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Transistores (1222)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C
IRFS4115-7PPBF International Rectifier IRFS4115-7PPBF 2.5600
RFQ
 ECAD 9405 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia), TO-263CB MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (7 derivados) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 14 N-canal 150 v 105a (TC) 10V 11.8mohm @ 63a, 10V 5V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 20V 5320 pf @ 50 V - 380W (TC)
IRF6646TRPBF International Rectifier IRF6646TRPBF 1.3800
RFQ
 ECAD 433 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFet ™ MN ISOMÉTRICO MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFet ™ Mn download Ear99 8542.39.0001 217 N-canal 80 v 12a (ta), 68a (tc) 10V 9.5mohm @ 12a, 10V 4.9V A 150µA 50 nc @ 10 V ± 20V 2060 pf @ 25 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRL3103PBF International Rectifier IRL3103pbf 1.0000
RFQ
 ECAD 2105 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 30 v 64a (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 34a, 10V 1V a 250µA 33 NC a 4,5 V ± 16V 1650 PF @ 25 V - 94W (TC)
IRFBA1404PPBF International Rectifier IRFBA1404PPBF 1.5600
RFQ
 ECAD 258 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-273AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Super-220 ™ (TO-273AA) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 40 v 206a (TC) 10V 3.7mohm @ 95a, 10V 4V A 250µA 200 nc @ 10 V ± 20V 7360 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRF640NSTRRPBF International Rectifier IRF640NSTRRPBF -
RFQ
 ECAD 5934 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRF640 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 200 v 18a (TC) 10V 150mohm @ 11a, 10V 4V A 250µA 67 nc @ 10 V ± 20V 1160 pf @ 25 V - 150W (TC)
IRLR7821PBF International Rectifier IRLR7821pbf -
RFQ
 ECAD 7115 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 65a (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10V 1V a 250µA 14 NC a 4,5 V ± 20V 1030 pf @ 15 V - 75W (TC)
IRG8P25N120KDPBF International Rectifier IRG8P25N120KDPBF 3.2100
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 180 w TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 1 600V, 15A, 10OHM, 15V 70 ns - 1200 v 40 a 45 a 2V @ 15V, 15A 800µJ (ON), 900µJ (OFF) 135 NC 20ns/170ns
IRGP4760-EPBF International Rectifier IRGP4760-EPBF 2.6400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 325 w TO-247AD download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 400V, 48A, 10OHM, 15V - 650 v 90 a 144 a 2V @ 15V, 48a 1,7MJ (ON), 1MJ (Desligado) 145 NC 70ns/140ns
AUIRF2805 International Rectifier AUIRF2805 2.0000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 4.7mohm @ 104a, 10V 4V A 250µA 230 NC @ 10 V ± 20V 5110 pf @ 25 V - 330W (TC)
IRGP4760PBF International Rectifier IRGP4760PBF 2.9400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Retificador Internacional - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 325 w TO-247AC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 25 400V, 48A, 10OHM, 15V - 650 v 90 a 144 a 2V @ 15V, 48a 1,7MJ (ON), 1MJ (Desligado) 145 NC 70ns/140ns
AUIRFU4292 International Rectifier AUIRFU4292 0,7900
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-aauirfu4292-600047 1 N-canal 250 v 9.3a (TC) 10V 345mohm @ 5.6a, 10V 5V @ 50µA 20 NC A 10 V ± 20V 705 pf @ 25 V - 100w (TC)
IRGS6B60KDPBF International Rectifier IRGS6B60KDPBF -
RFQ
 ECAD 8634 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão 90 w D2PAK - 2156-IRGS6B60KDPBF 1 400V, 5A, 100OHM, 15V 70 ns NPT 600 v 13 a 26 a 2.2V @ 15V, 5A 110µJ (ON), 135µJ (Off) 18.2 NC 25ns/215ns
IRG8P25N120KD-EPBF International Rectifier IRG8P25N120KD-EPBF 4.1400
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 180 w TO-247AD download Ear99 8542.39.0001 1 600V, 15A, 10OHM, 15V 70 ns - 1200 v 40 a 45 a 2V @ 15V, 15A 800µJ (ON), 900µJ (OFF) 135 NC 20ns/170ns
IRFH7004TRPBF International Rectifier IRFH7004TRPBF -
RFQ
 ECAD 3280 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET®, STROTLIRFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície Pad Exposto de 8-VQFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) - 0000.00.0000 1 N-canal 40 v 100a (TC) 6V, 10V 1.4mohm @ 100a, 10V 3.9V A 150µA 194 NC @ 10 V ± 20V 6419 pf @ 25 V - 156W (TC)
IRLR8729PBF International Rectifier IRLR8729pbf -
RFQ
 ECAD 2904 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 30 v 58a (TC) 8.9mohm @ 25a, 10V 2.35V @ 25µA 16 nc @ 4,5 V ± 20V 1350 pf @ 15 V - 55W (TC)
IRFP4368PBF International Rectifier IRFP4368PBF -
RFQ
 ECAD 6132 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-247AC download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 75 v 195a (TC) 10V 1.85mohm @ 195a, 10V 4V A 250µA 570 nc @ 10 V ± 20V 19230 PF @ 50 V - 520W (TC)
IRFH3707TRPBF International Rectifier IRFH3707TRPBF 0,1500
RFQ
 ECAD 1456 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-PQFN (3x3) download Ear99 8542.39.0001 250 N-canal 30 v 12a (ta), 29a (tc) 4.5V, 10V 12.4mohm @ 12a, 10V 2.35V @ 25µA 8,1 nc @ 4,5 V ± 20V 755 pf @ 15 V - 2.8W (TA)
IRF7834PBF International Rectifier IRF7834PBF -
RFQ
 ECAD 6385 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 30 v 19a (TA) 4.5mohm @ 19a, 10V 2,25V a 250µA 44 NC a 4,5 V ± 20V 3710 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRGP4660D-EPBF International Rectifier IRGP4660D-EPBF 5.7700
RFQ
 ECAD 150 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 330 w TO-247AD download Ear99 8541.29.0095 52 400V, 48A, 10OHM, 15V 115 ns - 600 v 100 a 144 a 1.9V @ 15V, 48a 625µJ (ON), 1,28MJ (OFF) 140 NC 60ns/145ns
IRFB3207ZGPBF International Rectifier IRFB3207ZGPBF -
RFQ
 ECAD 9377 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 145 N-canal 75 v 120A (TC) 4.1mohm @ 75a, 10V 4V A 150µA 170 nc @ 10 V ± 20V 6920 PF @ 50 V - 300W (TC)
AUIRFS4010-7P International Rectifier AUIRFS4010-7P -
RFQ
 ECAD 1043 0,00000000 Retificador Internacional Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 100 v 190a (TC) 4mohm @ 110a, 10V 4V A 250µA 230 NC @ 10 V ± 20V 9830 PF @ 50 V - 380W (TC)
SI4420DYPBF International Rectifier SI4420DYPBF -
RFQ
 ECAD 6614 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so - ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 95 N-canal 30 v 12.5a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 12.5a, 10V 1V a 250µA 78 NC @ 10 V ± 20V 2240 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRFZ34NSPBF International Rectifier IRFZ34NSPBF -
RFQ
 ECAD 3502 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 7 N-canal 55 v 29a (TC) 40mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 34 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 68W (TC)
IRGS4715DPBF International Rectifier IRGS4715DPBF 1.1500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Retificador Internacional - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão 100 w D2PAK download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 400V, 8A, 50OHM, 15V 86 ns - 650 v 21 a 24 a 2V @ 15V, 8a 200µJ (ON), 90µJ (OFF) 30 NC 30ns/100ns
AUIRF3805L International Rectifier AUIRF3805L 1.9700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 55 v 160A (TC) 10V 3.3mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 290 nc @ 10 V ± 20V 7960 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRGP4086PBF International Rectifier IRGP4086PBF -
RFQ
 ECAD 3911 0,00000000 Retificador Internacional - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 160 w TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 196V, 25a, 10ohm Trincheira 300 v 70 a 2.96V @ 15V, 120A - 65 NC 36ns/112ns
IRG4PC50UPBF International Rectifier IRG4PC50UPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 1578 0,00000000 Retificador Internacional - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 200 w TO-247AC download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 480V, 27a, 5ohm, 15v - 600 v 55 a 220 a 2V @ 15V, 27a 120µJ (ON), 540µJ (Off) 180 NC 32ns/170ns
AUIRF1405ZSTRL International Rectifier AUIRF1405ZSTRL 1.0000
RFQ
 ECAD 6259 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 55 v 150a (TC) 10V 4.9mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 180 nc @ 10 V ± 20V 4780 pf @ 25 V - 230W (TC)
IRF7456PBF International Rectifier IRF7456pbf 1.0000
RFQ
 ECAD 6648 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 20 v 16a (ta) 2.8V, 10V 6.5mohm @ 16a, 10V 2V A 250µA 62 NC @ 5 V ± 12V 3640 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRF3710LPBF International Rectifier IRF3710LPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 2914 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 57a (TC) 10V 23mohm @ 28a, 10V 4V A 250µA 130 nc @ 10 V ± 20V 3130 pf @ 25 V - 200W (TC)
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