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Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Tipo FET	Condição de teste	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tempo de recuperação reversa (trr)	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C
IRLS4030-7PPBF	-	Solicitação de cotação	9664	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia), TO-263CB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK (7 derivações)	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH afetado	EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		100V	190A (Tc)	4,5V, 10V	3,9mOhm a 110A, 10V	2,5 V a 250 µA	140 nC @ 4,5 V	±16V	11490 pF a 50 V	-	370W (Tc)
AUIRF7736M2TR	-	Solicitação de cotação	6357	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	DirectFET™ Isométrico M4			MOSFET (óxido metálico)		DirectFET™ Isométrico M4	download				EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		40 V	22A (Ta), 108A (Tc)	10V	3mOhm @ 65A, 10V	4 V a 150 µA	108 nC @ 10 V	±20V	4267 pF a 25 V	-	2,5W (Ta), 63W (Tc)
IRGP4790D-EPBF	1.0000	Solicitação de cotação	6141	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		455 W	TO-247AD	download				EAR99	8542.39.0001	1			400V, 75A, 10Ohm, 15V											170ns	-	650 V	140A	225A	2V a 15V, 75A	2,5mJ (ligado), 2,2mJ (desligado)	210nC	50ns/200ns
IRFS7540TRLPBF	1.0000	Solicitação de cotação	5138	Retificador Internacional	HEXFET®, StrongIRFET™	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO263-3	download				EAR99	8542.39.0001	212		Canal N		60 V	110A (Tc)	6V, 10V	5,1mOhm a 65A, 10V	3,7 V a 100 µA	130 nC @ 10 V	±20V	4555 pF a 25 V	-	160W (Tc)
IRLS3034-7PPBF	-	Solicitação de cotação	5984	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia), TO-263CB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK (7 derivações)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		40 V	240A (Tc)	4,5V, 10V	1,4mOhm a 200A, 10V	2,5 V a 250 µA	180 nC @ 4,5 V	±20V	10990 pF a 40 V	-	380W (Tc)
IRF7807ZPBFPRO	1.0000	Solicitação de cotação	7202	Retificador Internacional	*	Volume	Ativo				IRF7807		-			-	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido			1												-
AUIRL3705ZL	1.1700	Solicitação de cotação	9	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (óxido metálico)		PARA-262	download				EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		55V	75A (Tc)		8mOhm @ 52A, 10V	3 V a 250 µA	60 nC @ 5 V		2880 pF a 25 V	-	130W (Tc)
IRFI1010NPBF-IR	-	Solicitação de cotação	9807	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-220-3			MOSFET (óxido metálico)		Pacote completo TO-220AB	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		55V	49A (Tc)	10V	12mOhm @ 26A, 10V	4 V a 250 µA	130 nC @ 10 V	±20V	2.900 pF a 25 V	-	58W (Tc)
AUIRL1404ZSTRL	2.0600	Solicitação de cotação	1	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download				EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		40 V	160A (Tc)	4,5V, 10V	3,1mOhm a 75A, 10V	2,7 V a 250 µA	110 nC @ 5 V	±16V	5080 pF a 25 V	-	200W (Tc)
IRFB38N20DPBF	1.3300	Solicitação de cotação	3	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download				EAR99	8541.29.0095	226		Canal N		200 V	43A (Tc)	10V	54mOhm @ 26A, 10V	5 V a 250 µA	91 nC @ 10 V	±20V	2.900 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 300 W (Tc)
IRGSL4640DPBF	2.2400	Solicitação de cotação	800	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA		padrão		250W	PARA-262	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	0000.00.0000	1			400V, 24A, 10Ohm, 15V											89 ns	-	600V	65A	72A	1,9V a 15V, 24A	115 µJ (ligado), 600 µJ (desligado)	75nC	41ns/104ns
IRFS41N15DTRLP	-	Solicitação de cotação	8779	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		150 V	41A (Tc)	10V	45mOhm a 25A, 10V	5,5 V a 250 µA	110 nC @ 10 V	±30V	2520 pF a 25 V	-	3,1W (Ta)
IRG4PSH71KDPBF	9.7800	Solicitação de cotação	340	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-274AA		padrão		350 W	SUPER-247™ (TO-274AA)	download					0000.00.0000	1			800V, 42A, 5Ohm, 15V											107 ns	-	1200 V	78A	156A	3,9V a 15V, 42A	5,68mJ (ligado), 3,23mJ (desligado)	410nC	67ns/230ns
IRFR13N15DPBF	1.0000	Solicitação de cotação	6627	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download					0000.00.0000	1		Canal N		150 V	14A (Tc)	10V	180mOhm @ 8,3A, 10V	5,5 V a 250 µA	29 nC @ 10 V	±30V	620 pF a 25 V	-	86W (Tc)
AUIRFS8408	1.4000	Solicitação de cotação	268	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	IRFS8408		MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		40 V	195A (Tc)	10V	1,6mOhm a 100A, 10V	3,9 V a 250 µA	324 nC @ 10 V	±20V	10820 pF a 25 V	-	294W (Tc)
IRGS4064DPBF	1.2400	Solicitação de cotação	6989	Retificador Internacional	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		padrão		101W	D2PAK	download	Compatível com ROHS3			EAR99	8541.29.0095	181			400V, 10A, 22Ohm, 15V											62 ns	Trincheira	600V	20 A	40A	1,91V a 15V, 10A	29 µJ (ligado), 200 µJ (desligado)	32nC	27ns/79ns
AUIRF1018ES	1.2700	Solicitação de cotação	15	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		60 V	79A (Tc)	10V	8,4mOhm a 47A, 10V	4 V a 100 µA	69 nC @ 10 V	±20V	2.290 pF a 50 V	-	110W (Tc)
IRGR2B60KDTRLPBF	-	Solicitação de cotação	5148	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	IRGR2B60	padrão		35 W	D-Pak	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	0000.00.0000	1			400V, 2A, 100Ohm, 15V											68 ns	TNP	600V	6.3A	8A	2,25V a 15V, 2A	74 µJ (ligado), 39 µJ (desligado)	12nC	11ns/150ns
IRG4PSC71UDPBF	-	Solicitação de cotação	1583	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-274AA		padrão		350 W	SUPER-247™ (TO-274AA)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	0000.00.0000	1			480V, 60A, 5Ohm, 15V											82 ns	-	600V	85A	200A	2V a 15V, 60A	3,26mJ (ligado), 2,27mJ (desligado)	340nC	90ns/245ns
IRFH7194TRPBF	-	Solicitação de cotação	5509	Retificador Internacional	FASTIRFET™, HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerTDFN			MOSFET (óxido metálico)		8-PQFN (5x6)	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		100V	11A (Ta), 35A (Tc)	10V	16,4mOhm a 21A, 10V	3,6 V a 50 µA	19 nC @ 10 V	±20V	733 pF a 50 V	-	3,6 W (Ta), 39 W (Tc)
IRF7307QTRPBF	-	Solicitação de cotação	1961	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto		Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	IRF73		MOSFET (óxido metálico)	2W	8-SO	download				EAR99	8542.39.0001	1	Canal N e P			20V	5,2A, 4,3A		50mOhm @ 2,6A, 4,5V	700mV @ 250µA	20nC a 4,5V		660pF a 15V	Portão de nível lógico
IRFF9233	1.6200	Solicitação de cotação	289	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-	Através do furo	Lata de metal TO-205AF			MOSFET (óxido metálico)		TO-205AF (TO-39)	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	0000.00.0000	185		Canal N		150 V	3,5A	-	-	-		-		-	25W
AUIRFSL8409	-	Solicitação de cotação	5126	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-262-3 Cabos Curtos, I²Pak			MOSFET (óxido metálico)		PARA-262	download				EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		40 V	195A (Tc)	10V	1,2mOhm a 100A, 10V	3,9 V a 250 µA	450 nC @ 10 V	±20V	14240 pF a 25 V	-	375W (Tc)
AUIRFB8407	1.0000	Solicitação de cotação	8848	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download				EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		40 V	195A (Tc)	10V	2mOhm @ 100A, 10V	4 V a 150 µA	225 nC @ 10 V	±20V	7330 pF a 25 V	-	230W (Tc)
AUILR024NTRL	0,6000	Solicitação de cotação	75	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	0000.00.0000	3.000		Canal N		55V	17A (Tc)	4V, 10V	65mOhm @ 10A, 10V	2V @ 250µA	15 nC @ 5 V	±16V	480 pF a 25 V	-	45W (Tc)
IRFBA90N20DPBF	-	Solicitação de cotação	5308	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-273AA			MOSFET (óxido metálico)		SUPER-220™ (TO-273AA)	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		200 V	98A (Tc)	10V	23mOhm @ 59A, 10V	5 V a 250 µA	240 nC @ 10 V	±30V	6080 pF a 25 V	-	650W (Tc)
AUIRFS8403TRR	1.4500	Solicitação de cotação	800	Retificador Internacional	Automotivo, AEC-Q101, HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	0000.00.0000	800		Canal N		40 V	123A (Tc)		3,3mOhm a 70A, 10V	3,9 V a 100 µA	93 nC @ 10 V	±20V	3183 pF a 25 V	-	99W (Tc)
IRGP4063D-EPBF	-	Solicitação de cotação	9796	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	IRGP4063D	padrão		330W	TO-247AD	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	0000.00.0000	1			400V, 48A, 10Ohm, 15V											115 ns	Trincheira	600V	96A	200A	2,14V a 15V, 48A	625 µJ (ligado), 1,28 mJ (desligado)	140nC	60ns/145ns
AUIRFB8405	3.2300	Solicitação de cotação	1	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download				EAR99	8541.29.0095	93		Canal N		40 V	120A (Tc)	10V	2,5mOhm a 100A, 10V	3,9 V a 100 µA	161 nC @ 10 V	±20V	5193 pF a 25 V	-	163W (Tc)
IRGP4740D-EPBF	2.5700	Solicitação de cotação	5	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		250W	TO-247AD	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	0000.00.0000	1			400V, 24A, 10Ohm, 15V											170ns	-	650 V	60A	72A	2V a 15V, 24A	520 µJ (ligado), 240 µJ (desligado)	70nC	24ns/73ns

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