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Transistores (2488)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Resistor - Base (R1) | Resistor - Base de Emissor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SA1162-O, lf | 0,1700 |  | 2 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SA1162 | 150 MW | S-mini | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 150 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 300mv @ 10ma, 100mA | 200 @ 2MA, 6V | 80MHz | |||||||||||||||||
 | 2SA1020-O, CKF (j | - | | 2405 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo | 2SA1020 | 900 MW | TO-92MOD | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µA (ICBO) | Pnp | 500mV @ 50Ma, 1A | 70 @ 500MA, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||
 | RN1102CT (TPL3) | - | | 2266 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SC-101, SOT-883 | RN1102 | 50 mw | Cst3 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 20 v | 50 MA | 500na | Npn - pré -tendencioso | 150mv @ 250µA, 5MA | 60 @ 10MA, 5V | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||
 | RN1107, LXHF (CT | 0,3300 | | 6 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-75, SOT-416 | RN1107 | 100 mw | SSM | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500na | Npn - pré -tendencioso | 300mv @ 250µA, 5MA | 80 @ 10Ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||
 | Hn1b01fu-gr, lf | 0,3400 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | HN1B01 | 200MW, 210MW | US6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 150mA | 100na (ICBO) | Npn, pnp | 250mv @ 10ma, 100mA | 200 @ 2MA, 6V | 150MHz | |||||||||||||||||
| Rn2413te85lf | 0,2900 | | 4597 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2413 | 200 MW | S-mini | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100na (ICBO) | PNP - Pré -tendencioso | 300mv @ 250µA, 5MA | 120 @ 1MA, 5V | 200 MHz | 47 Kohms | |||||||||||||||||
 | RN1508 (TE85L, F) | 0,4700 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-74A, SOT-753 | RN1508 | 300mw | Smv | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 100na (ICBO) | 2 NPN - Pré -tendencioso (Duplo) (Emissor Acoplado) | 300mv @ 250µA, 5MA | 80 @ 10Ma, 5V | 250MHz | 22kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
 | Tk12j60u (f) | - | | 9902 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | Dtmosii | Bandeja | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | TK12J60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3P (n) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 12a (ta) | 10V | 400mohm @ 6a, 10V | 5V @ 1MA | 14 nc @ 10 V | ± 30V | 720 pf @ 10 V | - | 144W (TC) | |||||||||||||
 | 2SK2266 (TE24R, Q) | - | | 2638 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 2SK2266 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220SM | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 60 v | 45a (ta) | 4V, 10V | 30mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1MA | 60 nc @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 10 V | - | 65W (TC) | ||||||||||||||
| RN4990 (T5L, F, T) | - | | 4976 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN4990 | 200mw | US6 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 100µA (ICBO) | 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) | 300mv @ 250µA, 5MA | 120 @ 1MA, 5V | 250MHz, 200MHz | 4.7kohms | - | ||||||||||||||||
 | RN2962FE (TE85L, F) | - | | 8234 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | RN2962 | 100mW | ES6 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100mA | 100na (ICBO) | 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) | 300mv @ 250µA, 5MA | 50 @ 10MA, 5V | 200MHz | 10kohms | 1kohms | |||||||||||||||||
| Rn1402s, lf | - | | 4581 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1402 | 200 MW | S-mini | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500na | Npn - pré -tendencioso | 300mv @ 250µA, 5MA | 50 @ 10MA, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||
| RN1109, LF (CT | 0,2000 | | 3 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-75, SOT-416 | RN1109 | 100 mw | SSM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Npn - pré -tendencioso | 300mv @ 250µA, 5MA | 70 @ 10MA, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||
| RN2910FE, LF (CT | 0,2600 | | 4 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | RN2910 | 100mW | ES6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100mA | 100na (ICBO) | 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) | 300mv @ 250µA, 5MA | 120 @ 1MA, 5V | 200MHz | 4.7kohms | - | ||||||||||||||||
| Rn2404, lf | 0,0289 | | 6844 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2404 | 200 MW | S-mini | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500na | PNP - Pré -tendencioso | 300mv @ 250µA, 5MA | 80 @ 10Ma, 5V | 200 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
 | Rn1708, lf | 0,3000 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | RN1708 | 200mw | USV | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100mA | 500na | 2 npn - pré -tendencioso (duplo) | 300mv @ 250µA, 5MA | 80 @ 10Ma, 5V | 250MHz | 22kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
| Rn2427te85lf | 0,4200 | | 4924 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2427 | 200 MW | S-mini | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 800 mA | 500na | PNP - Pré -tendencioso | 250mv @ 1Ma, 50Ma | 90 @ 100MA, 1V | 200 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
| 2SA1225-y (Q) | - | | 5342 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 2SA1225 | 1 w | PW-Mold | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0075 | 200 | 160 v | 1.5 a | 1µA (ICBO) | Pnp | 1,5V a 50mA, 500mA | 120 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
 | 2SC6142 (Q) | - | | 2783 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | CAIXA | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 Leads de Stub, Ipak | 1.1 w | PW-Mold2 | download | 264-2SC6142 (Q) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 375 v | 1.5 a | 50µA (ICBO) | Npn | 900mv @ 100mA, 800mA | 100 @ 100mA, 5V | - | |||||||||||||||||||
| Ssm6n16fute85lf | 0,5000 | | 600 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SSM6N16 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 200mw | US6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 100mA | 3OHM @ 10MA, 4V | 1.1V @ 100µA | - | 9.3pf @ 3V | - | |||||||||||||||
 | Uln2803APG, cn | - | | 1735 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Através do buraco | 18-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Uln2803 | 1.47W | 18-DIP | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0075 | 800 | 50V | 500mA | - | 8 NPN Darlington | 1.6V @ 500µA, 350mA | 1000 @ 350mA, 2V | - | ||||||||||||||||||
 | Rn2301, lf | 0,1800 | | 8 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | RN2301 | 100 mw | SC-70 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500na | PNP - Pré -tendencioso | 300mv @ 250µA, 5MA | 30 @ 10MA, 5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||
| 2SD2695, T6F (m | - | | 9931 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo | 2SD2695 | 900 MW | TO-92MOD | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60 v | 2 a | 10µA (ICBO) | Npn | 1.5V @ 1MA, 1A | 2000 @ 1A, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||
 | SSM3K36MFV, L3F | 0,4000 | | 358 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | U-Mosiii | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-723 | SSM3K36 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Vesm | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-canal | 20 v | 500mA (TA) | 1.5V, 5V | 630mohm @ 200Ma, 5V | 1V @ 1MA | 1,23 nc @ 4 V | ± 10V | 46 pf @ 10 V | - | 150mW (TA) | |||||||||||||
| 2SC2383-y (T6DNS, FM | - | | 8306 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo | 2SC2383 | 900 MW | TO-92MOD | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 160 v | 1 a | 1µA (ICBO) | Npn | 1,5V a 50mA, 500mA | 60 @ 200Ma, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
 | 2SA1428-O, T2CLAF (J. | - | | 6034 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | SC-71 | 2SA1428 | 900 MW | Mstm | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µA (ICBO) | Pnp | 500mV @ 50Ma, 1A | 70 @ 500MA, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| 2SC2655-y (T6STL, FM | - | | 1155 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo | 2SC2655 | 900 MW | TO-92MOD | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µA (ICBO) | Npn | 500mV @ 50Ma, 1A | 70 @ 500MA, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||
 | TPC8014 (TE12L, Q, M) | - | | 2019 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) | TPC8014 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP (5,5x6.0) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 11a (ta) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 5.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1860 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||
| RN2967FE (TE85L, F) | - | | 6068 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | RN2967 | 100mW | ES6 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100mA | 100na (ICBO) | 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) | 300mv @ 250µA, 5MA | 80 @ 10Ma, 5V | 200MHz | 10kohms | 47kohms | |||||||||||||||||
| Rn1408, lf | 0,1900 | | 3234 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1408 | 200 MW | S-mini | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500na | Npn - pré -tendencioso | 300mv @ 250µA, 5MA | 80 @ 10Ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms |
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