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Transistores (2488)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
2SJ438,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438, Q (j -
RFQ
 ECAD 2689 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SJ438 To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 1 5a (TJ)
RN1971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1971FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 2787 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN1971 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
RN4904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904FE, LF (CT 0,2600
RFQ
 ECAD 1676 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN4904 100mW ES6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz, 200MHz 47kohms 47kohms
TK16A60W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W, S4X 2.3741
RFQ
 ECAD 4531 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK16A60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download Rohs Compatível 1 (ilimito) TK16A60WS4X Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 15.8a (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10V 3.7V A 790µA 40 nc @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 40W (TC)
RN2312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2312 (TE85L, F) 0,2700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 RN2312 100 mw SC-70 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 22 Kohms
RN1108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1108 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
RN2423(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2423 (TE85L, F) 0,4100
RFQ
 ECAD 130 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2423 200 MW S-mini download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 800 mA 500na PNP - Pré -tendencioso 250mv @ 1Ma, 50Ma 70 @ 100MA, 1V 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN2307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 2595 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 RN2307 100 mw SC-70 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200 MHz 10 Kohms 47 Kohms
2SC2235-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y (t6cn, a, f -
RFQ
 ECAD 3118 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC2235 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
RN2424(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2424 (TE85L, F) 0,4100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2424 200 MW S-mini download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 800 mA 500na PNP - Pré -tendencioso 250mv @ 1Ma, 50Ma 90 @ 100MA, 1V 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
2SA1930,CKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930, CKQ (j -
RFQ
 ECAD 9881 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SA1930 2 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µA (ICBO) Pnp 1V @ 100MA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200MHz
RN2111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2111ACT (TPL3) 0,0527
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 RN2111 100 mw Cst3 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 50 v 80 MA 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 150mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 10 Kohms
RN1409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409, LXHF 0,0645
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1409 200 MW S-mini download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 10MA, 5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
2SC3225,T6ALPSF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3225, T6ALPSF (m -
RFQ
 ECAD 8797 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC3225 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 40 v 2 a 10µA (ICBO) Npn 500mv @ 1Ma, 300mA 500 @ 400MA, 1V 220MHz
RN1417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1417 (TE85L, F) 0,3500
RFQ
 ECAD 384 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1417 200 MW S-mini download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2911FE (TE85L, F) 0,3500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN2911 100mW ES6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 200MHz 10kohms -
2SC5171(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171 (Onk, Q, M) -
RFQ
 ECAD 9307 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 2SC5171 2 w To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µA (ICBO) Npn 1V @ 100MA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200MHz
TK12A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk12a45d (sta4, q, m) 2.2300
RFQ
 ECAD 1473 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba π-mosvii Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK12A45 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 450 v 12a (ta) 10V 520mohm @ 6a, 10V 4V @ 1MA 24 nc @ 10 V ± 30V 1200 pf @ 25 V - 45W (TC)
2SC3074-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-O (Q) -
RFQ
 ECAD 3255 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 2SC3074 1 w PW-Mold download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 200 50 v 5 a 1µA (ICBO) Npn 400mv a 150mA, 3a 70 @ 1A, 1V 120MHz
TK100S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L, LXHQ 1.7200
RFQ
 ECAD 8020 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-musviii-h Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C. Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TK100S04 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK+ download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 40 v 100a (ta) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 50a, 10V 2,5V a 500µA 76 nc @ 10 V ± 20V 5490 pf @ 10 V - 180W (TC)
TK6A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk6a53d (sta4, q, m) 1.5000
RFQ
 ECAD 2959 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba π-mosvii Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK6A53 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 525 v 6a (ta) 10V 1.3OHM @ 3A, 10V 4.4V @ 1MA 12 nc @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 35W (TC)
2SC5201,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201, T6F (j -
RFQ
 ECAD 4968 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC5201 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 1 600 v 50 MA 1µA (ICBO) Npn 1V @ 500MA, 20MA 100 @ 20MA, 5V -
2SC2235-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y (6MBH1, AF -
RFQ
 ECAD 8417 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SC2235 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
RN2904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 RN2904 100mW ES6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500na 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200MHz 47kohms 47kohms
RN2109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2109CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 8190 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 RN2109 50 mw Cst3 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 20 v 50 MA 500na PNP - Pré -tendencioso 150mv @ 250µA, 5MA 100 @ 10Ma, 5V 47 Kohms 22 Kohms
SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV, L3F 0,2300
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-723 SSM3J35 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Vesm download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 8.000 Canal P. 20 v 100mA (ta) 8ohm @ 50ma, 4v - 12.2 pf @ 3 V - 150mW (TA)
2SA2154CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-Y (TPL3) -
RFQ
 ECAD 5156 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 2SA2154 100 mw Cst3 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 10ma, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
2SC6139,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6139, T2F (m -
RFQ
 ECAD 7133 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco SC-71 2SC6139 1 w Mstm download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1 160 v 1.5 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 50Ma, 500mA 140 @ 100mA, 5V 100MHz
TK2P90E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK2P90E, RQ 1.1900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 900 v 2a (ta) 10V 5.9OHM @ 1A, 10V 4V @ 200µA 12 nc @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 80W (TC)
RN1117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 6824 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN1117 100 mw SSM download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
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