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Transistores (2488)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
TK39J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W, S1VQ 10.7200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 TK39J60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P (n) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 25 N-canal 600 v 38.8a (TA) 10V 65mohm @ 19.4a, 10V 3.7V @ 1.9MA 110 nc @ 10 V ± 30V 4100 pf @ 300 V - 270W (TC)
TK25E60X5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK25E60X5, S1X 4.5900
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv-h Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TK25E60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 25a (ta) 10V 140mohm @ 7.5a, 10V 4.5V @ 1.2Ma 60 nc @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 180W (TC)
SSM3K15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 8514 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba π-mosvi Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 SSM3K15 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Cst3 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 N-canal 30 v 100mA (ta) 2.5V, 4V 4OHM @ 10MA, 4V 1.5V @ 100µA ± 20V 7,8 pf @ 3 V - 100mW (TA)
RN1902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN1902 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500na 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
2SK3128(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3128 (q) -
RFQ
 ECAD 4970 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 2SK3128 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P (n) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 30 v 60a (ta) 10V 12mohm @ 30a, 10V 3V @ 1Ma 66 nc @ 10 V ± 20V 2300 pf @ 10 V - 150W (TC)
RN1407,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1407, lf 0,1900
RFQ
 ECAD 904 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1407 200 MW S-mini download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
RN2311,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2311, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 RN2311 100 mw SC-70 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 10 Kohms
TK4P60D,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60D, RQ 0,9200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 600 v 4a (ta) 10V 1.7ohm @ 2a, 10V 4.4V @ 1MA 12 nc @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 100w (TC)
TPCA8025(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8025 (TE12L, Q, M. -
RFQ
 ECAD 1087 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musiv Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPCA8025 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento de 8-SOP (5x5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 40A (TA) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 1MA 49 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
2SC5549,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5549, T6F (j -
RFQ
 ECAD 5131 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC5549 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 1 400 v 1 a 100µA (ICBO) Npn 1V @ 25MA, 200MA 20 @ 40MA, 5V -
SSM3K17SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17SU, LF -
RFQ
 ECAD 4802 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 SSM3K17 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) USM - 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 v 100mA (ta) 20ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 1µA 7 pf @ 3 V - 150mW (TA)
2SC2655-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y, T6F (j -
RFQ
 ECAD 7873 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC2655 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Npn 500mV @ 50Ma, 1A 70 @ 500MA, 2V 100MHz
TK3R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R9E10PL, S1X 2.3700
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo 175 ° C. Através do buraco To-220-3 TK3R9E10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 100a (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 1MA 96 nc @ 10 V ± 20V 6320 PF @ 50 V - 230W (TC)
TDTC143E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC143E, LM 0,1800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC143 320 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 30 @ 10MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms
2SA2215,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2215, lf 0,5000
RFQ
 ECAD 4593 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-SMD, FiOS Planos 2SA2215 500 MW Ufm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 20 v 2.5 a 100na (ICBO) Pnp 190MV @ 53mA, 1.6a 200 @ 500MA, 2V -
SSM6J412TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J412TU, LF 0,3700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosvi Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD, FiOS Planos SSM6J412 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Uf6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 4a (ta) 1.5V, 4.5V 42.7mohm @ 3a, 4.5V 1V @ 1MA 12,8 nc @ 4,5 V ± 8V 840 pf @ 10 V - 1W (TA)
S1PA7[UD] Toshiba Semiconductor and Storage S1pa7 [UD] -
RFQ
 ECAD 1361 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Bandeja Ativo - 1 (ilimito) 190-S1PA7 [UD] Ear99 8541.29.0095 100
TPN4R303NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R303NL, L1Q 0,8900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPN4R303 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento 8-Tson (3,1x3.1) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 200µA 14,8 nc @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 15 V - 700mW (TA), 34W (TC)
TK1K0A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K0A60F, S4X 1.1100
RFQ
 ECAD 68 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo 150 ° C. Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK1K0A60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 7.5a (ta) 10V 1ohm @ 3.8a, 10V 4V @ 770µA 24 nc @ 10 V ± 30V 890 pf @ 300 V - 40W (TC)
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L (T6L1, NQ 1.9400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosvi Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TJ50S06 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK+ download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.000 Canal P. 60 v 50a (ta) 6V, 10V 13.8mohm @ 25a, 10V 3V @ 1Ma 124 nc @ 10 V +10V, -20V 6290 PF @ 10 V - 90W (TC)
RN4901FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901FE, LF (CT 0,2400
RFQ
 ECAD 350 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN4901 100mW ES6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 4.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
TK190A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK190A65Z, S4X 3.0000
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosvi Tubo Ativo 150 ° C. Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK190A65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 15a (ta) 10V 190mohm @ 7.5a, 10V 4V A 610µA 25 nc @ 10 V ± 30V 1370 pf @ 300 V - 40W (TC)
2SA1244-Y(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244-y (T6L1, NQ) 0,9600
RFQ
 ECAD 8236 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 1 w PW-Mold download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.000 50 v 5 a 1µA (ICBO) Pnp 400mv a 150mA, 3a 70 @ 1A, 1V 60MHz
2SJ438,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438, Q (m -
RFQ
 ECAD 8401 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SJ438 To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 1 5a (TJ)
TK14E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W, S1X 3.0500
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TK14E65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 13.7a (TA) 10V 250mohm @ 6.9a, 10V 3,5V A 690µA 35 nc @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 300 V - 130W (TC)
TK2R4E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4E08QM, S1X 3.1800
RFQ
 ECAD 196 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musx-H Tubo Ativo 175 ° C. Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 80 v 120A (TC) 6V, 10V 2.44mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 2.2Ma 178 NC @ 10 V ± 20V 13000 pf @ 40 V - 300W (TC)
TPN7R504PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R504PL, LQ 0,6100
RFQ
 ECAD 521 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-mosix-h Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C. Montagem na Superfície 8-powervdfn TPN7R504 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento 8-Tson (3,1x3.1) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 v 38a (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 19a, 10V 2.4V @ 200µA 24 nc @ 10 V ± 20V 2040 pf @ 20 V - 610MW (TA), 61W (TC)
SSM3J328R,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm3j328r, lf 0,4100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosvi Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-3 Propacimento protável SSM3J328 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 6a (ta) 1.5V, 4.5V 29.8mohm @ 3a, 4.5V 1V @ 1MA 12,8 nc @ 4,5 V ± 8V 840 pf @ 10 V - 1W (TA)
SSM6K204FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K204FE, LF 0,5400
RFQ
 ECAD 4982 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 SSM6K204 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) ES6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 N-canal 20 v 2a (ta) 1.5V, 4V 126mohm @ 1a, 4v 1V @ 1MA 3,4 NC a 10 V ± 10V 195 pf @ 10 V - 500mW (TA)
RN1113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1113, LXHF (CT 0,0618
RFQ
 ECAD 7774 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1113 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz 47 Kohms
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