SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tipo de entrada Tecnologia Potência - Máx. Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Condição de teste Ganho Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tempo de recuperação reversa (trr) Tipo IGBT Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Corrente - Coletor Pulsado (Icm) Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic Trocando Energia Taxa de portão Td (ligado/desligado) @ 25°C Atual - Corte do Coletor (Máx.) Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição Figura de ruído (dB Typ @ f)
IRF613 Harris Corporation IRF613 0,3300
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ECAD 2 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220AB download RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 150 V 2,6A (Tc) 10V 2,4Ohm @ 1,6A, 10V 4 V a 250 µA 8,2 nC a 10 V ±20V 135 pF a 25 V - 43W (Tc)
RFP50N06R4034 Harris Corporation RFP50N06R4034 0,6100
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ECAD 3 0,00000000 Corporação Harris * Volume Ativo RFP50 - - Não aplicável 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
2N6792 Harris Corporation 2N6792 1.5900
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ECAD 10 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Lata de metal TO-205AF MOSFET (óxido metálico) TO-205AF (TO-39) download RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 189 Canal N 400 V 2A (Tc) 10V 1,8 Ohm a 1,25 A, 10 V 4V @ 1mA ±20V 600 pF a 25 V - 20W (Tc)
RF1S640SM Harris Corporation RF1S640SM 2.5300
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ECAD 665 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) TO-263AB download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH afetado EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 200 V 18A (Tc) 180mOhm @ 10A, 10V 4 V a 250 µA 64 nC @ 10 V ±20V 1275 pF a 25 V - 125W (Tc)
RFP15N05L Harris Corporation RFP15N05L 0,8500
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ECAD 404 0,00000000 Corporação Harris - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220-3 download RoHS não compatível EAR99 8541.29.0095 400 Canal N 50 V 15A (Tc) 5V 140mOhm a 15A, 5V 2V @ 250µA ±10V 900 pF a 25 V - 60W (Tc)
IRF543 Harris Corporation IRF543 0,7700
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ECAD 965 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220AB download RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 80 V 25A (Tc) 10V 100mOhm @ 17A, 10V 4 V a 250 µA 59 nC @ 10 V ±20V 1450 pF a 25 V - 150W (Tc)
HGTH12N50C1D Harris Corporation HGTH12N50C1D 2.3000
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ECAD 483 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Guia isolado TO-218-3, TO-218AC padrão 75 W TO-218 Isolado download RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 - 100 ns - 500 V 12A 17,5A 3,2 V a 20 V, 17,5 A - 19 nC -
BD240A Harris Corporation BD240A -
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ECAD 3864 0,00000000 Corporação Harris - Volume Obsoleto 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 30W PARA-220 download Compatível com ROHS3 EAR99 8541.29.0095 253 60 V 2A 300µA PNP 700mV a 200mA, 1A 40 @ 200mA, 4V -
HGTP20N35F3VL Harris Corporation HGTP20N35F3VL 1.9200
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ECAD 1 0,00000000 Corporação Harris * Volume Ativo - Não aplicável 3 (168 horas) Fornecedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1
IRFR21496 Harris Corporation IRFR21496 0,3200
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ECAD 993 0,00000000 Corporação Harris * Volume Ativo IRFR214 - - Não aplicável 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8542.39.0001 993 -
IGT6D10 Harris Corporation IGT6D10 2.0700
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ECAD 8868 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-204AA Lógica 75 W PARA-3 download Não aplicável 3 (168 horas) Fornecedor indefinido EAR99 0000.00.0000 106 - - 400 V 10A 40A 2,7V a 15V, 10A - -
IRFD213 Harris Corporation IRFD213 0,5900
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ECAD 5 0,00000000 Corporação Harris - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) MOSFET (óxido metálico) 4-HVMDIP download RoHS não compatível EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 250 V 450mA (Ta) 2 Ohm @ 270 mA, 10 V 4 V a 250 µA 8,2 nC a 10 V 140 pF a 25 V - -
BDX34B Harris Corporation BDX34B -
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ECAD 8182 0,00000000 Corporação Harris - Volume Obsoleto 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 70W PARA-220 download RoHS não compatível EAR99 8541.29.0095 200 80 V 10A 500µA PNP - Darlington 2,5V a 6mA, 3A 750 @ 3A, 3V -
IRFP351 Harris Corporation IRFP351 2.0300
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ECAD 323 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-247 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 350V 16A (Tc) 10V 300mOhm a 8,9A, 10V 4 V a 250 µA 130 nC @ 10 V ±20V 2.000 pF a 25 V - 180W (Tc)
HGTD3N60B3 Harris Corporation HGTD3N60B3 0,5100
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ECAD 4 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA padrão 33,3 W I-PAK download RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 480V, 3,5A, 82Ohm, 15V 16 ns - 600 V 7A 20 A 2,1 V a 15 V, 3,5 A 66 µJ (ligado), 88 µJ (desligado) 21 nC 18ns/105ns
IRFP245 Harris Corporation IRFP245 1.5400
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ECAD 400 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-247 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 250 V 14A (Tc) 10V 340mOhm @ 10A, 10V 4 V a 250 µA 59 nC @ 10 V ±20V 1300 pF a 25 V - 150W (Tc)
RCA8766 Harris Corporation RCA8766 -
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ECAD 9172 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -65°C ~ 175°C (TJ) Através do furo TO-204AA, TO-3 150 W PARA-3 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 99 350V 10A 1mA NPN - Darlington 1,5V a 200mA, 6A 100 @ 6A, 3V -
SK3991 Harris Corporation SK3991 6.1400
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ECAD 986 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo - Através do furo TO-206AF, TO-72-4 Lata de metal SK399 MOSFET (óxido metálico) 360mW PARA-72 download Não aplicável 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.21.0095 1 2 canais N (duplo) 25V 30mA - - - - -
2N6500 Harris Corporation 2N6500 29.4000
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ECAD 60 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo - Através do furo TO-213AA, TO-66-2 20W PARA-66 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.30.0080 12 110V 4A - NPN - 15 @ 3A, 2V 60MHz
RFP23N06LE Harris Corporation RFP23N06LE 0,4100
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ECAD 1 0,00000000 Corporação Harris * Volume Ativo - RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido 1
RFD20N03SM9A Harris Corporation RFD20N03SM9A 0,7800
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ECAD 4 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) TO-252-3 (DPAK) download RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 30 V 20A (Tc) 10V 25mOhm a 20A, 10V 4 V a 250 µA 75 nC @ 20 V ±20V 1150 pF a 25 V - 90W (Tc)
IRF9620 Harris Corporation IRF9620 -
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ECAD 6432 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 IRF9620 MOSFET (óxido metálico) PARA-220AB download RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 0000.00.0000 1 Canal P 200 V 3,5A (Tc) 10V 1,5 Ohm @ 1,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 22 nC @ 10 V ±20V 350 pF a 25 V - 40W (Tc)
HFA3127B96 Harris Corporation HFA3127B96 -
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ECAD 7981 0,00000000 Corporação Harris - Volume Obsoleto -55°C ~ 125°C (TJ) Montagem em superfície 16-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) 150mW 16-SOIC - RoHS não compatível Fornecedor indefinido 2156-HFA3127B96-600026 1 - 12V 65mA 5NPN 40 @ 10mA, 2V 8GHz 3,5 dB a 1 GHz
IRFP243 Harris Corporation IRFP243 2.4000
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ECAD 181 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-247 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 150 V 18A (Tc) 10V 220mOhm @ 10A, 10V 4 V a 250 µA 60 nC @ 10 V ±20V 1275 pF a 25 V - 150W (Tc)
RFD10N05SM Harris Corporation RFD10N05SM 0,6600
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ECAD 11 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo - Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) TO-252, (D-Pak) download Não aplicável 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 50 V - - - - - - -
IRF723 Harris Corporation IRF723 0,7800
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ECAD 79 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 350V 2,8A(Tc) 10V 2,5Ohm @ 1,8A, 10V 4 V a 250 µA 20 nC @ 10 V ±20V 360 pF a 25 V - 50W (Tc)
IRFR421 Harris Corporation IRFR421 0,4100
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ECAD 1 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) TO-252, (D-Pak) download RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 450 V 2,5A (Tc) 10V 3 Ohm @ 1,3 A, 10 V 4 V a 250 µA 19 nC @ 10 V ±20V 350 pF a 25 V - 50W (Tc)
MJE13071 Harris Corporation MJE13071 0,9200
Solicitação de cotação
ECAD 967 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -65°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 80W PARA-220-3 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 6V 5A 500µA NPN 3V @ 1A, 5A 8 @ 3A, 5V
IRFD210 Harris Corporation IRFD210 0,9100
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ECAD 1 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) IRFD210 MOSFET (óxido metálico) 4-DIP, Hexdip, HVMDIP download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 0000.00.0000 1 Canal N 200 V 600mA (Ta) 10V 1,5 Ohm a 360 mA, 10 V 4 V a 250 µA 8,2 nC a 10 V ±20V 140 pF a 25 V - 1W (Ta)
IRF830 Harris Corporation IRF830 1.4600
Solicitação de cotação
ECAD 329 0,00000000 Corporação Harris - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220AB download RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 0000.00.0000 1 Canal N 500 V 4,5A (Tc) 1,5 Ohm a 2,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 32 nC @ 10 V ±20V 600 pF a 25 V - 75W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque