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Transistores (1222)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C
AUIRFR4292 International Rectifier AUIRFR4292 0,8100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 250 v 9.3a (TC) 10V 345mohm @ 5.6a, 10V 5V @ 50µA 20 NC A 10 V ± 20V 705 pf @ 25 V - 100w (TC)
IRG4RC10UDTRLP-IR International Rectifier IRG4RC10UDTRLP-IR -
RFQ
 ECAD 9446 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão 38 w TO-252AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 480V, 5A, 100OHM, 15V 28 ns - 600 v 8.5 a 34 a 2.6V @ 15V, 5A 140µJ (ON), 120µJ (Off) 15 NC 40ns/87ns
IRF332 International Rectifier IRF332 1.1900
RFQ
 ECAD 9430 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Ativo - Através do buraco TO-204AA, TO-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-204AA (TO-3) download Ear99 8542.39.0001 49 N-canal 400 v 4.5a - - - - - 75W
IRGP50B60PDPBF International Rectifier IRGP50B60PDPBF -
RFQ
 ECAD 8520 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 370 w TO-247AC download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 390V, 33A, 3,3OHM, 15V 50 ns NPT 600 v 75 a 150 a 2.6V @ 15V, 50A 360µJ (ON), 380µJ (Off) 360 nc 34ns/130ns
AUIRF1405ZS-7TRL International Rectifier AUIRF1405ZS-7TRL 1.0000
RFQ
 ECAD 5434 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia), TO-263CB MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (7 derivados) download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 55 v 120A (TC) 10V 4.9mohm @ 88a, 10V 4V A 150µA 230 NC @ 10 V ± 20V 5360 pf @ 25 V - 230W (TC)
IRGB4640DPBF International Rectifier IRGB4640DPBF -
RFQ
 ECAD 7625 0,00000000 Retificador Internacional - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 250 w TO-220AC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 400V, 24A, 10OHM, 15V 89 ns - 600 v 65 a 72 a 1.9V @ 15V, 24A 115µJ (ON), 600µJ (Off) 75 NC 41ns/104ns
AUIRF7313QTR International Rectifier AUIRF7313QTR 1.0000
RFQ
 ECAD 8983 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) AUIRF7313 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.4W 8-SOIC download Ear99 8541.29.0095 1 2 canal n (Duplo) 30V 6.9a 29mohm @ 6.9a, 10V 3V A 250µA 33NC @ 10V 755pf @ 25V Portão de Nível Lógico
AUIRLR3636TRL International Rectifier Auillr3636trl -
RFQ
 ECAD 9614 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Auillr3636 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 60 v 50a (TC) 6.8mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 100µA 49 NC @ 4,5 V 3779 pf @ 50 V - 143W (TC)
IRGR4610DTRPBF International Rectifier IRGR4610DTRPBF -
RFQ
 ECAD 2274 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 176-lqfp Padrão 77 w 176-LQFP (24x24) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 33 400V, 6A, 47OHM, 15V 74 ns - 600 v 16 a 18 a 2V @ 15V, 6a 56µJ (ON), 122µJ (Desligado) 13 NC 27ns/75ns
IRF441 International Rectifier IRF441 1.4400
RFQ
 ECAD 219 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Ativo - Através do buraco TO-204AA, TO-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-204AA (TO-3) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 219 N-canal 450 v 8a - - - - - 125W
IRFP1405PBF International Rectifier IRFP1405PBF -
RFQ
 ECAD 5495 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-247AC download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-IRFP1405PBF-600047 1 N-canal 55 v 95a (TC) 10V 5.3mohm @ 95a, 10V 4V A 250µA 180 nc @ 10 V ± 20V 5600 pf @ 25 V - 310W (TC)
IRFR6215TRPBF International Rectifier IRFR6215TRPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 6710 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 150 v 13a (TC) 10V 295mohm @ 6.6a, 10V 4V A 250µA 66 nc @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRFAC30 International Rectifier IRFAC30 5.1000
RFQ
 ECAD 427 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-204AA (TO-3) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 59 N-canal 600 v 3.6a (TC) 10V 2.5OHM @ 3.6a, 10V 4V A 250µA 38 nc @ 10 V ± 20V 630 PF @ 25 V - 75W (TC)
AUIRFP4110 International Rectifier AUIRFP4110 -
RFQ
 ECAD 1343 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-247AC download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 120A (TC) 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 210 nc @ 10 V ± 20V 9620 PF @ 50 V - 370W (TC)
IRF7473PBF International Rectifier IRF7473pbf -
RFQ
 ECAD 4124 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 100 v 6.9a (TA) 10V 26mohm @ 4.1a, 10V 5,5V A 250µA 61 nc @ 10 V ± 20V 3180 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IRFIRL60B216 International Rectifier IRFIRL60B216 -
RFQ
 ECAD 1503 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-904 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 60 v 195a (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 100a, 10V 2.4V a 250µA 258 nc @ 4,5 V ± 20V 15570 pf @ 25 V - 375W (TC)
IRF6641TRPBF International Rectifier IRF6641TRPBF 2.0100
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFET ™ isométrico MZ IRF6641 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFET ™ MZ download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 200 v 4.6a (ta), 26a (tc) 10V 59.9mohm @ 5.5a, 10V 4.9V A 150µA 48 nc @ 10 V ± 20V 2290 pf @ 25 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRF7665S2TRPBF International Rectifier IRF7665S2TRPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 6187 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFet ™ ISOMÉTRICO SB MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFet ™ ISOMÉTRICO SB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 775 N-canal 100 v 4.1a (ta), 14.4a (tc) 62mohm @ 8.9a, 10V 5V @ 25µA 13 NC @ 10 V ± 20V 515 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 30W (TC)
IRFS7787PBF-IR International Rectifier IRFS7787PBF-IR -
RFQ
 ECAD 5428 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-IRFS7787PBF-IR Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 75 v 76a (TC) 8.4mohm @ 46a, 10V 3.7V @ 100µA 109 NC @ 10 V ± 20V 4020 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRLS3036-7PPBF International Rectifier IRLS3036-7ppbf -
RFQ
 ECAD 2232 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia), TO-263CB MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (7 derivados) download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 60 v 240a (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 180a, 10V 2,5V a 250µA 160 nc @ 4,5 V ± 16V 11270 pf @ 50 V - 380W (TC)
IRFZ34NSTRRPBF International Rectifier Irfz34nstrrpbf -
RFQ
 ECAD 8825 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Ear99 8542.39.0001 100 N-canal 55 v 29a (TC) 10V 40mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 34 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 68W (TC)
IRF8734PBF International Rectifier IRF8734PBF -
RFQ
 ECAD 3081 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 30 v 21a (TA) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 21a, 10V 2.35V @ 50µA 30 NC a 4,5 V ± 20V 3175 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
AUIRFS8408TRR International Rectifier AUIRFS8408TRR 1.4000
RFQ
 ECAD 490 0,00000000 Retificador Internacional Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 40 v 195a (TC) 1.6mohm @ 100a, 10V 3,9V a 250µA 324 nc @ 10 V ± 20V 10820 pf @ 25 V - 294W (TC)
AUIRF7379QTR International Rectifier AUIRF7379QTR -
RFQ
 ECAD 8698 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) AUIRF7379 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.5W 8-SOIC download Ear99 8541.29.0095 1 N E P-Canal 30V 5.8a, 4.3a 45mohm @ 5.8a, 10V 3V A 250µA 25NC @ 10V 520pf @ 25V Portão de Nível Lógico
IRFU3806PBF International Rectifier IRFU3806PBF -
RFQ
 ECAD 9256 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) IPAK (TO-251AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 60 v 43a (TC) 15.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 50µA 30 NC a 10 V ± 20V 1150 pf @ 50 V - 71W (TC)
IRF141 International Rectifier IRF141 -
RFQ
 ECAD 4623 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Ativo - Através do buraco TO-204AA, TO-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-204AA (TO-3) download Ear99 8542.39.0001 33 N-canal 80 v 28a - - - - - 150W
AUIRFR540Z International Rectifier AUIRFR540Z 1.0000
RFQ
 ECAD 5782 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 35a (TC) 10V 28.5mohm @ 21a, 10V 4V @ 50µA 59 NC @ 10 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 91W (TC)
AUIRF1404ZL International Rectifier AUIRF1404ZL -
RFQ
 ECAD 5521 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 40 v 160A (TC) 10V 3.7mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 150 nc @ 10 V ± 20V 4340 PF @ 25 V - 200W (TC)
AUIRFR4104 International Rectifier AUIRFR4104 1.1300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 40 v 42a (TC) 10V 5.5mohm @ 42a, 10V 4V A 250µA 89 NC @ 10 V ± 20V 2950 PF @ 25 V - 140W (TC)
AUIRFS8405TRL International Rectifier AUIRFS8405TRL 1.2500
RFQ
 ECAD 134 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 100µA 161 NC @ 10 V ± 20V 5193 pf @ 25 V - 163W (TC)
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