 25 V	-	94W (Tc)
AUIRLS3034TRL	2.6100	Solicitação de cotação	23	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	800	Canal N		40 V	195A (Tc)		1,7mOhm a 195A, 10V	2,5 V a 250 µA	162 nC @ 4,5 V		10315 pF a 25 V	-	375W (Tc)
IRF322	1.0000	Solicitação de cotação	6118	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-	Através do furo	TO-204AA, TO-3			MOSFET (óxido metálico)		TO-204AA (TO-3)	download					EAR99	8542.39.0001	1	Canal N		400V	2,8A	-	-	-		-		-	50W
IRFR120NPBF	-	Solicitação de cotação	8749	Retificador Internacional	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download	Compatível com ROHS3				EAR99	8541.29.0095	3.000	Canal N		100V	9,4A (Tc)	10V	210mOhm @ 5,6A, 10V	4 V a 250 µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF a 25 V	-	48W (Tc)
IRF3710ZSPBF	1.0000	Solicitação de cotação	7340	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		100V	59A (Tc)	10V	18mOhm a 35A, 10V	4 V a 250 µA	120 nC @ 10 V	±20V	2.900 pF a 25 V	-	160W (Tc)
AUIRFL014NTR	0,4200	Solicitação de cotação	16	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (óxido metálico)		SOT-223	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	2.500	Canal N		55 V	1,5A (Ta)	10V	160mOhm @ 1,9A, 10V	4 V a 250 µA	11 nC @ 10 V	±20V	190 pF a 25 V	-	1W (Ta)
IRL540NSPBF	-	Solicitação de cotação	6319	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		100V	36A (Tc)	4V, 10V	44mOhm @ 18A, 10V	2V @ 250µA	74 nC @ 5 V	±16V	1800 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 140 W (Tc)
IRG4PH30KPBF	1.0000	Solicitação de cotação	9106	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		100 W	TO-247AC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		960V, 10A, 23Ohm, 15V												-	1200 V	20 A	40A	4,2V a 15V, 10A	640 µJ (ligado), 920 µJ (desligado)	53nC	28ns/200ns
IRF6668TRPBF	0,9400	Solicitação de cotação	59	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	MZ isométrico DirectFET™			MOSFET (óxido metálico)		DIRECTFETTM MZ	download					EAR99	8541.29.0095	318	Canal N		80 V	55A (Tc)	10V	15mOhm @ 12A, 10V	4,9 V a 100 µA	31 nC @ 10 V	±20V	1320 pF a 25 V	-	2,8 W (Ta), 89 W (Tc)
AUIRGF66524D0	-	Solicitação de cotação	1539	Retificador Internacional	Automotivo, AEC-Q101, COOLiRIGBT™	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		214W	TO-247AC	-	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-AUIRGF66524D0-600047			1		400V, 24A, 10Ohm, 15V											176 ns	Trincheira	600V	60A	72A	1,9V a 15V, 24A	915 µJ (ligado), 280 µJ (desligado)	50nC	30ns/75ns
AUIFR3806	1.0000	Solicitação de cotação	8191	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-PAK (TO-252AA)	download					EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		60 V	43A (Tc)	10V	15,8mOhm a 25A, 10V	4V @ 50µA	30 nC @ 10 V	±20V	1150 pF a 50 V	-	71W (Tc)
AUIRFZ44N	0,9400	Solicitação de cotação	1	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		55 V	49A (Tc)	10V	17,5mOhm a 25A, 10V	4 V a 250 µA	63 nC @ 10 V	±20V	1470 pF a 25 V	-	94W (Tc)
IRFSL7730PBF	1.8400	Solicitação de cotação	899	Retificador Internacional	HEXFET®, StrongIRFET™	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA	IRFSL7730		MOSFET (óxido metálico)		PARA-262	download					EAR99	8542.39.0001	1	Canal N		75 V	195A (Tc)	6V, 10V	2,6mOhm a 100A, 10V	3,7 V a 250 µA	407 nC @ 10 V	±20V	13660 pF a 25 V	-	375W (Tc)
IRFL024NTRPBF	-	Solicitação de cotação	8798	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (óxido metálico)		SOT-223	download					EAR99	8542.39.0001	1	Canal N		55 V	2,8A (Ta)	10V	75mOhm @ 2,8A, 10V	4 V a 250 µA	18,3 nC a 10 V	±20V	400 pF a 25 V	-	1W (Ta)
IRF7406PBF	-	Solicitação de cotação	8368	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)			MOSFET (óxido metálico)		8-SO	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal P		30 V	5,8A (Ta)	4,5V, 10V	45mOhm @ 2,8A, 10V	1V @ 250µA	59 nC @ 10 V	±20V	1100 pF a 25 V	-	2,5W (Ta)
AUIRF4905L	2.2800	Solicitação de cotação	5	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-262			MOSFET (óxido metálico)		PARA-262	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal P		55 V	42A (Tc)	10V	20mOhm a 42A, 10V	4 V a 250 µA	180 nC @ 10 V	±20V	3500 pF a 25 V	-	200W (Tc)
AUIRFS8407TRL	-	Solicitação de cotação	1946	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO263-3	download					EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		40 V	195A (Tc)	10V	1,8mOhm a 100A, 10V	4 V a 150 µA	225 nC @ 10 V	±20V	7330 pF a 25 V	-	230W (Tc)
AUIRFU1010Z	0,8800	Solicitação de cotação	825	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO251-3	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		55 V	42A (Tc)		7,5mOhm a 42A, 10V	4 V a 100 µA	95 nC @ 10 V	±20V	2840 pF a 25 V	-	140W (Tc)
AUIRFS3806	0,8600	Solicitação de cotação	8	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO263-3	download					EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		60 V	43A (Tc)	10V	15,8mOhm a 25A, 10V	4V @ 50µA	30 nC @ 10 V	±20V	1150 pF a 50 V	-	71W (Tc)
AUIFR1010ZTRL	-	Solicitação de cotação	4639	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-PAK (TO-252AA)	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	3.000	Canal N		55 V	42A (Tc)		7,5mOhm a 42A, 10V	4 V a 100 µA	95 nC @ 10 V		2840 pF a 25 V	-	140W (Tc)
IRFIZ48NPBF	-	Solicitação de cotação	5791	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-220-3			MOSFET (óxido metálico)		Pacote completo TO-220AB	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		55 V	40A (Tc)	10V	16mOhm @ 22A, 10V	4 V a 250 µA	89 nC @ 10 V	±20V	1900 pF a 25 V	-	54W (Tc)
IRFS4310ZPBF	-	Solicitação de cotação	7368	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO263-3-2	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		100V	120A (Tc)		6mOhm @ 75A, 10V	4 V a 150 µA	170 nC @ 10 V	±20V	6860 pF a 50 V	-	250W (Tc)
IRGB4620DPBF	-	Solicitação de cotação	5085	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		padrão		140W	PARA-220AB	-	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-IRGB4620DPBF-600047			1		400V, 12A, 22Ohm, 15V											68 ns	-	600V	32A	36A	1,85V a 15V, 12A	75 µJ (ligado), 225 µJ (desligado)	25 nC	31ns/83ns

2.000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
Fabricantes mundiais
15.000 m²
Armazém em estoque

Transistores (1222)

2.000+

30.000.000

2.800+

15.000 m2

15.000 m²