SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
RN2702TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2702TE85LF -
RFQ
ECAD 6945 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2702 200mw 5-SSOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500na 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) (Emissor Acoplado) 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K123TU, LF 0,4900
RFQ
ECAD 397 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosiii Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-SMD, FiOS Planos SSM3K123 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ufm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 v 4.2a (ta) 1.5V, 4V 28mohm @ 3a, 4v 1V @ 1MA 13,6 nc @ 4 V ± 10V 1010 pf @ 10 V - 500mW (TA)
SSM3J327R,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm3j327r, lf 0,4000
RFQ
ECAD 35 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosvi Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-3 Propacimento protável SSM3J327 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 3.9a (ta) 1.5V, 4.5V 93mohm @ 1.5a, 4.5V 1V @ 1MA 4,6 nc a 4,5 V ± 8V 290 pf @ 10 V - 1W (TA)
SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H16TU, LF 0,4800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosiii Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (5 leads), Chumbo Plano SSM5H16 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ufv download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 v 1.9a (ta) 1.8V, 4V 133mohm @ 1a, 4v 1V @ 1MA 1,9 nc @ 4 V ± 12V 123 pf @ 15 V Diodo Schottky (Isolado) 500mW (TA)
TPW2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW2900ENH, L1Q 2.9800
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 8-POWERWDFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento 8-DSOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 200 v 33a (TC) 10V 29mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 100 V - 800mW (TA), 142W (TC)
RN2103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV, L3F (CT 0,1800
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-723 RN2103 150 MW Vesm download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 8.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
2SC5886A(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5886a (T6L1, NQ) 0,7000
RFQ
ECAD 8546 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 1 w PW-Mold download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.000 50 v 5 a 100na (ICBO) Npn 220mv @ 32mA, 1.6a 400 @ 500mA, 2V -
TJ90S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ90S04M3L, LXHQ 1.6300
RFQ
ECAD 3061 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosvi Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C. Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TJ90S04 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK+ download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.000 Canal P. 40 v 90A (TA) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 45a, 10V 2V @ 1MA 172 NC @ 10 V +10V, -20V 7700 pf @ 10 V - 180W (TC)
RN2113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2113CT (TPL3) -
RFQ
ECAD 6661 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 RN2113 50 mw Cst3 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 20 v 50 MA 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 150mv @ 250µA, 5MA 300 @ 1MA, 5V 47 Kohms
RN2104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104CT (TPL3) -
RFQ
ECAD 9555 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 RN2104 50 mw Cst3 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 20 v 50 MA 500na PNP - Pré -tendencioso 150mv @ 250µA, 5MA 120 @ 10MA, 5V 47 Kohms 47 Kohms
TTC011B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTC011B, Q (S. -
RFQ
ECAD 1962 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Ativo TTC011 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 250
2SC5714(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5714 (TE12L, ZF) -
RFQ
ECAD 5601 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - CAIXA Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA 1 w Pw-mini download Ear99 8541.29.0095 1 20 v 4 a 100na (ICBO) Npn 150mv @ 32Ma, 1.6a 400 @ 500mA, 2V -
TPCA8056-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8056-H, LQ (m -
RFQ
ECAD 5127 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musvii-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPCA8056 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento de 8-SOP (5x5) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 48a (TA) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 24a, 10v 2.3V @ 1MA 74 NC @ 10 V ± 20V 6200 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 63W (TC)
2SC2235-Y(T6KMATFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y (T6KMATFM -
RFQ
ECAD 9620 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC2235 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) 2SC2235YT6KMATFM Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
SSM5H90ATU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H90ATU, LF 0,3700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 5-SMD, FiOS Planos SSM5H90 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ufv download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 v 2.4a (ta) 2.5V, 4V 65mohm @ 1.5a, 4v 1.2V @ 1MA 2.2 NC @ 4 V ± 10V 200 pf @ 10 V - 500mW (TA)
TK100S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L, LQ 2.8100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TK100S04 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK+ download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 40 v 100a (ta) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 50a, 10V 2,5V a 500µA 76 nc @ 10 V ± 20V 5490 pf @ 10 V - 100w (TC)
RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106, LXHF (CT 0,3300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1106 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-y, lxhf 0,3900
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW S-mini download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 150 MA 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 10ma, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
HN1A01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn1a01fe-y, lf 0,3300
RFQ
ECAD 1298 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 HN1A01 100mW ES6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 150mA 100na (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 300mv @ 10ma, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911, LF (CT 0,2800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN4911 100mW ES6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200MHz, 250MHz 10kohms -
RN1105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1105, LF (CT 0,2700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1105 100 mw SSM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
2SC4604,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604, T6F (m -
RFQ
ECAD 4358 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC4604 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 3 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 75mA, 1.5a 120 @ 100mA, 2V 100MHz
HN1A01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn1a01fe-gr, lf 0,3300
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 HN1A01 100mW ES6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 150mA 100na (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 300mv @ 10ma, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
2SC2655-Y,T6SWFF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y, T6SWFF (m -
RFQ
ECAD 8656 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC2655 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Npn 500mV @ 50Ma, 1A 70 @ 500MA, 2V 100MHz
HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B01JE (TE85L, F) 0,3800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-553 HN4B01 100mW Esv download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 150mA 100na (ICBO) NPN, PNP (Emissor Acoplado) 250mv @ 10ma, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
TK100L60W,VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100L60W, vq 34.7700
RFQ
ECAD 5509 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3PL TK100L60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P (L) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 100 N-canal 600 v 100a (ta) 10V 18mohm @ 50a, 10V 3.7V @ 5MA 360 nc @ 10 V ± 30V 15000 pf @ 30 V - 797W (TC)
RN1413,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1413, LXHF 0,0645
RFQ
ECAD 3620 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1413 200 MW S-mini download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz 47 Kohms
TK72E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage Tk72e12n1, s1x 2.5300
RFQ
ECAD 42 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TK72E12 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 120 v 72a (TA) 10V 4.4mohm @ 36a, 10V 4V @ 1MA 130 nc @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 60 V - 255W (TC)
TK17V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK17V65W, LQ 3.4300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 4-VSFN PAD EXPOSTO TK17V65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-DFN-EP (8x8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 v 17.3a (TA) 10V 210mohm @ 8.7a, 10V 3,5V a 900µA 45 nc @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 300 V - 156W (TC)
RN2902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902FE, LF (CT 0,2600
RFQ
ECAD 9652 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN2902 200mw ES6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500na 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque