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Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caixa	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Tipo FET	Condição de teste	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tempo de recuperação reversa (trr)	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C
AUIRF3004WL	-	Solicitação de cotação	8741	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	Cabos largos TO-262-3			MOSFET (óxido metálico)		TO-262-3 Largo	download					EAR99	8541.29.0095	5		Canal N		40 V	240A (Tc)	10V	1,4mOhm a 195A, 10V	4 V a 250 µA	210 nC @ 10 V	±20V	9.450 pF a 32 V	-	375W (Tc)
AUIRF3205Z	-	Solicitação de cotação	3054	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download					EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		55 V	75A (Tc)	10V	6,5mOhm a 66A, 10V	4 V a 250 µA	110 nC @ 10 V	±20V	3450 pF a 25 V	-	170W (Tc)
IRGSL15B60KDPBF	1.4100	Solicitação de cotação	4	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA		padrão		208W	PG-TO262-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			400V, 15A, 22Ohm, 15V											92 ns	TNP	600V	31A	62A	2,2V a 15V, 15A	220 µJ (ligado), 340 µJ (desligado)	56nC	34ns/184ns
IRGP4078DPBF	2.7900	Solicitação de cotação	800	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		278W	TO-247AC	download					EAR99	8542.39.0001	1			400V, 50A, 10Ohm, 15V												Trincheira	600V	74A	150A	2,2 V a 15 V, 50 A	1,1mJ (desligado)	92nC	-/116ns
IRF7306TR	-	Solicitação de cotação	8501	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)			MOSFET (óxido metálico)	2W (Ta)	8-SO	-				2156-IRF7306TR			1	2 canais P			30V	3,6A (Ta)		100mOhm @ 1,8A, 10V	1V @ 250µA	25nC @ 10V		440pF a 25V	Portão de nível lógico
AUIRGP4066D1-IR	8.2000	Solicitação de cotação	445	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	AUIRGP4066	padrão		454W	TO-247AC	-	Não aplicável	3 (168 horas)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			400V, 75A, 10Ohm, 15V											240ns	Trincheira	600V	140A	225A	2,1V a 15V, 75A	4,24mJ (ligado), 2,17mJ (desligado)	225nC	50ns/200ns
IRF60B217	0,7000	Solicitação de cotação	4	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO220-3-1	download	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-IRF60B217	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		60 V	60A (Tc)	6V, 10V	9mOhm @ 36A, 10V	3,7 V a 50 µA	66 nC @ 10 V	±20V	2230 pF a 25 V	-	83W (Tc)
IRF3205STRLPBF	-	Solicitação de cotação	3175	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download						0000.00.0000	1		Canal N		55 V	110A (Tc)	10V	8mOhm @ 62A, 10V	4 V a 250 µA	146 nC @ 10 V	±20V	3247 pF a 25 V	-	200W (Tc)
IRLR3705ZPBF	-	Solicitação de cotação	5574	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		55 V	42A (Tc)	4,5V, 10V	8mOhm @ 42A, 10V	3 V a 250 µA	66 nC @ 5 V	±16V	2.900 pF a 25 V	-	130W (Tc)
IRF6722MTRPBF	0,9000	Solicitação de cotação	1	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	MP isométrico DirectFET™			MOSFET (óxido metálico)		DIRECTFET™MP	download					EAR99	8542.39.0001	1		Canal N		30 V	13A (Ta), 56A (Tc)	4,5V, 10V	7,7mOhm a 13A, 10V	2,4 V a 50 µA	17 nC @ 4,5 V	±20V	1300 pF a 15 V	-	2,3 W (Ta), 42 W (Tc)
IRF443	-	Solicitação de cotação	7363	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-	Através do furo	TO-204AA			MOSFET (óxido metálico)		PARA-3	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		450 V	4A		-	-		-		-	75W
IRFR3704ZPBF	-	Solicitação de cotação	7778	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download					EAR99	8542.39.0001	1		Canal N		20 V	60A (Tc)	4,5V, 10V	8,4mOhm a 15A, 10V	2,55 V a 250 µA	14 nC @ 4,5 V	±20V	1190 pF a 10 V	-	48W (Tc)
AUIRFSL6535	1.5600	Solicitação de cotação	13	Retificador Internacional	Automotivo, AEC-Q101, HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO262-3-901	download					EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		300V	19A (Tc)	10V	185mOhm @ 11A, 10V	5 V a 150 µA	57 nC @ 10 V	±20V	2340 pF a 25 V	-	210W (Tc)
IRG4BC20UDSTRRP	1.5900	Solicitação de cotação	5	Retificador Internacional	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		padrão		60 W	D2PAK	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	8542.39.0001	1			480V, 6,5A, 50Ohm, 15V											37 ns	-	600V	13A	52A	2,1 V a 15 V, 6,5 A	160 µJ (ligado), 130 µJ (desligado)	27 nC	39ns/93ns
IRF6218PBF-IR	-	Solicitação de cotação	4038	Retificador Internacional	HEXFET®	Tubo	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	2156-IRF6218PBF-IR	EAR99	0000.00.0000	50		Canal P		150 V	27A (Tc)		150mOhm @ 16A, 10V	5 V a 250 µA	110 nC @ 10 V	±20V	2210 pF a 25 V	-	250W (Tc)
AUIRFP1405-203	2.0200	Solicitação de cotação	150	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto									download					EAR99	8541.29.0095	1					160A (Tc)
AUIRL3705Z	0,9600	Solicitação de cotação	750	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download					EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		55 V	75A (Tc)	4,5V, 10V	8mOhm @ 52A, 10V	3 V a 250 µA	60 nC @ 5 V	±16V	2880 pF a 25 V	-	130W (Tc)
IRLU2905ZPBF	-	Solicitação de cotação	3101	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA			MOSFET (óxido metálico)		IPAK (TO-251)	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		55 V	42A (Tc)	4,5V, 10V	13,5mOhm a 36A, 10V	3 V a 250 µA	35 nC @ 5 V	±16V	1570 pF a 25 V	-	110W (Tc)
IRG8P40N120KDEPB	4.6400	Solicitação de cotação	100	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo									download	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	0000.00.0000	1
AUIRFS8409TRL	-	Solicitação de cotação	3374	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO263-3	download					EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		40 V	195A (Tc)	10V	1,2mOhm a 100A, 10V	3,9 V a 250 µA	450 nC @ 10 V	±20V	14240 pF a 25 V	-	375W (Tc)
IRF8313PBF	-	Solicitação de cotação	9284	Retificador Internacional	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	IRF8313		MOSFET (óxido metálico)	2W (Ta)	8-SO	download	Compatível com ROHS3				EAR99	8541.29.0095	3.800	2 canais N (duplo)			30V	9,7A (Ta)		15,5mOhm @ 9,7A, 10V	2,35 V a 25 µA	9nC a 4,5V		760pF a 15V	-
IRG7PH35UD1PBF	-	Solicitação de cotação	8404	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		179W	TO-247AC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			600V, 20A, 10Ohm, 15V												Trincheira	1200 V	50A	150A	2,2 V a 15 V, 20 A	620 µJ (desligado)	130nC	-/160ns
AUIRL024NTR-IR	0,6200	Solicitação de cotação	4	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (óxido metálico)		SOT-223	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	2.500		Canal N		55 V	3.1A (Ta)	4V, 10V	65mOhm @ 3,1A, 10V	2V @ 250µA	15,6 nC a 5 V	±16V	510 pF a 25 V	-	1W (Ta)
AUIRG4PC40S-E	-	Solicitação de cotação	6803	Retificador Internacional	Automotivo, AEC-Q101	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	AUIRG4	padrão		160 W	TO-247AD	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 31A, 10Ohm, 15V												-	600V	60A	120A	1,5V a 15V, 31A	450 µJ (ligado), 6,5 mJ (desligado)	150nC	22ns/650ns
IRG7PH50K10DPBF	6.4700	Solicitação de cotação	5	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		400W	TO-247AC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			600V, 35A, 5Ohm, 15V											130 ns	-	1200 V	90A	160A	2,4V a 15V, 35A	2,3mJ (ligado), 1,6mJ (desligado)	300nC	90ns/340ns
AUILR2905TRL	-	Solicitação de cotação	3720	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	3.000		Canal N		55 V	42A (Tc)	4V, 10V	27mOhm @ 25A, 10V	2V @ 250µA	48 nC @ 5 V	±16V	1700 pF a 25 V	-	110W (Tc)
IRF630NSPBF	1.0000	Solicitação de cotação	4978	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		200 V	9,3A(Tc)	10V	300mOhm @ 5,4A, 10V	4 V a 250 µA	35 nC @ 10 V	±20V	575 pF a 25 V	-	82W (Tc)
IRLS3036PBF	-	Solicitação de cotação	4499	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download					EAR99	8542.39.0001	48		Canal N		60 V	195A (Tc)	4,5V, 10V	2,4mOhm a 165A, 10V	2,5 V a 250 µA	140 nC @ 4,5 V	±16V	11210 pF a 50 V	-	380W (Tc)
AUIRL1404S	1.7900	Solicitação de cotação	2	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-PAK (TO-252AA)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		40 V	160A (Tc)	4,3V, 10V	4mOhm @ 95A, 10V	3 V a 250 µA	140 nC @ 5 V	±20V	6600 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
IRFR7746PBF	-	Solicitação de cotação	5338	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-PAK (TO-252AA)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		75 V	56A (Tc)	6V, 10V	11,2mOhm a 35A, 10V	3,7 V a 100 µA	89 nC @ 10 V	±20V	3107 pF a 25 V	-	99W (Tc)

2.000+
Volume médio diário de RFQ
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Unidade de produto padrão
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15.000 m²