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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Tipo FET | Condição de teste | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tempo de recuperação reversa (trr) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF6216PBF-IR | - |  | 6489 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal P | 150 V | 2,2A (Ta) | 240mOhm @ 1,3A, 10V | 5 V a 250 µA | 49 nC @ 10 V | ±20V | 1280 pF a 25 V | - | 2,5W (Ta) | ||||||||||||||||
 | IRFH4234TRPBF | 1.0000 | | 2190 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | MOSFET (óxido metálico) | PQFN (5x6) | - | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal N | 25 V | 22A (Ta) | 4,5V, 10V | 4,6mOhm a 30A | 2,1 V a 25 µA | 17 nC @ 10 V | ±20V | 1011 pF a 13 V | - | 3,5W (Ta), 27W (Tc) | |||||||||||||||||
 | AUIRF1324S-7P-IR | - | | 4342 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia) | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-7 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-AUIRF1324S-7P-IR | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 24V | 240A (Tc) | 1mOhm a 160A, 10V | 4 V a 250 µA | 252 nC @ 10 V | ±20V | 7700 pF a 19 V | - | 300W (Tc) | |||||||||||||||
 | IRFAF40 | 5.6300 | | 934 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-204AA (TO-3) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 900V | 4,3A (Tc) | 10V | 2,9 Ohm @ 4,3 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 1500 pF a 25 V | - | 125W (Tc) | |||||||||||||||
 | IRGP4262DPBF | 2.6300 | | 1 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 250W | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 24A, 10Ohm, 15V | 170ns | - | 650 V | 60A | 96A | 2,1V a 15V, 24A | 520 µJ (ligado), 240 µJ (desligado) | 70nC | 24ns/73ns | |||||||||||||||
| IRFS3006-7PPBF | - | | 4157 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia), TO-263CB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK (7 derivações) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 60 V | 240A (Tc) | 10V | 2,1mOhm a 168A, 10V | 4 V a 250 µA | 300 nC @ 10 V | ±20V | 8.850 pF a 50 V | - | 375W (Tc) | |||||||||||||||
| AUIRF7640S2TR | 1.0000 | | 2236 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | SB Isométrico DirectFET™ | MOSFET (óxido metálico) | DIRECTFETSB | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 60 V | 5,8A (Ta), 21A (Tc) | 10V | 36mOhm @ 13A, 10V | 5 V a 25 µA | 11 nC @ 10 V | ±20V | 450 pF a 25 V | - | 2,4 W (Ta), 30 W (Tc) | ||||||||||||||||||
 | IRGS4B60KD1TRRP | 1.1800 | | 259 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | IRGS4B60 | padrão | 63 W | D2PAK | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 259 | 400V, 4A, 100Ohm, 15V | 93 ns | TNP | 600 V | 11A | 22A | 2,5V a 15V, 4A | 73 µJ (ligado), 47 µJ (desligado) | 12nC | 22ns/100ns | ||||||||||||||
 | IRGP4620D-EPBF | 1.7500 | | 1 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 140W | TO-247AD | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 12A, 22Ohm, 15V | 68 ns | - | 600 V | 32A | 36A | 1,85V a 15V, 12A | 75 µJ (ligado), 225 µJ (desligado) | 25 nC | 31ns/83ns | |||||||||||||||||
| IRG4PC50WPBF | 1.0000 | | 1929 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 200 W | TO-247AC | - | Não aplicável | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 27A, 5Ohm, 15V | - | 600 V | 55A | 220A | 2,3V a 15V, 27A | 80 µJ (ligado), 320 µJ (desligado) | 180nC | 46ns/120ns | ||||||||||||||||
| IRFP044NPBF | - | | 9289 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 55 V | 53A (Tc) | 10V | 20mOhm @ 29A, 10V | 4 V a 250 µA | 61 nC @ 10 V | ±20V | 1500 pF a 25 V | - | 120W (Tc) | |||||||||||||||
 | AUIFR4105ZTRL | - | | 5466 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | AUIFR4105 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 55 V | 20A (Tc) | 10V | 24,5mOhm a 18A, 10V | 4 V a 250 µA | 27 nC @ 10 V | ±20V | 740 pF a 25 V | - | 48W (Tc) | |||||||||||||||||
 | IRFL4315PBF | - | | 5086 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (óxido metálico) | SOT-223 | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 150 V | 2,6A (Ta) | 10V | 185mOhm @ 1,6A, 10V | 5 V a 250 µA | 19 nC @ 10 V | ±30V | 420 pF a 25 V | - | 2,8 W (Ta) | |||||||||||||||
 | AUILU3114Z | 1.1500 | | 11 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO251-3 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 261 | Canal N | 40 V | 130A (Tc) | 4,5V, 10V | 4,9mOhm a 42A, 10V | 2,5 V a 100 µA | 56 nC @ 4,5 V | ±16V | 3810 pF a 25 V | - | 140W (Tc) | ||||||||||||||||||
| IRFS23N15DTRLP | - | | 3798 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 150 V | 23A (Tc) | 90mOhm @ 14A, 10V | 5,5 V a 250 µA | 56 nC @ 10 V | ±30V | 1200 pF a 25 V | - | 3,8 W (Ta), 136 W (Tc) | ||||||||||||||||
| IRF3704ZSPBF | - | | 9563 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | - | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 20 V | 67A (Tc) | 4,5V, 10V | 7,9mOhm a 21A, 10V | 2,55 V a 250 µA | 13 nC @ 4,5 V | ±20V | 1220 pF a 10 V | - | 57W (Tc) | |||||||||||||||||||
| IRFAUIRF4905 | - | | 8218 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGP4263PBF | 2.7900 | | 6 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 300 W | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 48A, 10Ohm, 15V | - | 650 V | 90A | 192A | 2,1V a 15V, 48A | 1,7mJ (ligado), 1mJ (desligado) | 150nC | 70ns/140ns | ||||||||||||||||
 | IRF7468PBF | - | | 2612 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 30 | Canal N | 40 V | 9,4A (Ta) | 4,5V, 10V | 15,5mOhm @ 9,4A, 10V | 2V @ 250µA | 34 nC @ 4,5 V | ±12V | 2.460 pF a 20 V | - | 2,5W (Ta) | ||||||||||||||||||
 | IRF3315PBF | - | | 9658 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 150 V | 23A (Tc) | 70mOhm @ 12A, 10V | 4 V a 250 µA | 95 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF a 25 V | - | 94W (Tc) | ||||||||||||||||
 | 94-2402 | 2.2200 | | 150 | 0,00000000 | Retificador Internacional | * | Volume | Ativo | - | Não aplicável | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | 0000.00.0000 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFU3806PBF | - | | 9256 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | MOSFET (óxido metálico) | IPAK (TO-251AA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 60 V | 43A (Tc) | 15,8mOhm a 25A, 10V | 4V @ 50µA | 30 nC @ 10 V | ±20V | 1150 pF a 50 V | - | 71W (Tc) | ||||||||||||||||
| AUIRFP1405 | 2.5800 | | 11 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 55 V | 95A (Tc) | 10V | 5,3mOhm a 95A, 10V | 4 V a 250 µA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 5600 pF a 25 V | - | 310W (Tc) | |||||||||||||||
| IRF7424TRPBF | - | | 1556 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal P | 30 V | 11A (Ta) | 4,5V, 10V | 13,5mOhm @ 11A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 4030 pF a 25 V | - | 2,5W (Ta) | ||||||||||||||||||
| AUIRFS3206TRL-IR | - | | 5162 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | - | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-AUIRFS3206TRL-IR | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 60 V | 120A (Tc) | 10V | 3mOhm @ 75A, 10V | 4 V a 150 µA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 6540 pF a 50 V | - | 300W (Tc) | ||||||||||||||
 | AUIFR024N | 0,9600 | | 5 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 55 V | 17A (Tc) | 75mOhm @ 10A, 10V | 4 V a 250 µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 370 pF a 25 V | - | 45W (Tc) | ||||||||||||||||
| IRLR2705TRPBF | - | | 1796 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 55 V | 28A (Tc) | 4V, 10V | 40mOhm @ 17A, 10V | 2V @ 250µA | 25 nC @ 5 V | ±16V | 880 pF a 25 V | - | 68W (Tc) | ||||||||||||||||||
| IRLR3636TRPBF | - | | 7317 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 60 V | 50A (Tc) | 4,5V, 10V | 6,8mOhm a 50A, 10V | 2,5 V a 100 µA | 49 nC @ 4,5 V | ±16V | 3779 pF a 50 V | - | 143W (Tc) | ||||||||||||||||||
| AUIRFSL3206 | 1.8800 | | 250 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 60 V | 120A (Tc) | 3mOhm @ 75A, 10V | 4 V a 150 µA | 170 nC @ 10 V | 6540 pF a 50 V | - | 300W (Tc) | |||||||||||||||||
 | IRGP4062-EPBF | 1.9900 | | 250 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 250W | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 24A, 10Ohm, 15V | Trincheira | 600 V | 48A | 72A | 1,95V a 15V, 24A | 115 µJ (ligado), 600 µJ (desligado) | 75nC | 41ns/104ns |
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