SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
TK110U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK110U65Z, RQ 4.5300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosvi Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 8-POWERSFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pedágio download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 650 v 24a (ta) 10V 110mohm @ 12a, 10V 4V @ 1.02mA 40 nc @ 10 V ± 30V 2250 PF @ 300 V - 190W (TC)
2SK3313(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3313 (Q) -
RFQ
ECAD 1994 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SK3313 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 500 v 12a (ta) 10V 620mohm @ 6a, 10V 4V @ 1MA 45 nc @ 10 V ± 30V 2040 pf @ 10 V - 40W (TC)
TPCA8103(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8103 (TE12L, Q, M. -
RFQ
ECAD 6622 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPCA8103 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento de 8-SOP (5x5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 30 v 40A (TA) 4V, 10V 4.2mohm @ 20a, 10V 2V @ 1MA 184 NC @ 10 V ± 20V 7880 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2061 (TE85L, F) 0,5000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 625 MW TSM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 264-2SA2061 (TE85L, F) DKR Ear99 8541.21.0095 3.000 20 v 2.5 a 100na (ICBO) Pnp 190MV @ 53mA, 1.6a 200 @ 500MA, 2V -
RN2105MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Rn2105mfv, l3f -
RFQ
ECAD 8823 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-723 RN2105 150 MW Vesm download Rohs Compatível 1 (ilimito) Rn2105mfvl3f Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 2.2 Kohms 47 Kohms
2SC1627A-O,PASF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC1627A-O, PASF (m -
RFQ
ECAD 7005 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC1627 800 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 80 v 400 mA 100na (ICBO) Npn 400MV @ 20MA, 200A 70 @ 50MA, 2V 100MHz
RN4985FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985FE, LF (CT 0,2400
RFQ
ECAD 259 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN4985 100mW ES6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 4.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz, 200MHz 2.2kohms 47kohms
SSM3K72KFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm3k72kfs, lf 0,2100
RFQ
ECAD 162 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musvii-H Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 SSM3K72 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SSM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 v 300mA (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100MA, 10V 2.1V @ 250µA 0,6 nc @ 4,5 V ± 20V 40 pf @ 10 V - 150mW (TA)
2SA1020-Y(ND1,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y (ND1, AF) -
RFQ
ECAD 4519 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SA1020 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 70 @ 500MA, 2V 100MHz
RN1606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1606 (TE85L, F) 0,4200
RFQ
ECAD 390 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 RN1606 300mw SM6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
RN4903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903, LXHF (CT 0,4400
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4903 200mw US6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 22kohms 22kohms
2SA1020-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y (6MBH1, AF -
RFQ
ECAD 3365 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SA1020 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 70 @ 500MA, 2V 100MHz
RN1408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1408, LXHF 0,3400
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1408 200 MW S-mini download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
RN4902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902, LXHF (CT 0,4400
RFQ
ECAD 1969 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4902 200mw US6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 10kohms 10kohms
SSM3K361TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU, LF 0,4700
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C. Montagem na Superfície 3-SMD, Chumbo Plano SSM3K361 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ufm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 v 3.5a (ta) 4.5V, 10V 69mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 100µA 3,2 nc @ 4,5 V ± 20V 430 pf @ 15 V - 1W (TA)
SSM3J352F,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm3j352f, lf 0,4900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosvi Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J352 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) S-mini download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 2a (ta) 1.8V, 10V 110mohm @ 2a, 10V 1.2V @ 1MA 5,1 nc @ 4,5 V ± 12V 210 pf @ 10 V - 1.2W (TA)
SSM6N68NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm6n68nu, lf 0,4600
RFQ
ECAD 15 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 6 WDFN PAD Exposto SSM6N68 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W (TA) 6 µdfn (2x2) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 30V 4a (ta) 84mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 1MA 1.8NC @ 4.5V 129pf @ 15V Portão de Nível Lógico, Unidade de 1.8V
SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm3j36tu, lf 0,3800
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 3-SMD, FiOS Planos SSM3J36 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ufm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 330mA (TA) 1.5V, 4.5V 1.31OHM @ 100MA, 4,5V 1V @ 1MA 1.2 NC @ 4 V ± 8V 43 pf @ 10 V - 800mW (TA)
SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm3k36tu, lf 0,3600
RFQ
ECAD 2021 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 3-SMD, FiOS Planos SSM3K36 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ufm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 v 500mA (TA) 1.5V, 5V 630mohm @ 200Ma, 5V 1V @ 1MA 1,23 nc @ 4 V ± 10V 46 pf @ 10 V - 800mW (TA)
SSM6P36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm6p36tu, lf 0,3800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD, FiOS Planos Ssm6p36 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 500mW (TA) Uf6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Duplo) 20V 330mA (TA) 1.31OHM @ 100MA, 4,5V 1V @ 1MA 1.2NC @ 4V 43pf @ 10V Portão de Nível Lógico, unidade de 1,5V
SSM3K122TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K122TU, LF 0,3800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 3-SMD, FiOS Planos SSM3K122 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ufm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 v 2a (ta) 1.5V, 4V 123mohm @ 1a, 4v 1V @ 1MA 3,4 nc @ 4 V ± 10V 195 pf @ 10 V - 500mW (TA)
SSM3K131TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K131TU, LF 0,5000
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosvi Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 3-SMD, FiOS Planos SSM3K131 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ufm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 v 6a (ta) 4.5V, 10V 27.6mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 1MA 10.1 NC @ 10 V ± 20V 450 pf @ 15 V - 500mW (TA)
SSM3K48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm3k48fu, lf 0,3700
RFQ
ECAD 22 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosiii Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 SSM3K48 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) USM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 v 100mA (ta) 2.5V, 4V 3.2OHM @ 10MA, 4V 1.5V @ 100µA ± 20V 15.1 pf @ 3 V - 150mW (TA)
SSM6N40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm6n40tu, lf 0,4800
RFQ
ECAD 18 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD, FiOS Planos SSM6N40 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 500mW (TA) Uf6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 30V 1.6a (ta) 122mohm @ 1a, 10V 2.6V @ 1Ma 5.1NC @ 10V 180pf @ 15V Portão de Nível Lógico, Unidade de 4v
RN1709,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1709, lf 0,3100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1709 200mw USV download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500na 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 250MHz 47kohms 22kohms
RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1711, lf 0,3100
RFQ
ECAD 1202 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1711 200mw USV download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911, LF (CT 0,2800
RFQ
ECAD 8828 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1911 100mW US6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
RN4908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908, LF (CT 0,2800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4908 200mw US6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200MHz, 250MHz 22kohms 47kohms
RN1415,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1415, lf 0,1800
RFQ
ECAD 7792 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1415 200 MW S-mini download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 10 Kohms
RN2113,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2113, LF (CT 0,2100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN2113 100 mw SSM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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