SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
RN4604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4604 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 RN4604 300mw SM6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
RN2507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2507 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 RN2507 300mw Smv download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) (Emissor Acoplado) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200MHz 10kohms 47kohms
RN1301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301, LXHF 0,3900
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 RN1301 100 mw SC-70 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R003NL, L1Q 1.0700
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPH4R003 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento de 8-SOP (5x5) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 200µA 14,8 nc @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 15 V - 1.6W (TA), 36W (TC)
TK10A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W5, S5VX 2.0400
RFQ
ECAD 32 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK10A60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 9.7a (TA) 10V 450mohm @ 4.9a, 10V 4.5V @ 500µA 25 nc @ 10 V ± 30V 720 pf @ 300 V - 30W (TC)
2SA1680,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680, T6F (j -
RFQ
ECAD 4464 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SA1680 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 120 @ 100mA, 2V 100MHz
2SC4793(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 (F, M) -
RFQ
ECAD 5677 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SC4793 2 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 500 230 v 1 a 1µA (ICBO) Npn 1,5V a 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
2SC2235-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y, f (j -
RFQ
ECAD 8296 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC2235 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
RN1109,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1109, LXHF (CT 0,3300
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1109 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk12a60d (sta4, q, m) 3.0200
RFQ
ECAD 45 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba π-mosvii Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK12A60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 12a (ta) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 1MA 38 nc @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 45W (TC)
TPC8408,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8408, LQ (s 0,4700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TPC8408 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 450mw 8-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 2.500 N E P-Canal 40V 6.1a, 5.3a 32mohm @ 3.1a, 10V 2.3V @ 100µA 24NC @ 10V 850pf @ 10V Portão de Nível Lógico
2SD1221-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1221-y (q) -
RFQ
ECAD 3084 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 2SD1221 1 w PW-Mold download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 200 60 v 3 a 100µA (ICBO) Npn 1V @ 300MA, 3A 100 @ 500mA, 5V 3MHz
TK10V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W, LVQ 1.6898
RFQ
ECAD 2422 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-VSFN PAD EXPOSTO TK10V60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-DFN-EP (8x8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 9.7a (TA) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 3.7V @ 500µA 20 NC A 10 V ± 30V 700 pf @ 300 V - 88.3W (TC)
RN2102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2102CT (TPL3) -
RFQ
ECAD 9019 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 RN2102 50 mw Cst3 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 20 v 50 MA 500na PNP - Pré -tendencioso 150mv @ 250µA, 5MA 60 @ 10MA, 5V 10 Kohms 10 Kohms
RN2108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108 (T5L, F, T) 0,2800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN2108 100 mw SSM download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
TDTA144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA144E, LM 0,1800
RFQ
ECAD 3791 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA144 320 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 88 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 Kohms
RN1109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1109ACT (TPL3) -
RFQ
ECAD 1006 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 RN1109 100 mw Cst3 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 50 v 80 MA 500na Npn - pré -tendencioso 150mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 47 Kohms 22 Kohms
2SA1837,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, WNLF (j -
RFQ
ECAD 5431 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SA1837 2 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA (ICBO) Pnp 1,5V a 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70MHz
2SA1680,T6SCMDF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680, T6SCMDF (j -
RFQ
ECAD 3084 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SA1680 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 120 @ 100mA, 2V 100MHz
RN1909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE (TE85L, F) 0,3500
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN1909 100mW ES6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 250MHz 47kohms 22kohms
RN1417,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1417, lf 0,1800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1417 200 MW S-mini download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
2SC3665-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-y, T2F (j -
RFQ
ECAD 2388 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco SC-71 2SC3665 1 w Mstm download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1 120 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
TK35E10K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK35E10K3 (S1SS-Q) -
RFQ
ECAD 8927 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto - Através do buraco To-220-3 TK35E10 - To-220 - Rohs Compatível 1 (ilimito) TK35E10K3S1SSQ Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - -
TPH1500CNH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1500CNH1, LQ 1.6600
RFQ
ECAD 9158 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TPH1500 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento de 8-SOP (5x5.75) download 1 (ilimito) 5.000 N-canal 150 v 74A (TA), 38A (TC) 10V 15.4mohm @ 19a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 2200 pf @ 75 V - 2.5W (TA), 170W (TC)
2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213BTE85lf 0,4400
RFQ
ECAD 15 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 2SC4213 100 mw SC-70 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 20 v 300 mA 100na (ICBO) Npn 100mv @ 3Ma, 30a 350 @ 4MA, 2V 30MHz
RN1113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1113, LXHF (CT 0,0618
RFQ
ECAD 7774 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1113 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz 47 Kohms
XPW4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPW4R10ANB, L1XHQ 2.3200
RFQ
ECAD 22 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície 8-powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento 8-DSOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 100 v 70A 6V, 10V 4.1mohm @ 35a, 10V 3.5V @ 1Ma 75 NC @ 10 V ± 20V 4970 PF @ 10 V Padrão 170W (TC)
TPN4R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R203NC, L1Q 0,4595
RFQ
ECAD 1481 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosviii Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPN4R203 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento 8-Tson (3,1x3.1) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 23a (TA) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 11.5a, 10V 2.3V @ 200µA 24 nc @ 10 V ± 20V 1370 pf @ 15 V - 700mW (TA), 22W (TC)
SSM3K15ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT (TPL3) 0,0672
RFQ
ECAD 1826 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosiii Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 SSM3K15 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Cst3 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 N-canal 30 v 100mA (ta) 2.5V, 4V 3.6ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µA ± 20V 13,5 pf @ 3 V - 100mW (TA)
RN1102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102, LXHF (CT 0,3300
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1102 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque