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Transistores (2488)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
RN1901FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1901fete85lf 0,3900
RFQ
 ECAD 5438 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN1901 100mW ES6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN4906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4906FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN4906 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200MHz, 250MHz 4.7kohms 47kohms
SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm3j168f, lf 0,3700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosvi Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J168 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 60 v 400mA (TA) 4V, 10V 1.9OHM @ 100MA, 4,5V 2V @ 1MA 3 nc @ 10 V +20V, -16V 82 pf @ 10 V - 1.2W (TA)
RN2116MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Rn2116mfv, l3f 0,1800
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-723 RN2116 150 MW Vesm download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 4.7 Kohms 10 Kohms
2SK2266(TE24R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2266 (TE24R, Q) -
RFQ
 ECAD 2638 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 2SK2266 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SM download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 60 v 45a (ta) 4V, 10V 30mohm @ 25a, 10V 2V @ 1MA 60 nc @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 10 V - 65W (TC)
TK16A60W5,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W5, S4VX 2.9700
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK16A60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 15.8a (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10V 3.7V @ 1.5MA 43 nc @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 40W (TC)
RN4901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901, LF (CT 0,2800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4901 200mw US6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN4909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN4909 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 47kohms 22kohms
RN1406,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1406, lf 0,2200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1406 200 MW S-mini download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RN1115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1115, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1115 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 10 Kohms
TK6P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W, RQ 1.4000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TK6P65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 650 v 5.8a (ta) 10V 1.05Ohm @ 2.9a, 10V 3.5V @ 180µA 11 NC @ 10 V ± 30V 390 pf @ 300 V - 60W (TC)
RN4984FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN4984 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz, 200MHz 47kohms 47kohms
2SA1225-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1225-y (Q) -
RFQ
 ECAD 5342 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 2SA1225 1 w PW-Mold - 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 200 160 v 1.5 a 1µA (ICBO) Pnp 1,5V a 50mA, 500mA 120 @ 100mA, 5V 100MHz
TTC009,F(M Toshiba Semiconductor and Storage Ttc009, f (m -
RFQ
 ECAD 2791 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TTC009 2 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1 80 v 3 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 500mA, 5V 150MHz
RN1967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1967FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 7266 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN1967 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
TK9J90E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage Tk9j90e, s1e 2.7900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 TK9J90 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P (n) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 25 N-canal 900 v 9a (ta) 10V 1.3OHM @ 4.5A, 10V 4V @ 900µA 46 nc @ 10 V ± 30V 2000 pf @ 25 V - 250W (TC)
TK17A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A65W, S5X 2.9800
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo 150 ° C. Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK17A65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 17.3a (TA) 10V 200mohm @ 8.7a, 10V 3,5V a 900µA 45 nc @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 300 V - 45W (TC)
RN2302,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2302, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 RN2302 100 mw SC-70 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN4985,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985, LXHF (CT 0,4400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4985 200mw US6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz, 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN1109,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1109, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1109 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
RN4604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4604 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 RN4604 300mw SM6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn4a51jte85lf 0,4500
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 HN4A51 300mw Smv download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 120V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 300mV @ 1Ma, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100MHz
TK10A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W5, S5VX 2.0400
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK10A60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 9.7a (TA) 10V 450mohm @ 4.9a, 10V 4.5V @ 500µA 25 nc @ 10 V ± 30V 720 pf @ 300 V - 30W (TC)
TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R003NL, L1Q 1.0700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPH4R003 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento de 8-SOP (5x5) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 200µA 14,8 nc @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 15 V - 1.6W (TA), 36W (TC)
2SA1680,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680, T6F (j -
RFQ
 ECAD 4464 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SA1680 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 120 @ 100mA, 2V 100MHz
TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk12a60d (sta4, q, m) 3.0200
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba π-mosvii Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK12A60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 12a (ta) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 1MA 38 nc @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 45W (TC)
TK10V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W, LVQ 1.6898
RFQ
 ECAD 2422 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-VSFN PAD EXPOSTO TK10V60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-DFN-EP (8x8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 9.7a (TA) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 3.7V @ 500µA 20 NC A 10 V ± 30V 700 pf @ 300 V - 88.3W (TC)
2SC4793(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 (F, M) -
RFQ
 ECAD 5677 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SC4793 2 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 500 230 v 1 a 1µA (ICBO) Npn 1,5V a 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
TPC8408,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8408, LQ (s 0,4700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TPC8408 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 450mw 8-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 2.500 N E P-Canal 40V 6.1a, 5.3a 32mohm @ 3.1a, 10V 2.3V @ 100µA 24NC @ 10V 850pf @ 10V Portão de Nível Lógico
2SC2235-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y, f (j -
RFQ
 ECAD 8296 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC2235 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
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