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Transistores (2488)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
RN2607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2607 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 RN2607 300mw SM6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200MHz 10kohms 47kohms
RN2104(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104 (T5L, F, T) 0,2800
RFQ
 ECAD 727 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN2104 100 mw SSM download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU, LXHF 0,4300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101, U-Mosvi Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície 3-SMD, FiOS Planos MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ufm download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 3.2a (ta) 1.5V, 4.5V 93mohm @ 1.5a, 4.5V 1V @ 1MA 4,7 nc @ 4,5 V +6V, -8V 290 pf @ 10 V - 500mW (TA)
2SA1315-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-y, HOF (m -
RFQ
 ECAD 8164 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SA1315 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 1 80 v 2 a 1µA (ICBO) Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 70 @ 500MA, 2V 80MHz
RN2401,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn2401, lf 0,2200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2401 200 MW S-mini download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TK62N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60X, S1F 11.2600
RFQ
 ECAD 108 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv-h Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 TK62N60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 600 v 61.8a (TA) 10V 40mohm @ 21a, 10V 3.5V @ 3.1MA 135 NC @ 10 V ± 30V 6500 pf @ 300 V - 400W (TC)
RN1401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401, LXHF 0,3400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1401 200 MW S-mini download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TPCA8009-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8009-H (TE12L, q -
RFQ
 ECAD 7100 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn TPCA8009 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento de 8-SOP (5x5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 v 7a (ta) 10V 350mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 1MA 10 nc @ 10 V ± 20V 600 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
RN2505TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn2505te85lf 0,3400
RFQ
 ECAD 219 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 RN2505 300mw Smv download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) (Emissor Acoplado) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
GT40WR21,Q Toshiba Semiconductor and Storage GT40WR21, q 11.0200
RFQ
 ECAD 7358 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Bandeja Ativo 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 Padrão 375 w TO-3P (n) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 100 - - 1350 v 40 a 80 a 5.9V @ 15V, 40A - -
2SK2962,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6F (j -
RFQ
 ECAD 4247 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SK2962 TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 1 1a (TJ)
RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV, L3XHF (CT 0,3400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-723 RN1106 150 MW Vesm download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 5MA 80 @ 1MA, 5V 4.7 Kohms 47 Kohms
SSM3J15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm3j15fs, lf 0,2500
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 SSM3J15 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SSM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 30 v 100mA (ta) 2.5V, 4V 12OHM @ 10MA, 4V 1.7V @ 100µA ± 20V 9.1 pf @ 3 V - 100mW (TA)
RN1309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 RN1309 100 mw SC-70 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 70 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
RN2714,LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn2714, lf -
RFQ
 ECAD 5528 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2714 200mw USV download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500na 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V - 1kohms 10kohms
2SC5065-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5065-y (TE85L, F) 0,4100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 2SC5065 100mW SC-70 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 12dB ~ 17DB 12V 30Ma Npn 120 @ 10MA, 5V 7GHz 1.1dB @ 1GHz
RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1310 (TE85L, F) 0,2600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 RN1310 100 mw SC-70 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms
TPCC8A01-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8A01-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 4142 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-MOSV-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície Pad Exposto de 8-VDFN TPCC8A01 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Adiantamento 8-Tson (3,3x3.3) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 21a (TA) 4.5V, 10V 9.9mohm @ 10.5a, 10V 2.3V @ 1MA 20 NC A 10 V ± 20V 1900 pf @ 10 V - 700MW (TA), 30W (TC)
2SK2989(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 (T6cano, a, f -
RFQ
 ECAD 8088 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SK2989 TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 1 5a (TJ)
RN2104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN2104 100 mw SSM download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
2SA1315-Y,T6ASNF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-y, T6ASNF (j -
RFQ
 ECAD 7868 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 2SA1315 900 MW TO-92MOD download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 1 80 v 2 a 1µA (ICBO) Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 70 @ 500MA, 2V 80MHz
RN2116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2116, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 RN2116 100 mw SSM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 50 @ 10MA, 5V 200 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
RN2404TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn2404te85lf -
RFQ
 ECAD 6084 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200 MW S-mini download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN4987,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987, LXHF (CT 0,4400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4987 200mw US6 download 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500na 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 250MHz, 200MHz 10kohms 47kohms
RN2708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2708JE (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-553 RN2708 100mW Esv download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 250µA, 5MA 80 @ 10Ma, 5V 200MHz 22kohms 47kohms
TK25N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X, S1F 4.6600
RFQ
 ECAD 4357 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv-h Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 TK25N60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 600 v 25a (ta) 10V 125mohm @ 7.5a, 10V 3.5V @ 1.2Ma 40 nc @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 180W (TC)
SSM6K411TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K411TU (TE85L, f -
RFQ
 ECAD 5581 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Musiv Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-SMD, FiOS Planos SSM6K411 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Uf6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 v 10a (ta) 2.5V, 4.5V 12mohm @ 7a, 4.5V 1.2V @ 1MA 9,4 NC a 4,5 V ± 12V 710 pf @ 10 V - 1W (TA)
SSM3K15ACTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACTC, L3F 0,3200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba U-Mosiii Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 SSM3K15 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) CST3C download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 10.000 N-canal 30 v 100mA (ta) 2.5V, 4V 3.6ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µA ± 20V 13,5 pf @ 3 V - 500mW (TA)
RN1701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1701JE (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-553 RN1701 100mW Esv download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100na (ICBO) 2 NPN - Pré -tendencioso (Duplo) (Emissor Acoplado) 300mv @ 250µA, 5MA 30 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
TK20A25D,S5Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TK20A25D, S5Q (m -
RFQ
 ECAD 8354 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba π-mosvii Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TK20A25 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220SIS download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 250 v 20A (TA) 10V 100mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 1Ma 55 nc @ 10 V ± 20V 2550 pf @ 100 V - 45W (TC)
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