SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
TPN22006NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN22006NH, LQ 0,9600
RFQ
ECAD 3455 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPN22006 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento 8-Tson (3,3x3.3) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 v 9a (ta) 6.5V, 10V 22mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 100µA 12 nc @ 10 V ± 20V 710 pf @ 30 V - 700MW (TA), 18W (TC)
TK16E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W, S1VX 2.8600
RFQ
ECAD 4631 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TK16E60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 15.8a (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10V 3.7V A 790µA 38 nc @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 130W (TC)
TKR74F04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TKR74F04PB, LXGQ 4.5400
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-mosix-h Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C. Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab TKR74F04 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SM (W) download 3 (168 Horas) Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 40 v 250A (TA) 6V, 10V 0,74mohm @ 125a, 10V 3V @ 1Ma 227 NC @ 10 V ± 20V 14200 pf @ 10 V - 375W (TC)
TPC6006-H(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6006-H (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 4684 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musiii-h Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TPC6006 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) VS-6 (2.9x2.8) download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 40 v 3.9a (ta) 4.5V, 10V 75mohm @ 1.9a, 10V 2.3V @ 1MA 4,4 nc @ 10 V ± 20V 251 pf @ 10 V - 700mW (TA)
SSM6N42FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N42FE (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 4807 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 SSM6N42 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 150mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 2 canal n (Duplo) 20V 800mA 240mohm @ 500mA, 4,5V 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V 90pf @ 10V Portão de Nível Lógico
TK15A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk15a60d (sta4, q, m) -
RFQ
ECAD 5345 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba π-mosvii Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK15A60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 15a (ta) 10V 370mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 1MA 45 nc @ 10 V ± 30V 2600 pf @ 25 V - 50W (TC)
TPC8227-H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPC8227-H, LQ -
RFQ
ECAD 5995 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musvi-H Volume Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TPC8227 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.5W (TA) 8-SOP download 264-TPC8227-HLQ Ear99 8541.29.0095 1 2 canal n (Duplo) 40V 5.1a 33mohm @ 2.6a, 10V 2.3V @ 100µA 10NC @ 10V 640pf @ 10V -
TPN2R304PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R304PL, L1Q 0,9600
RFQ
ECAD 27 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-mosix-h Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C. Montagem na Superfície 8-powervdfn TPN2R304 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento 8-Tson (3,1x3.1) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 80a (TC) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 40a, 10V 2.4V @ 300µA 41 nc @ 10 V ± 20V 3600 pf @ 20 V - 630MW (TA), 104W (TC)
TK200F04N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200F04N1L, LXGQ 3.5600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C. Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab TK200F04 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SM (W) download 3 (168 Horas) Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 40 v 200a (TA) 6V, 10V 0,9mohm @ 100a, 10V 3V @ 1Ma 214 NC @ 10 V ± 20V 14920 pf @ 10 V - 375W (TC)
2SK3798(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3798 (Sta4, Q, M) 1.4000
RFQ
ECAD 9938 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo 150 ° C. Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 900 v 4a (ta) 10V 3.5OHM @ 2A, 10V 4V @ 1MA 26 NC A 10 V ± 30V 800 pf @ 25 V - 40W (TC)
SSM3K2615TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615TU, LF 0,5200
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba π-mosv Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 3-SMD, FiOS Planos SSM3K2615 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ufm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 v 2a (ta) 3.3V, 10V 300MOHM @ 1A, 10V 2V @ 1MA 6 nc @ 10 V ± 20V 150 pf @ 10 V - 800mW (TA)
SSM3K72KCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72KCT, L3F 0,2500
RFQ
ECAD 71 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musvii-H Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 SSM3K72 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Cst3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 N-canal 60 v 400mA (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100MA, 10V 2.1V @ 250µA 0,6 nc @ 4,5 V ± 20V 40 pf @ 10 V - 500mW (TA)
SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36FE, LM 0,4500
RFQ
ECAD 108 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 SSM6L36 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 150mW ES6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 N E P-Canal 20V 500mA, 330mA 630mohm @ 200Ma, 5V 1V @ 1MA 1.23NC @ 4V 46pf @ 10V Portão de Nível Lógico
RN1103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103, LXHF (CT 0,3300
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1103 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
RN2109,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2109, LXHF (CT 0,3300
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN2109 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
2SC6040,T2Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6040, T2Q (j -
RFQ
ECAD 6156 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco SC-71 2SC6040 1 w Mstm download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 1 800 v 1 a 100µA (ICBO) Npn 1V @ 100MA, 800mA 60 @ 100mA, 5V -
TK5A65DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk5a65da (sta4, q, m) 1.5900
RFQ
ECAD 50 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba π-mosvii Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK5A65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 4.5a (ta) 10V 1.67ohm @ 2.3a, 10V 4.4V @ 1MA 16 nc @ 10 V ± 30V 700 pf @ 25 V - 35W (TC)
TPH1R204PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PL, L1Q 1.5500
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-mosix-h Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPH1R204 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento de 8-SOP (5x5) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 150a (TC) 4.5V, 10V 1.24mohm @ 50a, 10V 2.4V @ 500µA 74 NC @ 10 V ± 20V 7200 pf @ 20 V - 960MW (TA), 132W (TC)
TK60E08K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK60E08K3, S1X (s -
RFQ
ECAD 6639 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto - Através do buraco To-220-3 TK60E08 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 75 v 60a 9mohm @ 30a, 10V - 75 NC @ 10 V - 128W
TPN3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN3R704PL, L1Q 0,7800
RFQ
ECAD 4021 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-mosix-h Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C. Montagem na Superfície 8-powervdfn TPN3R704 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento 8-Tson (3,1x3.1) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 80a (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 40a, 10V 2.4V @ 200µA 27 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 20 V - 630mW (TA), 86W (TC)
TPCA8005-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8005-H (TE12LQM -
RFQ
ECAD 1160 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPCA8005 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento de 8-SOP (5x5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 27a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10V 2.3V @ 1MA 24 nc @ 10 V ± 20V 1395 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
TPCL4202(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCL4202 (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 3500 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-xflga TPCL4202 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 500mW LGA 4-chip (1.59x1,59) download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 2 canal n (Meia Ponte) - - - 1.2V @ 200µA - 780pf @ 10V -
SSM3K335R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K335R, LF 0,4700
RFQ
ECAD 95 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musvii-H Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-3 Propacimento protável SSM3K335 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 6a (ta) 4.5V, 10V 38mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 100µA 2,7 nc a 4,5 V ± 20V 340 pf @ 15 V - 1W (TA)
RN2107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2107ACT (TPL3) -
RFQ
ECAD 7491 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 RN2107 100 mw Cst3 - 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 50 v 80 MA 500na PNP - Pré -tendencioso 150mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 10 Kohms 47 Kohms
RN1107MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107MFV, L3XHF (CT 0,3400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-723 RN1107 150 MW Vesm download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 10 Kohms 47 Kohms
RN1425TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1425TE85lf 0,4200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1425 200 MW S-mini download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 800 mA 500na Npn - pré -tendencioso 250mv @ 1Ma, 50Ma 90 @ 100MA, 1V 300 MHz 470 ohms 10 Kohms
SSM3K7002KFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KFU, LF 0,2000
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musvii-H Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 SSM3K7002 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) USM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 v 400mA (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100MA, 10V 2.1V @ 250µA 0,6 nc @ 4,5 V ± 20V 40 pf @ 10 V - 150mW (TA)
TTC014,L1NV Toshiba Semiconductor and Storage TTC014, L1NV 0,9900
RFQ
ECAD 8196 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 1 w PW-Mold download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.000 800 v 1 a 100na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 100mA, 5V -
2SC5085-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-O (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 7025 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 2SC5085 100mW SC-70 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 - 12V 80mA Npn 80 @ 20MA, 10V 7GHz 1db @ 500MHz
2SK1828TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1828TE85LF 0,3800
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK1828 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SC-59 - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 v 50mA (TA) 2.5V 40OHM @ 10MA, 2,5V 1.5V @ 100µA 10V 5,5 pf @ 3 V - 200MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque