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Transistores (2488)

Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tecnologia Potência - Máx. Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Ganho Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Atual - Corte do Coletor (Máx.) Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição Resistor - Base (R1) Resistor - Emissor Base (R2) Figura de ruído (dB Typ @ f)
RN1116MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1116MFV,L3F 0,1800
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 ECAD 8 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície SOT-723 RN1116 150 mW VESM download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 8.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Pré-tendencioso 300mV @ 250µA, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 4,7 kOhms 10 kOhms
RN2963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2963FE(TE85L,F) -
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 ECAD 1154 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto Montagem em superfície SOT-563, SOT-666 RN2963 100mW ES6 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100nA (ICBO) 2PNP - Pré-tendencioso (Dual) 300mV @ 250µA, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22kOhms 22kOhms
2SA1020-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O,F(J -
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 ECAD 1486 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto 150°C (TJ) Através do furo TO-226-3, TO-92-3 Corpo Longo 2SA1020 900 mW TO-92MOD download 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2A 1µA (ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213BTE85LF 0,4400
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 ECAD 15 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo 125°C (TJ) Montagem em superfície SC-70, SOT-323 2SC4213 100 mW SC-70 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 20 V 300 mA 100nA (ICBO) NPN 100mV @ 3mA, 30A 350 @ 4mA, 2V 30MHz
S1PA7[UD] Toshiba Semiconductor and Storage S1PA7[UD] -
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 ECAD 1361 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Bandeja Ativo - 1 (ilimitado) 190-S1PA7[UD] EAR99 8541.29.0095 100
2SC2229-O(SHP,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O(SHP,F,M) -
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 ECAD 6232 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto 150°C (TJ) Através do furo TO-226-3, TO-92-3 Corpo Longo 2SC2229 800 mW TO-92MOD download 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 mA 100nA (ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
SSM5P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5P15FU,LF 0,4500
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 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo 150ºC Montagem em superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 SSM5P15 MOSFET (óxido metálico) 200mW (Ta) USV download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canais P (duplo) 30V 100mA (Ta) 12Ohm @ 10mA, 4V 1,7 V a 100 µA - 9,1pF a 3V -
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111(TE85L,F) 0,6300
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 ECAD 1 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MT3S111 700mW Mini download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 12dB 6V 100mA NPN 200 @ 30mA, 5V 11,5GHz 1,2 dB a 1 GHz
SSM6J414TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J414TU,LF 0,4900
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 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSVI Fita e Carretel (TR) Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície 6-SMD, cabos planos SSM6J414 MOSFET (óxido metálico) UF6 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 6A (Ta) 1,5 V, 4,5 V 22,5mOhm @ 6A, 4,5V 1V @ 1mA 23,1 nC a 4,5 V ±8V 1650 pF a 10 V - 1W (Ta)
RN2105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105ACT(TPL3) 0,0527
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 ECAD 10 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície SC-101, SOT-883 RN2105 100 mW CST3 - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10.000 50 V 80 mA 500nA PNP - Pré-tendencioso 150mV @ 250µA, 5mA 80 @ 10mA, 5V 2,2 kOhms 47 kOhms
TPHR9203PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL1,LQ 1.7200
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 ECAD 19 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSIX-H Fita e Carretel (TR) Ativo 175°C Montagem em superfície 8-PowerTDFN MOSFET (óxido metálico) 8-SOP Avançado (5x5,75) - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 30 V 150A (Tc) 4,5V, 10V 0,92mOhm a 50A, 10V 2,1 V a 500 µA 81 nC @ 10 V ±20V 7540 pF a 15 V - 960mW (Ta), 170W (Tc)
2SC5201(T6MURATAFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201(T6MURATAFM -
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 ECAD 5065 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto 150°C (TJ) Através do furo TO-226-3, TO-92-3 Corpo Longo 2SC5201 900 mW TO-92MOD download 1 (ilimitado) 2SC5201T6MURATAFM EAR99 8541.21.0095 1 600 V 50 mA 1µA (ICBO) NPN 1V a 500mA, 20mA 100 @ 20mA, 5V -
HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN4A51JTE85LF 0,4500
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 ECAD 8 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície SC-74A, SOT-753 HN4A51 300mW SMV download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 120V 100mA 100nA (ICBO) 2 PNP (duplo) 300mV @ 1mA, 10mA 200 @ 2mA, 6V 100MHz
SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F,LF 0,3700
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 ECAD 4 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSVI Fita e Carretel (TR) Ativo 150ºC Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J168 MOSFET (óxido metálico) SOT-23-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 400mA (Ta) 4V, 10V 1,9 Ohm a 100 mA, 4,5 V 2V @ 1mA 3 nC @ 10 V +20V, -16V 82 pF a 10 V - 1,2W (Ta)
RN2964(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2964(TE85L,F) 0,4800
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 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2964 100mW EUA6 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100nA (ICBO) 2PNP - Pré-tendencioso (Dual) 300mV @ 250µA, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kOhms 47kOhms
SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K329R,LF 0,4300
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 ECAD 28 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSIII Fita e Carretel (TR) Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície Cabos planos SOT-23-3 SSM3K329 MOSFET (óxido metálico) SOT-23F download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 30 V 3,5A (Ta) 1,8V, 4V 126mOhm @ 1A, 4V 1V @ 1mA 1,5 nC a 4 V ±12V 123 pF a 15 V - 1W (Ta)
SSM10N954L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM10N954L,EFF 1.3600
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 ECAD 10 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo 150ºC Montagem em superfície 10-SMD, sem chumbo MOSFET (óxido metálico) TCSPAC-153001 - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 10.000 Canal N 12V 13,5A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 2,75mOhm a 6A, 4,5V 1,4 V a 1,11 mA 25 nC @ 4 V ±8V - 800 mW (Ta)
RN1901FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FETE85LF 0,3900
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 ECAD 5438 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície SOT-563, SOT-666 RN1901 100mW ES6 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100nA (ICBO) 2 NPN - Pré-polarizado (Duplo) 300mV @ 250µA, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4,7kOhms 4,7kOhms
SSM6N35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFE,LF 0,4000
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 ECAD 43 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo 150ºC Montagem em superfície SOT-563, SOT-666 SSM6N35 MOSFET (óxido metálico) 250mW ES6 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 2 canais N (duplo) 20V 250mA (Ta) 1,1 Ohm a 150 mA, 4,5 V 1V @ 100µA 0,34nC a 4,5V 36pF a 10V Porta de nível lógico, unidade de 1,2 V
2SA1869-Y(JKT,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-Y(JKT,Q,M) -
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 ECAD 5990 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto 150°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 2SA1869 10 W PARA-220NIS download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 50 V 3A 1µA (ICBO) PNP 600mV a 200mA, 2A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1104CT(TPL3) -
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 ECAD 1891 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto Montagem em superfície SC-101, SOT-883 RN1104 50 mW CST3 download 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10.000 20 V 50 mA 500nA NPN - Pré-tendencioso 150mV @ 250µA, 5mA 120 @ 10mA, 5V 47 kOhms 47 kOhms
TPCA8007-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8007-H(TE12L,Q -
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 ECAD 8492 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Fita Cortada (CT) Obsoleto TPCA8007 download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000
2SC3665-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y,T2F(J -
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 ECAD 2388 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto 150°C (TJ) Através do furo SC-71 2SC3665 1W MSTM download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 120V 800 mA 100nA (ICBO) NPN 1V a 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
SSM6P36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36FE,LM 0,4300
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 ECAD 3 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície SOT-563, SOT-666 SSM6P36 MOSFET (óxido metálico) 150mW ES6 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 2 canais P (duplo) 20V 330mA 1,31 Ohm a 100 mA, 4,5 V 1V @ 1mA 1,2nC @ 4V 43pF a 10V Portão de nível lógico
2SD2206(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206(T6CNO,A,F) -
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 ECAD 7218 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto 150°C (TJ) Através do furo TO-226-3, TO-92-3 Corpo Longo 2SD2206 900 mW TO-92MOD download 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 100V 2A 10µA (ICBO) NPN 1,5V a 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100MHz
RN1502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1502(TE85L,F) 0,4700
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 ECAD 1 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície SC-74A, SOT-753 RN1502 300mW SMV download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100nA (ICBO) 2 NPN - Pré-polarizado (Duplo) 300mV @ 250µA, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kOhms 10kOhms
RN1105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1105ACT(TPL3) -
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 ECAD 7215 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto Montagem em superfície SC-101, SOT-883 RN1105 100 mW CST3 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10.000 50 V 80 mA 500nA NPN - Pré-tendencioso 150mV @ 250µA, 5mA 80 @ 10mA, 5V 2,2 kOhms 47 kOhms
2SA1954BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1954BTE85LF -
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 ECAD 7205 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto 125°C (TJ) Montagem em superfície SC-70, SOT-323 2SA1954 100 mW SC-70 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 12V 500 mA 100nA (ICBO) PNP 250mV a 10mA, 200mA 500 @ 10mA, 2V 130MHz
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