SIC
close

Transistores (2488)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
TK5A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk5a50d (sta4, q, m) 1.2500
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba π-mosvii Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK5A50 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 500 v 5a (ta) 10V 1.5OHM @ 2.5a, 10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 30V 490 pf @ 25 V - 35W (TC)
2SC5172(YAZK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5172 (Yazk, Q, M) -
RFQ
 ECAD 8277 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SC5172 2 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 1 400 v 5 a 20µA (ICBO) Npn 1V @ 250MA, 2A 20 @ 500mA, 5V -
TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L (T6L1, NQ 1.4000
RFQ
 ECAD 6560 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosvi Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TJ60S04 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK+ download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.000 Canal P. 40 v 60a (ta) 6V, 10V 6.3mohm @ 30a, 10V 3V @ 1Ma 125 nc @ 10 V +10V, -20V 6510 pf @ 10 V - 90W (TC)
RN2104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 9555 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 RN2104 50 mw Cst3 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 20 v 50 MA 500na PNP - Pré -tendencioso 150mv @ 250µA, 5MA 120 @ 10MA, 5V 47 Kohms 47 Kohms
2SC5086-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-y, lf -
RFQ
 ECAD 9674 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 2SC5086 100mW SSM download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 - 12V 80mA Npn 120 @ 20MA, 10V 7GHz 1db @ 500MHz
2SC2655-Y(T6TOJ,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y (T6toj, fm -
RFQ
 ECAD 5228 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC2655 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Npn 500mV @ 50Ma, 1A 70 @ 500MA, 2V 100MHz
2SD2257(CANO,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257 (Cano, Q, M) -
RFQ
 ECAD 9887 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SD2257 2 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10µA (ICBO) Npn 1,5V a 1,5mA, 1.5a 2000 @ 2a, 2V -
RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1115, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 633 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1115 100 mw SSM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 10 Kohms
ULN2004APG,C,N Toshiba Semiconductor and Storage Uln2004APG, c, n -
RFQ
 ECAD 9779 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Através do buraco 16-DIP (0,300 ", 7,62 mm) ULN2004 1.47W 16-DIP - 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 25 50V 500mA 50µA 7 NPN Darlington 1.6V @ 500µA, 350mA 1000 @ 350mA, 2V -
RN1907,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1907, lf -
RFQ
 ECAD 3239 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1907 200mw US6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500na 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
RN2969FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2969FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9454 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN2969 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 200MHz 47kohms 22kohms
TPCC8008(TE12L,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8008 (TE12L, QM) -
RFQ
 ECAD 3585 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musiv Fita de Corte (CT) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície Pad Exposto de 8-VDFN TPCC8008 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento 8-Tson (3,3x3.3) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 25a (ta) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 12.5a, 10V 2.5V @ 1A 30 NC a 10 V ± 25V 1600 pf @ 10 V - 700MW (TA), 30W (TC)
RN2318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2318 (TE85L, F) 0,2600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 RN2318 100 mw SC-70 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 200 MHz 47 Kohms 10 Kohms
RN1315,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1315, lf 0,2200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 RN1315 100 mw SC-70 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 10 Kohms
RN1102T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102T5LFT -
RFQ
 ECAD 1640 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1102 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN1112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112ACT (TPL3) 0,3300
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 RN1112 100 mw Cst3 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 50 v 80 MA 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 150mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 22 Kohms
RN1313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1313 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 8679 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 RN1313 150 MW SC-70 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz 47 Kohms
TK20E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W, S1VX 5.3700
RFQ
 ECAD 1878 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TK20E60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 20A (TA) 10V 155mohm @ 10a, 10V 3.7V @ 1Ma 48 nc @ 10 V ± 30V 1680 PF @ 300 V - 165W (TC)
2SC2714-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-O (TE85L, F) 0,0964
RFQ
 ECAD 6404 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2714 100mW S-mini download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 23dB 30V 20mA Npn 70 @ 1MA, 6V 550MHz 2.5dB @ 100MHz
2SC2229-Y(T6MITIFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-y (T6MITIFM -
RFQ
 ECAD 7080 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC2229 800 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) 2SC22229YT6MITIFM Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 MA 100na (ICBO) Npn 500mV @ 1Ma, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
RN2111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 6434 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN2111 100 mw SSM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 10 Kohms
TK16J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W, S1VQ -
RFQ
 ECAD 8499 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 TK16J60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P (n) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 25 N-canal 600 v 15.8a (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10V 3.7V A 790µA 38 nc @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 130W (TC)
TPN2R805PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL, L1Q 0,9800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-mosix-h Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C. Montagem na Superfície 8-powervdfn TPN2R805 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento 8-Tson (3,1x3.1) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 45 v 139a (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 40a, 10V 2.4V @ 300µA 39 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 22,5 V - 2.67W (TA), 104W (TC)
TK13A65U(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A65U (STA4, Q, M) -
RFQ
 ECAD 1833 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosii Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK13A65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 650 v 13A (TA) 10V 380mohm @ 6.5a, 10V 5V @ 1MA 17 NC @ 10 V ± 30V 950 pf @ 10 V - 40W (TC)
RN4982,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982, LF (CT 0,3700
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4982 200mw US6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100µA (ICBO) 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 10kohms 10kohms
TK5R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5R3A06PL, S4X 1.3300
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo 175 ° C. Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK5R3A06 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 56a (TC) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 28a, 10V 2,5V a 300µA 36 nc @ 10 V ± 20V 2380 pf @ 30 V - 36W (TC)
TPN1R603PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1R603PL, L1Q 0,8900
RFQ
 ECAD 63 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-mosix-h Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C. Montagem na Superfície 8-powervdfn TPN1R603 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento 8-Tson (3,1x3.1) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 80a (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 40a, 10V 2.1V @ 300µA 41 nc @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 15 V - 104W (TC)
2SC4116-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-bl, lf 0,1800
RFQ
 ECAD 982 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 2SC4116 100 mw SC-70 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 150 MA 100na (ICBO) Npn 250mv @ 10ma, 100mA 350 @ 2MA, 6V 80MHz
RN1963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1963FE (TE85L, F) 0,1000
RFQ
 ECAD 915 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN1963 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
2SK3403(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3403 (Q) -
RFQ
 ECAD 1637 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-220-3, Guia Curta 2SK3403 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220fl download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 450 v 13A (TA) 10V 400mohm @ 6a, 10V 5V @ 1MA 34 NC @ 10 V ± 30V 1600 pf @ 25 V - 100w (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

Lista de RFQ (0 itens)
Lista de carrinhos (0 itens)
WishlistLista de desejos (0 itens)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Pad exposto de 196-LFBGA

Quantidade: 1

Lista de comparação (0 itens)
Bata Enter para pesquisar ou ESC para fechar