SIC
close

Transistores (1222)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C
IRGP4660D-EPBF International Rectifier IRGP4660D-EPBF 5.7700
RFQ
 ECAD 150 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 330 w TO-247AD download Ear99 8541.29.0095 52 400V, 48A, 10OHM, 15V 115 ns - 600 v 100 a 144 a 1.9V @ 15V, 48a 625µJ (ON), 1,28MJ (OFF) 140 NC 60ns/145ns
IRFZ34NSPBF International Rectifier IRFZ34NSPBF -
RFQ
 ECAD 3502 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 7 N-canal 55 v 29a (TC) 40mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 34 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 68W (TC)
IRG7PH42UPBF International Rectifier IRG7PH42UPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 4705 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 385 w TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 600V, 30A, 10OHM, 15V Trincheira 1200 v 90 a 90 a 2V @ 15V, 30A 2.105MJ (ON), 1.182MJ (OFF) 236 NC 25ns/229ns
IRGP4086PBF International Rectifier IRGP4086PBF -
RFQ
 ECAD 3911 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 160 w TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 196V, 25a, 10ohm Trincheira 300 v 70 a 2.96V @ 15V, 120A - 65 NC 36ns/112ns
AUIRF3805L International Rectifier AUIRF3805L 1.9700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 55 v 160A (TC) 10V 3.3mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 290 nc @ 10 V ± 20V 7960 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRFP4227PBF International Rectifier IRFP4227PBF -
RFQ
 ECAD 9408 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-247AC download 0000.00.0000 1 N-canal 200 v 65a (TC) 10V 25mohm @ 46a, 10V 5V A 250µA 98 nc @ 10 V ± 30V 4600 pf @ 25 V - 330W (TC)
AUIRF6218S International Rectifier AUIRF6218S -
RFQ
 ECAD 8744 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-aauirf6218S-600047 1 Canal P. 150 v 27a (TC) 10V 150mohm @ 16a, 10V 5V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 20V 2210 pf @ 25 V - 250W (TC)
IRF3709ZPBF International Rectifier IRF3709ZPBF 0,4600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 30 v 87a (TC) 6.3mohm @ 21a, 10V 2,25V a 250µA 26 NC a 4,5 V ± 20V 2130 PF @ 15 V - 79W (TC)
IRF9143 International Rectifier IRF9143 4.3400
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo - Através do buraco TO-204AE MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-204AE download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 80 Canal P. 80 v 15a - - - Padrão 125W
IRL520NSPBF International Rectifier IRL520NSPBF -
RFQ
 ECAD 7791 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK - 2156-IRL520NSPBF 1 N-canal 100 v 10a (TC) 4V, 10V 180mohm @ 6a, 10V 2V A 250µA 20 NC @ 5 V ± 16V 440 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 48W (TC)
IRFR5305PBF International Rectifier IRFR5305PBF -
RFQ
 ECAD 5132 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1 Canal P. 55 v 31a (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 63 nc @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 110W (TC)
AUIRF9540N International Rectifier AUIRF9540N 1.0400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Retificador Internacional Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 Canal P. 100 v 23a (TC) 10V 117mohm @ 11a, 10V 4V A 250µA 97 nc @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRLR3110ZTRPBF International Rectifier IRLR3110ZTRPBF -
RFQ
 ECAD 3091 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 0000.00.0000 1 N-canal 100 v 42a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 38a, 10V 2.5V @ 100µA 48 NC a 4,5 V ± 16V 3980 pf @ 25 V - 140W (TC)
AUIRF9Z34N International Rectifier AUIRF9Z34N 0,7700
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Retificador Internacional Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 Canal P. 55 v 19a (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10V 4V A 250µA 35 nc @ 10 V ± 20V 620 pf @ 25 V - 68W (TC)
IRF7413ZPBF International Rectifier IRF7413ZPBF -
RFQ
 ECAD 8243 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 30 v 13A (TA) 10mohm @ 13a, 10V 2,25V a 250µA 14 NC a 4,5 V ± 20V 1210 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRFS7730PBF International Rectifier IRFS7730pbf -
RFQ
 ECAD 4097 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET®, STROTLIRFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D²PAK (TO-263AB) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 75 v 195a (TC) 6V, 10V 2.6mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 407 NC @ 10 V ± 20V 13660 pf @ 25 V - 375W (TC)
AUIRF7805Q International Rectifier AUIRF7805Q 0,8800
RFQ
 ECAD 1826 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download Ear99 8541.29.0095 90 N-canal 30 v 13A (TA) 4.5V 11mohm @ 7a, 4.5V 3V A 250µA 31 NC @ 5 V ± 12V - 2.5W (TA)
IRF7389PBF International Rectifier IRF7389pbf 1.0000
RFQ
 ECAD 9724 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF738 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.5W 8-so - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N E P-Canal 30V - 29mohm @ 5.8a, 10V 1V a 250µA 33NC @ 10V 650pf @ 25V Portão de Nível Lógico
AUIRF1010ZL International Rectifier AUIRF1010ZL 1.2400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 55 v 75a (TC) 7.5mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 95 NC @ 10 V 2840 pf @ 25 V - 140W (TC)
AUIRFB3806-IR International Rectifier AUIRFB3806-IR -
RFQ
 ECAD 6895 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo - Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-AUIRFB3806-IR Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 60 v 43a (TC) 15.8mohm @ 43a, 10V - - - 71W (TC)
IRF253 International Rectifier IRF253 2.0200
RFQ
 ECAD 7000 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Ativo - Através do buraco TO-204AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 19 N-canal 150 v 25a - - - - 150W
IRFL024NPBF International Rectifier IRFL024NPBF -
RFQ
 ECAD 7709 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 55 v 2.8a (ta) 10V 75mohm @ 2.8a, 10V 4V A 250µA 18,3 nc @ 10 V ± 20V 400 pf @ 25 V - 1W (TA)
IRL1404ZSPBF International Rectifier IRL1404ZSPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 1407 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 40 v 75a (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 75a, 10V 2.7V @ 250µA 110 nc @ 5 V ± 16V 5080 pf @ 25 V - 230W (TC)
IRFI7536GPBF-IR International Rectifier IRFI7536GPBF-IR -
RFQ
 ECAD 5802 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pacote completo parágrafo 220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 60 v 86a (TC) 10V 3.4mohm @ 75a, 10V 4V A 150µA 195 NC @ 10 V ± 20V 6600 pf @ 48 V - 75W (TC)
IRG7PH37K10D-EPBF International Rectifier IRG7PH37K10D-EPBF 4.0700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 216 w TO-247AD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 600V, 15A, 10OHM, 15V 120 ns - 1200 v 45 a 60 a 2.4V @ 15V, 15A 1MJ (ON), 600µJ (OFF) 135 NC 50ns/240ns
IRFSL4310ZPBF International Rectifier IRFSL4310ZPBF -
RFQ
 ECAD 3516 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 100 v 120A (TC) 10V 6mohm @ 75a, 10V 4V A 150µA 170 nc @ 10 V ± 20V 6860 pf @ 50 V - 250W (TC)
IRFH5250DTRPBF International Rectifier IRFH5250DTRPBF 0,8300
RFQ
 ECAD 902 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download Ear99 8542.39.0001 362 N-canal 25 v 40A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 50a, 10V 2,35V a 150µA 83 nc @ 10 V ± 20V 6115 pf @ 13 V - 3.6W (TA), 156W (TC)
IRLZ44ZSPBF International Rectifier IRLZ44ZSPBF -
RFQ
 ECAD 7338 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 55 v 51a (TC) 13.5mohm @ 31a, 10v 3V A 250µA 36 NC @ 5 V ± 16V 1620 pf @ 25 V - 80W (TC)
AUIRFB4410-IR International Rectifier AUIRFB4410-IR 1.4500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Retificador Internacional Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-904 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 100 v 75a (TC) 10V 10mohm @ 58a, 10V 4V @ 1.037MA 180 nc @ 10 V ± 20V 5150 PF @ 50 V - 200W (TC)
AUIRLR3110Z International Rectifier Auillr3110z -
RFQ
 ECAD 5139 0,00000000 Retificador Internacional Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 100 v 42a (TC) 14mohm @ 38a, 10V 2.5V @ 100µA 48 NC a 4,5 V ± 16V 3980 pf @ 25 V - 140W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

Lista de RFQ (0 itens)
Lista de carrinhos (0 itens)
WishlistLista de desejos (0 itens)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Pad exposto de 196-LFBGA

Quantidade: 1

Lista de comparação (0 itens)
Bata Enter para pesquisar ou ESC para fechar