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Transistores (2488)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
TPCP8401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8401 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 5604 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SMD, Chumbo Plano TPCP8401 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1w PS-8 (2.9x2.4) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N E P-Canal 20V, 12V 100mA, 5.5a 3OHM @ 10MA, 4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V Portão de Nível Lógico
TPCF8A01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8A01 (TE85L) -
RFQ
 ECAD 1987 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosiii Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SMD, Chumbo Plano TPCF8A01 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) VS-8 (2.9x1.5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 N-canal 20 v 3a (ta) 2V, 4.5V 49mohm @ 1.5a, 4.5V 1.2V @ 200µA 7,5 nc @ 5 V ± 12V 590 PF @ 10 V Diodo Schottky (Isolado) 330mW (TA)
RN2962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2962FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 8234 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN2962 100mW ES6 - 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 1kohms
RN4610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4610 (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 RN4610 300mw SM6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7kohms -
RN4911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN4911 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200MHz, 250MHz 10kohms -
RN1908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN1908 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500na 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz 22kohms 47kohms
2SC2713-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2713-bl, lf 0,3100
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2713 150 MW TO-236 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 120 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 300mV @ 1Ma, 10MA 350 @ 2MA, 6V 100MHz
RN1502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1502 (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 RN1502 300mw Smv download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
TPN4R303NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R303NL, L1Q 0,8900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPN4R303 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento 8-Tson (3,1x3.1) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 200µA 14,8 nc @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 15 V - 700mW (TA), 34W (TC)
RN1901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901, LF (CT 0,2600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1901 200mw US6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7kohms 1kohms
RN2601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2601 (TE85L, F) 0,4500
RFQ
 ECAD 253 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 RN2601 300mw SM6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN1904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904, LXHF (CT 0,3600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1904 200mw US6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500na 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
RN2413,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn2413, lf 0.0309
RFQ
 ECAD 2205 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Ativo - ROHS3 Compatível 264-RN2413, LFTR 3.000
RN2115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Rn2115mfv, l3f 0,2000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-723 RN2115 150 MW Vesm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 2.2 Kohms 10 Kohms
HN1C01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn1c01fe-gr, lf 0,3000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 HN1C01 100mW ES6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 150mA 100na (ICBO) 2 NPN (DUPLO) 250mv @ 10ma, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
RN4909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909, LXHF (CT 0,4400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4909 200mw US6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 47kohms 22kohms
2SA1020-Y(T6TOJ,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y (T6toj, fm -
RFQ
 ECAD 9874 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SA1020 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 70 @ 500MA, 2V 100MHz
SSM6J512NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J512NU, LF 0,4800
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosvii Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6 WDFN PAD Exposto SSM6J512 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-udfnb (2x2) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 12 v 10a (ta) 1.8V, 8V 16.2mohm @ 4a, 8v 1V @ 1MA 19,5 NC @ 4,5 V ± 10V 1400 pf @ 6 V - 1.25W (TA)
2SB1495,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495, Q (m -
RFQ
 ECAD 9800 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SB1495 2 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10µA (ICBO) Pnp 1,5V a 1,5mA, 1.5a 2000 @ 2a, 2V -
SSM3J65CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J65CTC, L3F 0,3900
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosvii Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 SSM3J65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) CST3C download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 Canal P. 20 v 700mA (TA) 1.2V, 4.5V 500MOHM @ 500MA, 4,5V 1V @ 1MA ± 10V 48 pf @ 10 V - 500mW (TA)
2SA1930,LBS2DIAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930, lbs2diaq (j -
RFQ
 ECAD 1334 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SA1930 2 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µA (ICBO) Pnp 1V @ 100MA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200MHz
SSM3K17SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17SU, LF -
RFQ
 ECAD 4802 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 SSM3K17 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) USM - 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 v 100mA (ta) 20ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 1µA 7 pf @ 3 V - 150mW (TA)
TBC857B,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBC857B, LM 0,1600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TBC857 320 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 150 MA 30na (ICBO) Pnp 650mv @ 100Ma, 5MA 210 @ 2MA, 5V 80MHz
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111 (TE85L, F) 0,6300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MT3S111 700mW S-mini download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 12dB 6V 100mA Npn 200 @ 30MA, 5V 11,5 GHz 1.2dB @ 1GHz
SSM6K407TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K407TU, LF 0,4900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD, FiOS Planos SSM6K407 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Uf6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 v 2a (ta) 4V, 10V 300MOHM @ 1A, 10V 2V @ 1MA 6 nc @ 10 V ± 20V 150 pf @ 10 V - 500mW (TA)
TK25V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X, LQ 2.5193
RFQ
 ECAD 9782 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv-h Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 4-VSFN PAD EXPOSTO TK25V60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-DFN-EP (8x8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Tk25v60xlq Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 25a (ta) 10V 135mohm @ 7.5a, 10V 3.5V @ 1.2Ma 40 nc @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 180W (TC)
RN2101MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101MFV, L3F (CT 0,1800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-723 RN2101 150 MW Vesm download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 8.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SC2229-O(MITIF,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (mitif, m) -
RFQ
 ECAD 1047 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC2229 800 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 MA 100na (ICBO) Npn 500mV @ 1Ma, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
2SA1869-Y(JKT,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-y (JKT, Q, M) -
RFQ
 ECAD 5990 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SA1869 10 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1 50 v 3 a 1µA (ICBO) Pnp 600mv @ 200Ma, 2a 70 @ 500MA, 2V 100MHz
TPCA8051-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8051-H (T2L1, VM -
RFQ
 ECAD 9874 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musvi-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPCA8051 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento de 8-SOP (5x5) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 80 v 28a (TA) 4.5V, 10V 9.4mohm @ 14a, 10v 2.3V @ 1MA 91 nc @ 10 V ± 20V 7540 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
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