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Transistores (2488)

Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tecnologia Potência - Máx. Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id Atual - Corte do Coletor (Máx.) Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição Resistor - Base (R1) Resistor - Emissor Base (R2)
2SA1987-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1987-O(Q) 3.4500
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 ECAD 1 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Ativo 150°C (TJ) Através do furo TO-3PL 2SA1987 180W TO-3P(L) download Compatível com ROHS3 Não aplicável EAR99 8541.29.0075 100 230 V 15A 5µA (ICBO) PNP 3V a 800mA, 8A 80 @ 1A, 5V 30MHz
2SA1930,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930,Q(J -
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 ECAD 3454 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto 150°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 2SA1930 2W PARA-220NIS download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 180 V 2A 5µA (ICBO) PNP 1V a 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200MHz
2SK3342(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3342(TE16L1,NQ) -
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 ECAD 3368 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 2SK3342 MOSFET (óxido metálico) PW-MOLD download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.000 Canal N 250 V 4,5A (Ta) 10V 1 Ohm a 2,5 A, 10 V 3,5V a 1mA 10 nC @ 10 V ±20V 440 pF a 10 V - 20W (Tc)
2SK3320-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3320-BL(TE85L,F 0,7500
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 ECAD 72 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo 125°C (TJ) Montagem em superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 2SK3320 200 mW USV download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal N 13pF a 10V 6 mA a 10 V 200 mV @ 100 nA
TPC8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8062-H,LQ(CM -
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 ECAD 2139 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSVII-H Fita e Carretel (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura) TPC8062 MOSFET (óxido metálico) 8-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 30 V 18A (Ta) 4,5V, 10V 5,8mOhm a 9A, 10V 2,3 V a 300 µA 34 nC @ 10 V ±20V 2.900 pF a 10 V - 1W (Ta)
TPCF8402(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8402(TE85L,F,M -
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 ECAD 3491 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SMD, cabo plano TPCF8402 MOSFET (óxido metálico) 330mW VS-8 (2,9x1,5) download 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 Canal N e P 30V 4A, 3,2A 50mOhm @ 2A, 10V 2V @ 1mA 10nC @ 10V 470pF a 10V Portão de nível lógico
TK16A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A45D(STA4,Q,M) -
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 ECAD 9568 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo - Através do furo Pacote completo TO-220-3 TK16A45 MOSFET (óxido metálico) TO-220SIS download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 450 V 16A 270mOhm @ 8A, 10V - - -
RN1908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908,LXHF(CT 0,3600
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 ECAD 6 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200mW EUA6 download 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500nA 2 NPN - Pré-polarizado (Duplo) 300mV @ 250µA, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22kOhms 47kOhms
2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-A,LF 0,4000
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 ECAD 78 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo 125°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3326 150 mW PARA-236 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 20 V 300 mA 100nA (ICBO) NPN 100mV @ 3mA, 30mA 200 @ 4mA, 2V 30MHz
RN2505TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2505TE85LF 0,3400
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 ECAD 219 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície SC-74A, SOT-753 RN2505 300mW SMV download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100nA (ICBO) 2 PNP - Pré-polarizado (Dual) (Emissor acoplado) 300mV @ 250µA, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2,2 kOhms 47kOhms
TK9A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A45D(STA4,Q,M) 1.7100
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 ECAD 8473 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba π-MOSVII Tubo Ativo 150°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 TK9A45 MOSFET (óxido metálico) TO-220SIS download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 450 V 9A (Ta) 10V 770mOhm @ 4,5A, 10V 4V @ 1mA 16 nC @ 10 V ±30V 800 pF a 25 V - 40W (Tc)
TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8004PL,L1Q 2.9700
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 ECAD 1220 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSIX-H Fita e Carretel (TR) Ativo 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerWDFN TPWR8004 MOSFET (óxido metálico) 8-DSOP Avançado download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 40 V 150A (Tc) 4,5V, 10V 0,8mOhm a 50A, 10V 2,4V a 1mA 103 nC @ 10 V ±20V 9600 pF a 20 V - 1W (Ta), 170W (Tc)
SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K211FE,LF 0,5400
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 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSIII Fita e Carretel (TR) Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície SOT-563, SOT-666 SSM6K211 MOSFET (óxido metálico) ES6 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 Canal N 20 V 3,2A (Ta) 1,5 V, 4,5 V 47mOhm @ 2A, 4,5V 1V @ 1mA 10,8 nC a 4,5 V ±10V 510 pF a 10 V - 500mW (Ta)
TK110A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A10PL,S4X 1.0900
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 ECAD 328 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo 175°C Através do furo Pacote completo TO-220-3 TK110A10 MOSFET (óxido metálico) TO-220SIS download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 100V 36A (Tc) 4,5V, 10V 10,8mOhm a 18A, 10V 2,5 V a 300 µA 33 nC @ 10 V ±20V 2040 pF a 50 V - 36W (Tc)
TPHR9203PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL,L1Q 1.6300
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 ECAD 8 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSIX-H Fita e Carretel (TR) Ativo 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerVDFN TPHR9203 MOSFET (óxido metálico) 8-SOP Avançado (5x5) download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 30 V 150A (Tc) 4,5V, 10V 2,1 V a 500 µA 80 nC @ 10 V ±20V 7540 pF a 15 V - 132W (Tc)
TPC8134,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8134,LQ(S 0,7300
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 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSVI Fita e Carretel (TR) Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) TPC8134 MOSFET (óxido metálico) 8-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 5A (Ta) 4,5V, 10V 52mOhm @ 2,5A, 10V 2V @ 100µA 20 nC @ 10 V +20V, -25V 890 pF a 10 V - 1W (Ta)
RN2703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2703,LF 0,2900
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 ECAD 5173 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2703 200mW USV download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500nA 2PNP - Pré-tendencioso (Dual) 300mV @ 250µA, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22kOhms 22kOhms
RN4987FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE,LF(CT 0,2700
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 ECAD 32 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície SOT-563, SOT-666 RN4987 100mW ES6 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500nA 1 NPN, 1 PNP - Pré-polarizado (Duplo) 300mV @ 250µA, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz, 200 MHz 10kOhms 47kOhms
RN1309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309,LXHF 0,3900
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 ECAD 3 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície SC-70, SOT-323 RN1309 100 mW SC-70 download 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Pré-tendencioso 300mV @ 250µA, 5mA 70 @ 5mA, 5V 250 MHz 47 kOhms 22 kOhms
TPC8092,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8092,LQ(S -
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 ECAD 8376 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSVII Fita e Carretel (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) TPC8092 MOSFET (óxido metálico) 8-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 30 V 15A (Ta) 4,5V, 10V 9mOhm @ 7,5A, 10V 2,3 V a 200 µA 25 nC @ 10 V ±20V 1800 pF a 10 V - 1W (Ta)
TJ20S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L(T6L1,NQ 1.3300
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 ECAD 9822 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSVI Fita e Carretel (TR) Ativo 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 TJ20S04 MOSFET (óxido metálico) DPAK+ download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.000 Canal P 40 V 20A (Ta) 6V, 10V 22,2mOhm a 10A, 10V 3V @ 1mA 37 nC @ 10 V +10V, -20V 1850 pF a 10 V - 41W (Tc)
TK1P90A,LQ(CO Toshiba Semiconductor and Storage TK1P90A,LQ(CO -
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 ECAD 9799 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo 150ºC Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 TK1P90 MOSFET (óxido metálico) PW-MOLD download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TK1P90ALQ(CO EAR99 8541.29.0095 2.000 Canal N 900 V 1A (Ta) 10V 9 Ohm @ 500 mA, 10 V 4V @ 1mA 13 nC @ 10 V ±30V 320 pF a 25 V - 20W (Tc)
SSM6P54TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P54TU,LF 0,4100
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 ECAD 1 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo 150ºC Montagem em superfície 6-SMD, cabos planos SSM6P54 MOSFET (óxido metálico) 500mW (Ta) UF6 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canais P (duplo) 20V 1,2A (Ta) 228mOhm @ 600mA, 2,5V 1V @ 1mA 7,7nC @ 4V 331pF a 10V Porta de nível lógico, unidade de 1,5 V
RN1116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1116,LXHF(CT 0,3300
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 ECAD 6 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície SC-75, SOT-416 RN1116 100 mW MES download 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Pré-tendencioso 300mV @ 250µA, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 4,7 kOhms 10 kOhms
XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN3R804NC,L1XHQ 1.4700
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 ECAD 9 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSVIII Fita e Carretel (TR) Ativo 175°C Montagem em superfície 8-PowerVDFN XPN3R804 MOSFET (óxido metálico) 8-TSON Avanço-WF (3,1x3,1) download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 40 V 40A (Ta) 4,5V, 10V 3,8mOhm a 20A, 10V 2,5 V a 300 µA 35 nC @ 10 V ±20V 2230 pF a 10 V - 840mW (Ta), 100W (Tc)
TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK22V65X5,LQ 5.6600
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 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba DTMOSIV-H Fita e Carretel (TR) Ativo 150ºC Montagem em superfície Almofada exposta 4-VSFN MOSFET (óxido metálico) 4-DFN-EP (8x8) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 650 V 22A (Ta) 10V 170mOhm @ 11A, 10V 4,5 V a 1,1 mA 50 nC @ 10 V ±30V 2.400 pF a 300 V - 180W (Tc)
TK22A65X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A65X,S5X 3.8400
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 ECAD 188 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo 150ºC Através do furo Pacote completo TO-220-3 TK22A65 MOSFET (óxido metálico) TO-220SIS download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 650 V 22A (Ta) 10V 150mOhm @ 11A, 10V 3,5 V a 1,1 mA 50 nC @ 10 V ±30V 2.400 pF a 300 V - 45W (Tc)
TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60F10N1L,LXGQ 2.3200
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 ECAD 1 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSVIII-H Fita e Carretel (TR) Ativo 175°C Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB TK60F10 MOSFET (óxido metálico) TO-220SM(W) - 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 1.000 Canal N 100V 60A (Ta) 6V, 10V 6,11mOhm a 30A, 10V 3,5 V a 500 µA 60 nC @ 10 V ±20V 4320 pF a 10 V - 205W (Tc)
TK8Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q60W,S1VQ 2.4800
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 ECAD 7622 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba DTMOSIV Tubo Ativo 150°C (TJ) Através do furo Terminais TO-251-3, IPak TK8Q60 MOSFET (óxido metálico) I-Pak download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 75 Canal N 600 V 8A (Ta) 10V 500mOhm @ 4A, 10V 3,7 V a 400 µA 18,5 nC @ 10 V ±30V 570 pF a 300 V - 80W (Tc)
2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFV-Y,L3F 0,1900
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 ECAD 7 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície SOT-723 2SC6026 150 mW VESM download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8.000 50 V 150 mA 100nA (ICBO) NPN 250mV a 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 60MHz
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AD9208BBPZ-3000

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