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Transistores (2488)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-y, lxhf 0,3900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW S-mini download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 150 MA 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 10ma, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
HN1A01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn1a01fe-y, lf 0,3300
RFQ
 ECAD 1298 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 HN1A01 100mW ES6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 150mA 100na (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 300mv @ 10ma, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911, LF (CT 0,2800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN4911 100mW ES6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200MHz, 250MHz 10kohms -
RN1105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1105, LF (CT 0,2700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1105 100 mw SSM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
2SC4604,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604, T6F (m -
RFQ
 ECAD 4358 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC4604 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 3 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 75mA, 1.5a 120 @ 100mA, 2V 100MHz
HN1A01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn1a01fe-gr, lf 0,3300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 HN1A01 100mW ES6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 150mA 100na (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 300mv @ 10ma, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
HN3A51F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN3A51F (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 2214 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 HN3A51 300mw SM6 - 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 120V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 300mV @ 1Ma, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100MHz
2SA965-Y(T6CANO,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-y (T6CANO, FM -
RFQ
 ECAD 3779 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SA965 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100na (ICBO) Pnp 1V @ 50MA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-OTE85LF 0,2000
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2712 150 MW TO-236 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 150 MA 100na (ICBO) Npn 250mv @ 10ma, 100mA 70 @ 2MA, 6V 80MHz
2SC2655-Y,T6SWFF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y, T6SWFF (m -
RFQ
 ECAD 8656 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC2655 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Npn 500mV @ 50Ma, 1A 70 @ 500MA, 2V 100MHz
HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B01JE (TE85L, F) 0,3800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-553 HN4B01 100mW Esv download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 150mA 100na (ICBO) NPN, PNP (Emissor Acoplado) 250mv @ 10ma, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
TK100L60W,VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100L60W, vq 34.7700
RFQ
 ECAD 5509 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3PL TK100L60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P (L) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 100 N-canal 600 v 100a (ta) 10V 18mohm @ 50a, 10V 3.7V @ 5MA 360 nc @ 10 V ± 30V 15000 pf @ 30 V - 797W (TC)
RN1413,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1413, LXHF 0,0645
RFQ
 ECAD 3620 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1413 200 MW S-mini download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz 47 Kohms
RN2903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2903, LF (CT 0,2800
RFQ
 ECAD 3513 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2903 200mw US6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500na 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
TK72E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage Tk72e12n1, s1x 2.5300
RFQ
 ECAD 42 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TK72E12 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 120 v 72a (TA) 10V 4.4mohm @ 36a, 10V 4V @ 1MA 130 nc @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 60 V - 255W (TC)
TK17V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK17V65W, LQ 3.4300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 4-VSFN PAD EXPOSTO TK17V65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-DFN-EP (8x8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 v 17.3a (TA) 10V 210mohm @ 8.7a, 10V 3,5V a 900µA 45 nc @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 300 V - 156W (TC)
RN2502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2502 (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 670 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 RN2502 300mw Smv download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) (Emissor Acoplado) 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
RN2902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902FE, LF (CT 0,2600
RFQ
 ECAD 9652 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN2902 200mw ES6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500na 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
RN4905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905, LF (CT 0,3500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4905 200mw US6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz, 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN1110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1110, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 1031 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1110 100 mw SSM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms
2SA1020-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y, f (j -
RFQ
 ECAD 8744 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SA1020 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 70 @ 500MA, 2V 100MHz
TK7S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z, LQ 1.4900
RFQ
 ECAD 77 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TK7S10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK+ download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 100 v 7a (ta) 10V 48mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 100µA 7.1 NC @ 10 V ± 20V 470 pf @ 10 V - 50W (TC)
TK380A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK380A60Y, S4X 1.5700
RFQ
 ECAD 63 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosv Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK380A60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível Não Aplicável Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 9.7a (TC) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 4V A 360µA 20 NC A 10 V ± 30V 590 PF @ 300 V - 30w
SSM3K56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56ACT, L3F 0,4700
RFQ
 ECAD 188 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musvii-H Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 SSM3K56 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Cst3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 N-canal 20 v 1.4a (ta) 1.5V, 4.5V 235mohm @ 800mA, 4,5V 1V @ 1MA 1 nc @ 4,5 V ± 8V 55 pf @ 10 V - 500mW (TA)
XPH3R206NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R206NC, L1XHQ 1.7500
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101, U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,197 ", 5,00 mm de largura) XPH3R206 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento de 8-SOP (5x5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 60 v 70A (TA) 3.2mohm @ 35a, 10V 2,5V a 500µA 65 nc @ 10 V ± 20V 4180 pf @ 10 V - 960MW (TA), 132W (TC)
RN2710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2710JE (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-553 RN2710 100mW Esv download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) (Emissor Acoplado) 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7kohms -
TK2R4A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4A08QM, S4X 2.8700
RFQ
 ECAD 46 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musx-H Tubo Ativo 175 ° C. Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 80 v 100a (TC) 6V, 10V 2.44mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 2.2Ma 179 NC @ 10 V ± 20V 13000 pf @ 40 V - 47W (TC)
SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm3j374r, lf 0,4400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosvi Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície SOT-23-3 Propacimento protável SSM3J374 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 30 v 4a (ta) 4V, 10V 71mohm @ 3a, 10V 2V @ 100µA 5,9 nc @ 10 V +10V, -20V 280 pf @ 15 V - 1W (TA)
SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6H19NU, LF 0,3700
RFQ
 ECAD 61 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musvii-H Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-AUDFN PAD EXPOSTO SSM6H19 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-udfn (2x2) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 v 2a (ta) 1.8V, 8V 185mohm @ 1a, 8v 1.2V @ 1MA 2,2 nc @ 4,2 V ± 12V 130 pf @ 10 V - 1W (TA)
RN1911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN1911 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
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