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Transistores (2488)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
RN1112(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 1237 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1112 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz 22 Kohms
RN2117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2117 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 9782 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN2117 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 200 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
HN1B04FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage Hn1b04fu-y (t5l, f, t -
RFQ
 ECAD 1894 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B04 200mw US6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 150mA 100na (ICBO) Npn, pnp 250mv @ 10ma, 100mA 120 @ 2MA, 6V 150MHz
2SD1407A-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1407A-Y (F) -
RFQ
 ECAD 9090 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SD1407 30 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 100 v 5 a 100µA (ICBO) Npn 2V @ 400MA, 4A 120 @ 1A, 5V 12MHz
2SC5201,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201, F (j -
RFQ
 ECAD 5246 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC5201 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 1 600 v 50 MA 1µA (ICBO) Npn 1V @ 500MA, 20MA 100 @ 20MA, 5V -
RN2108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2108, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 6863 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN2108 100 mw SSM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
SSM6L61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L61NU, LF 0,4500
RFQ
 ECAD 132 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo - Montagem na Superfície 6 WDFN PAD Exposto SSM6L61 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) - 6-udfn (2x2) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N E P-Canal 20V 4a - - - - -
2SK3906(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3906 (Q) -
RFQ
 ECAD 5343 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 2SK3906 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P (n) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 20A (TA) 10V 330mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 60 nc @ 10 V ± 30V 4250 pf @ 25 V - 150W (TC)
RN2105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 2702 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 RN2105 50 mw Cst3 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 20 v 50 MA 500na PNP - Pré -tendencioso 150mv @ 250µA, 5MA 120 @ 10MA, 5V 2.2 Kohms 47 Kohms
TK20A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60W5, S5VX 3.2700
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK20A60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 20A (TA) 10V 175mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 1MA 55 nc @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 300 V - 45W (TC)
RN2910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2910 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 8410 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2910 200mw US6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7kohms -
RN2416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2416, LXHF 0,3400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2416 200 MW S-mini download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 200 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
RN1902T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage Rn1902t5lft -
RFQ
 ECAD 4506 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1902 200mw US6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
2SA1020-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O, F (j -
RFQ
 ECAD 1486 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SA1020 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 70 @ 500MA, 2V 100MHz
2SA1020-Y(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y (F, M) -
RFQ
 ECAD 9152 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SA1020 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 70 @ 500MA, 2V 100MHz
TK3R1E04PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1E04PL, S1X 1.4400
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-mosix-h Tubo Ativo 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TK3R1E04 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 40 v 100a (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 30a, 4.5V 2.4V @ 500µA 63,4 NC a 10 V ± 20V 4670 pf @ 20 V - 87W (TC)
RN2411,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn2411, lf 0,1800
RFQ
 ECAD 2606 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2411 200 MW S-mini download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 10 Kohms
RN1107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1107 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2506 (TE85L, F) 0,3500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 RN2506 300mw Smv download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) (Emissor Acoplado) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200MHz 4.7kohms 47kohms
TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5200FNH, L1Q 2.9500
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPH5200 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento de 8-SOP (5x5) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 250 v 26a (TC) 10V 52mohm @ 13a, 10V 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 100 V - 78W (TC)
TPHR9203PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL1, LQ 1.7200
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-mosix-h Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C. Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento de 8-SOP (5x5.75) - 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 150a (TC) 4.5V, 10V 0,92mohm @ 50a, 10V 2.1V @ 500µA 81 nc @ 10 V ± 20V 7540 pf @ 15 V - 960MW (TA), 170W (TC)
HN3C10FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF 0,5600
RFQ
 ECAD 101 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo - Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN3C10 200mw US6 - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 11.5dB 12V 80mA 2 NPN (DUPLO) 80 @ 20MA, 10V 7GHz 1.1dB @ 1GHz
RN1608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1608 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 RN1608 300mw SM6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz 22kohms 47kohms
HN4A56JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4A56JU (TE85L, F) 0,0616
RFQ
 ECAD 4855 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 HN4A56 200mw USV download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 150mA 100na (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 300mv @ 10ma, 100mA 120 @ 2MA, 6V 60MHz
2SC4915-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4915-O, lf 0,5000
RFQ
 ECAD 9220 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 2SC4915 100mW SSM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 17dB ~ 23dB 30V 20mA Npn 70 @ 1MA, 6V 550MHz 2.3db ~ 5db @ 100mHz
RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4606 (TE85L, F) 0,3800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 RN4606 300mw SM6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100µA (ICBO) 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200MHz, 250MHz 4.7kohms 47kohms
2SA1680,T6SCMDF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680, T6SCMDF (j -
RFQ
 ECAD 3084 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SA1680 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 120 @ 100mA, 2V 100MHz
2SA1837,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, WNLF (j -
RFQ
 ECAD 5431 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SA1837 2 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA (ICBO) Pnp 1,5V a 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70MHz
TK35E10K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK35E10K3 (S1SS-Q) -
RFQ
 ECAD 8927 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto - Através do buraco To-220-3 TK35E10 - To-220 - Rohs Compatível 1 (ilimito) TK35E10K3S1SSQ Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - -
2SC3665-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-y, T2F (j -
RFQ
 ECAD 2388 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco SC-71 2SC3665 1 w Mstm download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1 120 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
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