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Transistores (2488)

Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tipo de entrada Tecnologia Potência - Máx. Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Condição de teste Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tempo de recuperação reversa (trr) Tipo IGBT Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Corrente - Coletor Pulsado (Icm) Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic Trocando Energia Td (ligado/desligado) @ 25°C Atual - Corte do Coletor (Máx.) Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição Resistor - Base (R1) Resistor - Emissor Base (R2)
RN4984,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984,LF(CT 0,3500
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 ECAD 3 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200mW EUA6 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500nA 1 NPN, 1 PNP - Pré-polarizado (Duplo) 300mV @ 250µA, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz, 200 MHz 47kOhms 47kOhms
TK35A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A65W5,S5X 6.3000
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 ECAD 7564 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba DTMOSIV Tubo Ativo 150°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 TK35A65 MOSFET (óxido metálico) TO-220SIS download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 650 V 35A (Ta) 10V 95mOhm a 17,5A, 10V 4,5 V a 2,1 mA 115 nC @ 10 V ±30V 4100 pF a 300 V - 50W (Tc)
SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T(TE85L,F) -
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 ECAD 9193 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSV Fita e Carretel (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J307 MOSFET (óxido metálico) TSM download 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 5A (Ta) 1,5 V, 4,5 V 31mOhm @ 4A, 4,5V 1V @ 1mA 19 nC @ 4,5 V ±8V 1170 pF a 10 V - 700mW (Ta)
TPH3R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R003PL,LQ 0,9900
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 ECAD 3 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSIX-H Fita e Carretel (TR) Ativo 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerVDFN TPH3R003 MOSFET (óxido metálico) 8-SOP Avançado (5x5) download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 30 V 88A (Tc) 4,5V, 10V 4,2mOhm a 44A, 4,5V 2,1 V a 300 µA 50 nC @ 10 V ±20V 3825 pF a 15 V - 90W (Tc)
RN2425(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2425(TE85L,F) 0,4000
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 ECAD 5 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2425 200 mW Mini download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 800 mA 500nA PNP - Pré-tendencioso 250mV @ 1mA, 50mA 90 @ 100mA, 1V 200 MHz 10 kOhms
SSM3K15ACTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACTC,L3F 0,3200
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 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSIII Fita e Carretel (TR) Ativo 150ºC Montagem em superfície SC-101, SOT-883 SSM3K15 MOSFET (óxido metálico) CST3C download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10.000 Canal N 30 V 100mA (Ta) 2,5V, 4V 3,6Ohm a 10mA, 4V 1,5 V a 100 µA ±20V 13,5 pF a 3 V - 500mW (Ta)
HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-GR,LXHF 0,3900
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 ECAD 7 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Fita e Carretel (TR) Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície SOT-563, SOT-666 HN1C01 100mW ES6 download 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 150mA 100nA (ICBO) 2 NPN (duplo) 250mV a 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961FE(TE85L,F) -
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 ECAD 9441 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto Montagem em superfície SOT-563, SOT-666 RN2961 100mW ES6 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100nA (ICBO) 2PNP - Pré-tendencioso (Dual) 300mV @ 250µA, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4,7kOhms 4,7kOhms
RN2309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309,LF 0,1800
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 ECAD 3 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície SC-70, SOT-323 RN2309 100 mW SC-70 download 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Pré-tendencioso 300mV @ 250µA, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kOhms 22 kOhms
SSM3J375F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J375F,LF 0,4100
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 ECAD 28 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSVI Fita e Carretel (TR) Ativo 150ºC Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J375 MOSFET (óxido metálico) Mini download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 2A (Ta) 1,5 V, 4,5 V 150mOhm @ 1A, 4,5V 1V @ 1mA 4,6 nC @ 4,5 V +6V, -8V 270 pF a 10 V - 600 mW (Ta)
TK20P04M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK20P04M1,RQ(S -
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 ECAD 3613 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSVI-H Fita e Carretel (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 TK20P04 MOSFET (óxido metálico) DPAK download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.000 Canal N 40 V 20A (Ta) 4,5V, 10V 29mOhm @ 10A, 10V 2,3 V a 100 µA 15 nC @ 10 V ±20V 985 pF a 10 V - 27W (Tc)
TK28V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W,LQ 5.2600
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 ECAD 4 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo 150ºC Montagem em superfície Almofada exposta 4-VSFN TK28V65 MOSFET (óxido metálico) 4-DFN-EP (8x8) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 650 V 27,6A (Ta) 10V 120mOhm @ 13,8A, 10V 3,5 V a 1,6 mA 75 nC @ 10 V ±30V 3000 pF a 300 V - 240W (Tc)
SSM6L14FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L14FE(TE85L,F) 0,4300
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 ECAD 35 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo 150ºC Montagem em superfície SOT-563, SOT-666 SSM6L14 MOSFET (óxido metálico) 150mW (Ta) ES6 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 Canal N e P 20V 800mA (Ta), 720mA (Ta) 240mOhm a 500mA, 4,5V, 300mOhm a 400mA, 4,5V 1V @ 1mA 2nC a 4,5V, 1,76nC a 4,5V 90pF a 10V, 110pF a 10V Porta de nível lógico, unidade de 1,5 V
RN2103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103,LXHF(CT 0,3300
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 ECAD 6 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície SC-75, SOT-416 RN2103 100 mW MES download 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Pré-tendencioso 300mV @ 250µA, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kOhms 22 kOhms
GT40RR21(STA1,E Toshiba Semiconductor and Storage GT40RR21(STA1,E 3.6500
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 ECAD 1369 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo 175°C (TJ) Através do furo TO-3P-3, SC-65-3 GT40RR21 padrão 230W PARA-3P(N) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 280V, 40A, 10Ohm, 20V 600 ns - 1200 V 40A 200A 2,8V a 15V, 40A -, 540 µJ (desligado) -
TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W,S1F 3.3800
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 ECAD 8957 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba DTMOSIV Tubo Ativo 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 TK14N65 MOSFET (óxido metálico) PARA-247 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 650 V 13,7A (Ta) 10V 250mOhm a 6,9A, 10V 3,5 V a 690 µA 35 nC @ 10 V ±30V 1300 pF a 300 V - 130W (Tc)
RN2410,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2410,LF 0,1900
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 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2410 200 mW Mini download 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100nA (ICBO) PNP - Pré-tendencioso 300mV @ 250µA, 5mA 120 @ 1mA, 5V 200 MHz 4,7 kOhms
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8031-H(TE12L,Q -
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 ECAD 8993 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSV-H Fita e Carretel (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerVDFN TPCA8031 MOSFET (óxido metálico) 8-SOP Avançado (5x5) download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 30 V 24A (Ta) 4,5V, 10V 11mOhm @ 12A, 10V 2,5V a 1mA 21 nC @ 10 V ±20V 2150 pF a 10 V - 1,6 W (Ta), 30 W (Tc)
RN4607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4607(TE85L,F) 0,4700
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 ECAD 795 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície SC-74, SOT-457 RN4607 300mW SM6 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100nA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Pré-polarizado (Duplo) 300mV @ 250µA, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10kOhms 47kOhms
TK31N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60X,S1F 5.9700
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 ECAD 9517 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba DTMOSIV-H Tubo Ativo 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 TK31N60 MOSFET (óxido metálico) PARA-247 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 600 V 30,8A (Ta) 10V 88mOhm @ 9,4A, 10V 3,5 V a 1,5 mA 65 nC @ 10 V ±30V 3000 pF a 300 V - 230W (Tc)
SSM6N48FU,RF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU,RF(D -
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 ECAD 1977 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N48 MOSFET (óxido metálico) 300mW EUA6 download 1 (ilimitado) SSM6N48FURF(D EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canais N (duplo) 30V 100mA (Ta) 3,2Ohm a 10mA, 4V 1,5 V a 100 µA - 15,1pF a 3V Porta de nível lógico, unidade de 2,5 V
2SJ438,MDKQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438,MDKQ(M -
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 ECAD 6890 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto Através do furo Pacote completo TO-220-3 2SJ438 PARA-220NIS download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 5A (Tj)
SSM3K376R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K376R,LF 0,4300
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 ECAD 54 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSVII-H Fita e Carretel (TR) Ativo 150ºC Montagem em superfície Cabos planos SOT-23-3 SSM3K376 MOSFET (óxido metálico) SOT-23F download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 30 V 4A (Ta) 1,8 V, 4,5 V 56mOhm @ 2A, 4,5V 1V @ 1mA 2,2 nC a 4,5 V +12V, -8V 200 pF a 10 V - 2W (Ta)
TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LXGQ 3.7000
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 ECAD 4476 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSVIII-H Fita e Carretel (TR) Ativo 175°C Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB TK160F10 MOSFET (óxido metálico) TO-220SM(W) - 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 1.000 Canal N 100V 160A (Ta) 6V, 10V 2,4mOhm a 80A, 10V 3,5V a 1mA 122 nC @ 10 V ±20V 10100 pF a 10 V - 375W (Tc)
TK6A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A50D(STA4,Q,M) 1.3700
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 ECAD 50 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba π-MOSVII Tubo Ativo 150°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 TK6A50 MOSFET (óxido metálico) TO-220SIS download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 500 V 6A (Ta) 10V 1,4Ohm @ 3A, 10V 4,4V a 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 540 pF a 25 V - 35W (Tc)
TK28V65W5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W5,LQ 5.5700
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 ECAD 4 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo 150ºC Montagem em superfície Almofada exposta 4-VSFN TK28V65 MOSFET (óxido metálico) 4-DFN-EP (8x8) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 650 V 27,6A (Ta) 10V 140mOhm @ 13,8A, 10V 4,5 V a 1,6 mA 90 nC @ 10 V ±30V 3000 pF a 300 V - 240W (Tc)
TK125V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK125V65Z,LQ 4.9000
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 ECAD 7993 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba DTMOSVI Fita e Carretel (TR) Ativo 150ºC Montagem em superfície Almofada exposta 4-VSFN TK125V65 MOSFET (óxido metálico) 4-DFN-EP (8x8) download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 650 V 24A (Ta) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 4 V a 1,02 mA 40 nC @ 10 V ±30V 2.250 pF a 300 V - 190W (Tc)
TW140N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW140N120C,S1F 11.3700
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 ECAD 10 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo 175°C Através do furo PARA-247-3 SiCFET (carboneto de silício) PARA-247 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 1200 V 20A (Tc) 18V 182mOhm @ 10A, 18V 5V @ 1mA 24 nC @ 18 V +25V, -10V 691 pF a 800 V - 107W (Tc)
RN2401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401,LF 0,2200
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 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2401 200 mW Mini download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Pré-tendencioso 300mV @ 250µA, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200 MHz 4,7 kOhms 4,7 kOhms
RN2905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905,LXHF(CT 0,4400
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 ECAD 3 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2905 200mW EUA6 download 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500nA 2PNP - Pré-tendencioso (Dual) 300mV @ 250µA, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2,2 kOhms 47kOhms
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AD9208BBPZ-3000

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