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Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Tipo FET	Condição de teste	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tempo de recuperação reversa (trr)	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C
IRLU3636PBF	1.0800	Solicitação de cotação	1	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA			MOSFET (óxido metálico)		I-PAK	download					EAR99	8542.39.0001	277	Canal N		60 V	50A (Tc)	4,5V, 10V	6,8mOhm a 50A, 10V	2,5 V a 100 µA	49 nC @ 4,5 V	±16V	3779 pF a 50 V	-	143W (Tc)
IRF1404PBF-EL	-	Solicitação de cotação	6734	Retificador Internacional	*	Volume	Ativo				IRF1404		-			-	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	0000.00.0000	1											-
IRFR7740PBF	-	Solicitação de cotação	5820	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		TO-252AA	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		75 V	87A (Tc)		7,2mOhm a 52A, 10V	3,7 V a 100 µA	126 nC @ 10 V	±20V	4430 pF a 25 V	-	140W (Tc)
AUIRF7207Q	-	Solicitação de cotação	2173	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)			MOSFET (óxido metálico)		8-SO	download					EAR99	8541.29.0095	1	Canal P		20 V	5,4A (Ta)	2,7 V, 4,5 V	60 mOhm a 5,4 A, 4,5 V	1,6 V a 250 µA	22 nC @ 4,5 V	±12V	780 pF a 15 V	-	2,5W (Ta)
IRFR1205TRPBF	-	Solicitação de cotação	7056	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download					EAR99	8542.39.0001	1	Canal N		55 V	44A (Tc)	10V	27mOhm @ 26A, 10V	4 V a 250 µA	65 nC @ 10 V	±20V	1300 pF a 25 V	-	107W (Tc)
AUIRFS3306TRL	-	Solicitação de cotação	3904	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	AUIRFS3306		MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download					EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		60 V	120A (Tc)	10V	4,2mOhm a 75A, 10V	4 V a 150 µA	125 nC @ 10 V	±20V	4520 pF a 50 V	-	230W (Tc)
IRLS4030-7PPBF	-	Solicitação de cotação	9664	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia), TO-263CB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK (7 derivações)	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		100V	190A (Tc)	4,5V, 10V	3,9mOhm a 110A, 10V	2,5 V a 250 µA	140 nC @ 4,5 V	±16V	11490 pF a 50 V	-	370W (Tc)
AUIRFU8403-701TRL	0,9700	Solicitação de cotação	11	Retificador Internacional	Automotivo, AEC-Q101, HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO251-3-901	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canal N		40 V	100A (Tc)	10V	3,1mOhm a 76A, 10V	3,9 V a 100 µA	99 nC @ 10 V	±20V	3171 pF a 25 V	-	99W (Tc)
IRGP4690D-EPBF	5.4000	Solicitação de cotação	609	Retificador Internacional	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		454W	TO-247AD	download	Compatível com ROHS3				EAR99	8541.29.0095	25		400V, 75A, 10Ohm, 15V											155 ns	-	600 V	140A	225A	2,1V a 15V, 75A	2,47mJ (ligado), 2,16mJ (desligado)	150nC	50ns/200ns
IRF225	2.1600	Solicitação de cotação	288	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-	Através do furo	TO-204AA, TO-3			MOSFET (óxido metálico)		TO-204AA (TO-3)	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		250 V	3.3A	-	-	-		-		-	40W
AUIRGP4062D-E	6.1200	Solicitação de cotação	1	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	AUIRGP4062	padrão		250W	PG-TO247AD	download					EAR99	8541.29.0095	1		400V, 24A, 10Ohm, 15V											89 ns	-	600 V	48A	72A	1,95V a 15V, 24A	115 µJ (ligado), 600 µJ (desligado)	50nC	41ns/104ns
IRG7PSH54K10DPBF	8.7600	Solicitação de cotação	8	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		520W	SUPER-247™ (TO-274AA)	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		600V, 50A, 5Ohm, 15V											170ns	-	1200 V	120A	200A	2,4V a 15V, 50A	4,8mJ (ligado), 2,8mJ (desligado)	435 nC	110ns/490ns
IRGP4263DPBF	4.7500	Solicitação de cotação	250	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		325 W	TO-247AC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1		400V, 48A, 10Ohm, 15V											170ns	-	650 V	90A	192A	2,1V a 15V, 48A	2,9mJ (ligado), 1,4mJ (desligado)	145nC	70ns/140ns
IRG4IBC10UDPBF	-	Solicitação de cotação	3891	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		padrão		25 W	PG-TO220-3	-	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-IRG4IBC10UDPBF-600047			1		480V, 5A, 100Ohm, 15V											28 ns	-	600 V	6,8A	27A	2,6V a 15V, 5A	140 µJ (ligado), 120 µJ (desligado)	15 nC	40ns/87ns
AUIRLS4030-7TRL	-	Solicitação de cotação	2234	Retificador Internacional	Automotivo, AEC-Q101, HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia)			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK (7 derivações)	download					EAR99	8541.29.0095	83	Canal N		100V	190A (Tc)	4,5V, 10V	3,9mOhm a 110A, 10V	2,5 V a 250 µA	140 nC @ 4,5 V	±16V	11490 pF a 50 V	-	370W (Tc)
IRFS4227TRLPBF	-	Solicitação de cotação	3869	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download						0000.00.0000	1	Canal N		200 V	62A (Tc)	10V	26mOhm @ 46A, 10V	5 V a 250 µA	98 nC @ 10 V	±30V	4600 pF a 25 V	-	330W (Tc)
IRFH5053TRPBF	-	Solicitação de cotação	5845	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerVDFN			MOSFET (óxido metálico)		PQFN (5x6) Matriz Única	download						0000.00.0000	1	Canal N		100V	9,3A (Ta), 46A (Tc)	10V	18mOhm @ 9,3A, 10V	4,9 V a 100 µA	36 nC @ 10 V	±20V	1510 pF a 50 V	-	3,1 W (Ta), 8,3 W (Tc)
IRFR4620PBF	-	Solicitação de cotação	3229	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	-	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		200 V	24A (Tc)	10V	78mOhm a 15A, 10V	5 V a 100 µA	38 nC @ 10 V	±20V	1710 pF a 50 V	-	144W (Tc)
IRFI3306GPBF	2.1300	Solicitação de cotação	800	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-220-3			MOSFET (óxido metálico)		Pacote completo PG-TO220	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-IRFI3306GPBF-600047	EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		60 V	71A (Tc)	10V	4,2mOhm a 43A, 10V	4 V a 1.037 mA	135 nC @ 10 V	±20V	4685 pF a 50 V	-	46W (Tc)
IRG7PH46U-EP	5.6600	Solicitação de cotação	3	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		469 W	TO-247AD	download					EAR99	8542.39.0001	1		600V, 40A, 10Ohm, 15V												Trincheira	1200 V	130A	160A	2V a 15V, 40A	2,56mJ (ligado), 1,78mJ (desligado)	220nC	45ns/410ns
IRF7807ZPBFPRO	1.0000	Solicitação de cotação	7202	Retificador Internacional	*	Volume	Ativo				IRF7807		-			-	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido				1											-
IRFB3006GPBF	-	Solicitação de cotação	5939	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download					EAR99	8542.39.0001	1	Canal N		60 V	195A (Tc)	10V	2,5mOhm a 170A, 10V	4 V a 250 µA	300 nC @ 10 V	±20V	8.970 pF a 50 V	-	375W (Tc)
IRG7PH35UD1-EP	3.3300	Solicitação de cotação	586	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		179W	TO-247AD	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	91		600V, 20A, 10Ohm, 15V												Trincheira	1200 V	50A	150A	2,2 V a 15 V, 20 A	620 µJ (desligado)	130nC	-/160ns
IRF6716MTRPBF	1.4700	Solicitação de cotação	86	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	MX isométrico DirectFET™			MOSFET (óxido metálico)		DIRECTFET™MX	download					EAR99	8541.29.0095	205	Canal N		25 V	39A (Ta), 180A (Tc)	4,5V, 10V	1,6mOhm a 40A, 10V	2,4 V a 100 µA	59 nC @ 4,5 V	±20V	5150 pF a 13 V	-	3,6 W (Ta), 78 W (Tc)
IRLR7821TRPBF	-	Solicitação de cotação	7463	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download					EAR99	8542.39.0001	1	Canal N		30 V	65A (Tc)	4,5V, 10V	10mOhm @ 15A, 10V	1V @ 250µA	14 nC @ 4,5 V	±20V	1030 pF a 15 V	-	75W (Tc)
AUIRFSL4310	-	Solicitação de cotação	9636	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (óxido metálico)		PARA-262	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	100	Canal N		100V	75A (Tc)		7mOhm @ 75A, 10V	4 V a 250 µA	250 nC @ 10 V		7670 pF a 50 V	-	300W (Tc)
IRGIB6B60KDPBF	-	Solicitação de cotação	8356	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-220-3		padrão		38 W	Pacote completo TO-220AB	-	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		400V, 5A, 100Ohm, 15V											70 ns	TNP	600 V	11A	22A	2,2V a 15V, 5A	110 µJ (ligado), 135 µJ (desligado)	18,2nC	25ns/215ns
IRFR6215PBF	-	Solicitação de cotação	6477	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal P		150 V	13A (Tc)	10V	295mOhm @ 6,6A, 10V	4 V a 250 µA	66 nC @ 10 V	±20V	860 pF a 25 V	-	110W (Tc)
IRL2505SPBF	-	Solicitação de cotação	7034	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		55 V	104A (Tc)	4V, 10V	8mOhm @ 54A, 10V	2V @ 250µA	130 nC @ 5 V	±16V	5000 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
AUIFR3607TRL	-	Solicitação de cotação	9129	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	AUIFR3607		MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		75 V	56A (Tc)		9mOhm @ 46A, 10V	4 V a 100 µA	84 nC @ 10 V		3070 pF a 50 V	-	140W (Tc)

2.000+
Volume médio diário de RFQ
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Unidade de produto padrão
2.800+
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Transistores (1222)

2.000+

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15.000 m²