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Transistores (2488)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Resistor - Base (R1) | Resistor - Base de Emissor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RN4983, LXHF (CT | 0,4400 |  | 2 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN4983 | 200mw | US6 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500na | 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) | 300mv @ 250µA, 5MA | 70 @ 10MA, 5V | 250MHz, 200MHz | 22kohms | 22kohms | ||||||||||||||||
 | Rn1421te85lf | 0,4200 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1421 | 200 MW | S-mini | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 800 mA | 500na | Npn - pré -tendencioso | 250mv @ 2Ma, 50Ma | 60 @ 100mA, 1V | 300 MHz | 1 Kohms | 1 Kohms | |||||||||||||||
 | TK30E06N1, S1X | 0,9400 | | 6995 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | U-musviii-h | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | TK30E06 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 43a (TA) | 10V | 15mohm @ 15a, 10V | 4V @ 200µA | 16 nc @ 10 V | ± 20V | 1050 pf @ 30 V | - | 53W (TC) | ||||||||||||
 | TPH3R003PL, LQ | 0,9900 | | 3 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | U-mosix-h | Tape & Reel (TR) | Ativo | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | TPH3R003 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Adiantamento de 8-SOP (5x5) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 88a (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 44a, 4.5V | 2.1V @ 300µA | 50 nc @ 10 V | ± 20V | 3825 pf @ 15 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||
 | TPC8110 (TE12L, Q, M) | - | | 6368 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | U-Mosiii | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) | TPC8110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP (5,5x6.0) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 40 v | 8a (ta) | 4V, 10V | 25mohm @ 4a, 10V | 2V @ 1MA | 48 nc @ 10 V | ± 20V | 2180 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||
 | TK13A45D (STA4, Q, M) | 2.4700 | | 9513 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | π-mosvii | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TK13A45 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220SIS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 450 v | 13A (TA) | 10V | 460mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 1MA | 25 nc @ 10 V | ± 30V | 1350 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||
 | 2SA1020-y (T6TR1, AF | - | | 8896 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo | 2SA1020 | 900 MW | TO-92MOD | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µA (ICBO) | Pnp | 500mV @ 50Ma, 1A | 70 @ 500MA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||
 | SSM6N7002BFE, LM | 0,3300 | | 28 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | SSM6N7002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 150mW | ES6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 200Ma | 2.1OHM @ 500MA, 10V | 3.1V @ 250µA | - | 17pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
| Tk5a55d (sta4, q, m) | 1.3900 | | 50 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | π-mosvii | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TK5A55 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220SIS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 550 v | 5a (ta) | 10V | 1.7OHM @ 2.5A, 10V | 4.4V @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 540 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||
 | TJ20S04M3L (T6L1, NQ | 1.3300 | | 9822 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | U-Mosvi | Tape & Reel (TR) | Ativo | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TJ20S04 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK+ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal P. | 40 v | 20A (TA) | 6V, 10V | 22.2mohm @ 10a, 10V | 3V @ 1Ma | 37 nc @ 10 V | +10V, -20V | 1850 pf @ 10 V | - | 41W (TC) | ||||||||||||
| RN2413, LXHF | 0,0645 | | 6865 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2413 | 200 MW | S-mini | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100na (ICBO) | PNP - Pré -tendencioso | 300mv @ 250µA, 5MA | 120 @ 1MA, 5V | 200 MHz | 47 Kohms | |||||||||||||||||
| 2SC2235-O, F (j | - | | 8839 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo | 2SC2235 | 900 MW | TO-92MOD | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 v | 800 mA | 100na (ICBO) | Npn | 1V @ 50MA, 500mA | 80 @ 100mA, 5V | 120MHz | |||||||||||||||||
| 2SC2235-y (MBSH1, FM | - | | 5908 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo | 2SC2235 | 900 MW | TO-92MOD | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 v | 800 mA | 100na (ICBO) | Npn | 1V @ 50MA, 500mA | 80 @ 100mA, 5V | 120MHz | |||||||||||||||||
 | TK60F10N1L, LXGQ | 2.3200 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | U-musviii-h | Tape & Reel (TR) | Ativo | 175 ° C. | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | TK60F10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220SM (W) | - | 3 (168 Horas) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 100 v | 60a (ta) | 6V, 10V | 6.11mohm @ 30a, 10V | 3,5V a 500µA | 60 nc @ 10 V | ± 20V | 4320 pf @ 10 V | - | 205W (TC) | |||||||||||||
| Rn2402, lf | 0,2200 | | 6149 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2402 | 200 MW | S-mini | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500na | PNP - Pré -tendencioso | 300mv @ 250µA, 5MA | 50 @ 10MA, 5V | 200 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||
| RN49A1FE (TE85L, F) | - | | 2089 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | RN49A1 | 100mW | ES6 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 50V | 100mA | 500na | 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) | 300mv @ 250µA, 5MA | 80 @ 10Ma, 5V | 200MHz, 250MHz | 2.2kohms, 22kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
| RN2964FE (TE85L, F) | - | | 1932 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | RN2964 | 100mW | ES6 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100mA | 100na (ICBO) | 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) | 300mv @ 250µA, 5MA | 80 @ 10Ma, 5V | 200MHz | 47kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
| RN2425 (TE85L, F) | 0,4000 | | 5 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2425 | 200 MW | S-mini | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 800 mA | 500na | PNP - Pré -tendencioso | 250mv @ 1Ma, 50Ma | 90 @ 100MA, 1V | 200 MHz | 10 Kohms | ||||||||||||||||
| RN1405, LXHF | 0,3400 | | 6 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1405 | 200 MW | S-mini | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500na | Npn - pré -tendencioso | 300mv @ 250µA, 5MA | 80 @ 10Ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
 | 2SA1586-y, lxhf | 0,3300 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | 200 MW | USM | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 150 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 300mv @ 10ma, 100mA | 120 @ 2MA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||
 | RN2308, LXHF | 0,3900 | | 5 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | RN2308 | 100 mw | SC-70 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500na | PNP - Pré -tendencioso | 300mv @ 250µA, 5MA | 80 @ 10Ma, 5V | 200 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
 | Rn1962te85lf | - | | 5519 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN1962 | 500mW | US6 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 100na (ICBO) | 2 npn - pré -tendencioso (duplo) | 300mv @ 250µA, 5MA | 50 @ 10MA, 5V | 250MHz | 10kohms | 10kohms | |||||||||||||||
 | TPN6R003NL, LQ | 0,8800 | | 9982 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | U-musviii-h | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | TPN6R003 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Adiantamento 8-Tson (3,1x3.1) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 27a (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 13.5a, 10V | 2.3V @ 200µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 15 V | - | 700MW (TA), 32W (TC) | ||||||||||||
 | RN1101CT (TPL3) | - | | 2343 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SC-101, SOT-883 | RN1101 | 50 mw | Cst3 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 20 v | 50 MA | 500na | Npn - pré -tendencioso | 150mv @ 250µA, 5MA | 30 @ 10MA, 5V | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||
 | TPCF8B01 (TE85L, F, M | - | | 5121 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | U-Mosiii | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | TPCF8B01 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | VS-8 (2.9x1.5) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | Canal P. | 20 v | 2.7a (ta) | 1.8V, 4.5V | 110mohm @ 1.4a, 4.5V | 1.2V @ 200µA | 6 nc @ 5 V | ± 8V | 470 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Isolado) | 330mW (TA) | |||||||||||||
| RN4986FE, LXHF (CT | 0,3800 | | 8 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | RN4986 | 100mW | ES6 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100mA | 500na | 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) | 300mv @ 250µA, 5MA | 80 @ 10Ma, 5V | 250MHz, 200MHz | 4.7kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
 | 2SC4738-gr, LXHF | 0,3300 | | 4 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Montagem na Superfície | SC-75, SOT-416 | 120 MW | SSM | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 150 MA | 100na (ICBO) | Npn | 250mv @ 10ma, 100mA | 200 @ 2MA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||
 | RN2109, LF (CT | 0,2000 | | 3 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-75, SOT-416 | RN2109 | 100 mw | SSM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500na | PNP - Pré -tendencioso | 300mv @ 250µA, 5MA | 70 @ 10MA, 5V | 200 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||
| RN1103ACT (TPL3) | - | | 8929 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SC-101, SOT-883 | RN1103 | 100 mw | Cst3 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 80 MA | 500na | Npn - pré -tendencioso | 150mv @ 250µA, 5MA | 70 @ 10MA, 5V | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||
| RN1116, LF (CT | 0,2000 | | 170 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-75, SOT-416 | RN1116 | 100 mw | SSM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500na | Npn - pré -tendencioso | 300mv @ 250µA, 5MA | 50 @ 10MA, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms |
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